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AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响 被引量:1
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作者 井红旗 倪羽茜 +5 位作者 刘启坤 仲莉 孔金霞 王鑫 刘素平 马骁宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期850-854,共5页
为了提高半导体激光器件的可靠性,研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响。利用MOCVD生长975nm芯片,通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试,Au组分比重低于72%的AlN过渡热... 为了提高半导体激光器件的可靠性,研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响。利用MOCVD生长975nm芯片,通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试,Au组分比重低于72%的AlN过渡热沉封装器件表面颜色明显不同于组分相对较高的,空洞较多,平均波长红移约5nm,在寿命试验中过早失效,最终得出AuSn焊料中Au组分比重最好大于72%,小于80%,才能保证封装器件焊接质量,为实际生产和使用提供了指导意义。 展开更多
关键词 ausn焊料 半导体激光器 AlN过渡热沉 热阻
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烧结温度对AuSn焊料薄膜及封装激光器性能的影响 被引量:4
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作者 杨扬 孙素娟 +2 位作者 李沛旭 夏伟 徐现刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期840-845,共6页
采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种金属间化合物,随着烧结温度的上升,两相晶粒均明显长大,而ζ相... 采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种金属间化合物,随着烧结温度的上升,两相晶粒均明显长大,而ζ相Au5Sn趋向于形成枝晶。较低温度下烧结的焊料表面粗糙度较高,不利于激光器管芯的贴装。高温过烧焊料薄膜的导电导热性能有少许提升,对封装激光器管芯的功率没有明显影响,但焊料薄膜中残余应力较高,使激射波长有所蓝移。该结果将为Au Sn焊料的烧结参数优化和硬焊料封装激光器的性能分析提供参考和指导。 展开更多
关键词 激光器 金锡焊料 烧结 温度 金属间化合物
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AuSn焊料预热温度对高功率半导体激光器封装质量影响的研究 被引量:3
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作者 赵梓涵 王宪涛 王海卫 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2017年第2期78-81,共4页
为提高高功率半导体激光器封装质量,对AuSn焊料预热温度进行研究。通过分析AuSn焊料共晶原理,建立四组不同预热温度的AuSn焊料封装试验。通过对比不同预热温度下封装器件的光电参数,光谱特性及SEM检测效果,对实验结果进行分析。实验结... 为提高高功率半导体激光器封装质量,对AuSn焊料预热温度进行研究。通过分析AuSn焊料共晶原理,建立四组不同预热温度的AuSn焊料封装试验。通过对比不同预热温度下封装器件的光电参数,光谱特性及SEM检测效果,对实验结果进行分析。实验结果表明AuSn焊料的预热温度对高功率半导体激光器封装质量有重要影响,并得出AuSn焊料预热温度在235℃时高功率半导体激光器的封装质量最为理想。 展开更多
关键词 ausn焊料 预热温度 半导体激光器 封装质量
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半导体AuSn焊料低温真空封装工艺研究 被引量:5
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作者 李丙旺 徐春叶 《电子与封装》 2011年第2期4-8,共5页
介绍了半导体金锡(AuSn)焊料焊接封装的影响因素:焊接气氛、镀金层、焊料,在低温真空焊接封装的基础上,重点探讨了AuSn焊料真空钎焊封装的影响因素、AuSn焊料本身的组分比及其浸润性等对焊接封装的影响、AuSn焊料真空焊接封装炉温曲线... 介绍了半导体金锡(AuSn)焊料焊接封装的影响因素:焊接气氛、镀金层、焊料,在低温真空焊接封装的基础上,重点探讨了AuSn焊料真空钎焊封装的影响因素、AuSn焊料本身的组分比及其浸润性等对焊接封装的影响、AuSn焊料真空焊接封装炉温曲线设置及焊接温度和时间的正交实验、AuSn焊料真空焊接封装中真空度的影响因素、真空度对焊接质量的影响、AuSn焊料真空焊接封装中还原气体的作用及有无通入还原气体的焊接封装对比实验等,并通过真空、炉温和还原气体等方面所作的相应工艺实验,对相关工艺技术问题进行了深入研究。基于大量的AuSn焊料真空焊接封装实验及理论分析,给出了最优化工艺条件解决方案。 展开更多
关键词 ausn焊料 真空 还原气体
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采用金锡合金的气密性封装工艺研究 被引量:21
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作者 姚立华 吴礼群 +3 位作者 蔡昱 徐波 胡进 张巍 《电子工艺技术》 2010年第5期267-270,共4页
根据功率器件的气密性封装要求,设计了完整的金锡封焊工艺方法和流程,研究了工艺中的技术难点,提出了确保封装工艺稳定性和可靠性的技术要点。实验选用Au80Sn20预成型焊环作为封接材料对器件进行气密性封装。通过大量试验得出了最佳工... 根据功率器件的气密性封装要求,设计了完整的金锡封焊工艺方法和流程,研究了工艺中的技术难点,提出了确保封装工艺稳定性和可靠性的技术要点。实验选用Au80Sn20预成型焊环作为封接材料对器件进行气密性封装。通过大量试验得出了最佳工艺曲线(包括温度、时间、气氛和压力等)。密封后的产品在经受各项环境试验和机械试验后,其结构完整性、电学特性、机械牢固性和封装气密性均能很好地满足要求,证明了采用倒置型装配的金锡封焊工艺的可行性及优越性。 展开更多
关键词 金锡焊料 气密性封装 钎焊 倒置型装配
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Au-Sn焊点异质界面的耦合反应及其对力学性能的影响
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作者 朱学卫 韦小凤 +2 位作者 黄玉祥 卫启哲 程小利 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期821-828,共8页
为了探讨Au-Sn异质焊点耦合界面反应对界面IMC层生长行为及焊点力学性能的影响,采用回流焊技术制备Ni/AuSn/Ni和Cu/AuSn/Ni三明治结构焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)与能谱分析(EDS)研究焊点在钎焊与老化退火中的组织演变。研究结果表明... 为了探讨Au-Sn异质焊点耦合界面反应对界面IMC层生长行为及焊点力学性能的影响,采用回流焊技术制备Ni/AuSn/Ni和Cu/AuSn/Ni三明治结构焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)与能谱分析(EDS)研究焊点在钎焊与老化退火中的组织演变。研究结果表明:在钎焊中Ni-Ni焊点的Au Sn/Ni界面形成(Ni,Au)_3Sn_2金属间化合物(IMC)层,而Cu-Ni焊点的AuSn/Ni界面形成(Ni,Au,Cu)_3Sn_2四元IMC层,表明钎焊过程中上界面的Cu原子穿过Au Sn焊料到达Ni界面参与耦合反应。在老化退火中,界面IMC层的厚度l随退火时间t延长而逐渐增大,其生长规律符合扩散控制机制的关系式:l=k(t/t_0)~n。在160℃和200℃退火时,(Ni,Au)_3Sn_2层的生长以晶界扩散和体积扩散为主。由于Cu原子的耦合作用,(Ni,Au,Cu)_3Sn_2层的生长以反应扩散为主。Cu-Ni异质界面焊点中,Cu的耦合作用抑制了Au Sn/Ni界面(Ni,Au,Cu)_3Sn_2IMC层的生长,减缓了焊点剪切强度的下降速度,有利于提高焊点的可靠性。 展开更多
关键词 ausn 焊点 异质界面 耦合反应 界面金属间化合物(IMC) 生长行为
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光纤定位激光钎焊键合过程中钎料与镀层的界面反应
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作者 阎勃晗 张威 王春青 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期174-177,共4页
光电子封装中,光导纤维的定位键合是一项关键技术,并且焊点界面处的显微组织对于焊点的可靠性有重要影响.本文选用80Au20Sn和52In48Sn钎料实现了激光钎焊条件下的光纤键合,采用扫描电子显微镜及能谱分析的方法对于两种钎料分别与硅片上... 光电子封装中,光导纤维的定位键合是一项关键技术,并且焊点界面处的显微组织对于焊点的可靠性有重要影响.本文选用80Au20Sn和52In48Sn钎料实现了激光钎焊条件下的光纤键合,采用扫描电子显微镜及能谱分析的方法对于两种钎料分别与硅片上的Au/Ti镀层和光纤上的Au/Ni镀层反应形成的界面微观组织形态及形成规律进行了分析.结果表明:对于80Au20Sn钎料,除了共晶组织ζ相+δ相,在AuSn/Au/Ti镀层界面形成了大量枝状的先共晶ζ相,在AuSn/Au/Ni镀层界面形成了针状的(Au,Ni)3Sn2;对于52In48Sn钎料,在InSn/Au/Ti镀层界面形成了连续层状的Au(In,Sn)2,随着输入能量的增加,其逐渐转变为不连续的块状化合物AuIn2,在熔融钎料流的作用下部分AuIn2脱离界面进入钎料中,在InSn/Au/Ni镀层界面形成了一层极薄的Au(In,Sn)2. 展开更多
关键词 光纤定位 ausn钎料 InSn钎料 界面组织
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功率器件镀金管壳发黑现象分析 被引量:2
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作者 蒋庆磊 王燕清 +2 位作者 林元载 杨海华 李赛鹏 《电子工艺技术》 2020年第2期80-82,90,共4页
针对一种高功率器件在使用过程中镀金管壳底部发黑的问题,采用光学检查、扫描电镜、能谱分析以及XRD分析等手段对底部发黑区域的形貌、组成以及物质等进行分析和讨论。试验结果表明,功率器件装焊过程中流入的助焊剂导致底部发黑,黑色区... 针对一种高功率器件在使用过程中镀金管壳底部发黑的问题,采用光学检查、扫描电镜、能谱分析以及XRD分析等手段对底部发黑区域的形貌、组成以及物质等进行分析和讨论。试验结果表明,功率器件装焊过程中流入的助焊剂导致底部发黑,黑色区域主要包括AuSn、Au、Sn以及CHO类物质,在温度和助焊剂的作用下,Sn通过晶界扩散的方式向管壳底部的Au中快速扩散,形成了AuSn金属间化合物。增加功率器件搪锡后及安装前清洗工序以及优化焊接后的清洗要求,可有效避免发黑现象的出现。 展开更多
关键词 功率器件 镀金 助焊剂 金锡 扩散 金属间化合物
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双辊甩带制备Au-20%Sn焊料及其均匀化退火工艺 被引量:3
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作者 刘锐 王日初 +1 位作者 韦小凤 彭健 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期4021-4027,共7页
采用双辊甩带技术制备Au-20%Sn焊料薄带材,观察和分析快速凝固Au-20%Sn焊料薄带的显微组织以及熔融特性,并研究合金的均匀化退火工艺。研究结果表明:双辊甩带合金由ζ′(An5Sn)和δ(Au Sn)两相组成,显微组织细小。合金的熔化温度接近共... 采用双辊甩带技术制备Au-20%Sn焊料薄带材,观察和分析快速凝固Au-20%Sn焊料薄带的显微组织以及熔融特性,并研究合金的均匀化退火工艺。研究结果表明:双辊甩带合金由ζ′(An5Sn)和δ(Au Sn)两相组成,显微组织细小。合金的熔化温度接近共晶点,满足焊料的熔点要求。均匀化退火过程中,δ(Au Sn)相逐渐长大,合金的硬度降低。根据薄带的组织和硬度,确定均匀化退火工艺为260℃下退火4 h。 展开更多
关键词 双辊法 金锡焊料 均匀化退火
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管式炉中半导体激光器巴条Au80Sn20焊料封装研究 被引量:2
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作者 袁庆贺 张秋月 +3 位作者 井红旗 仲莉 刘素平 马骁宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期231-237,共7页
为了提高半导体激光器的封装质量和效率,引入管式炉利用夹具进行批量封装。由于封装质量的好坏直接影响半导体激光器的输出特性和使用寿命,利用MOCVD生长808 nm芯片,重点分析了管式炉温度和封装时间对半导体激光器巴条双面金锡封装质量... 为了提高半导体激光器的封装质量和效率,引入管式炉利用夹具进行批量封装。由于封装质量的好坏直接影响半导体激光器的输出特性和使用寿命,利用MOCVD生长808 nm芯片,重点分析了管式炉温度和封装时间对半导体激光器巴条双面金锡封装质量的影响。利用X射线检测、结电压、光电特性参数和smile效应测试手段,确定了管式炉封装半导体激光器巴条的最优封装条件,为以后的产业化提供了指导意义。 展开更多
关键词 半导体激光器 巴条 金锡焊料 X射线检测 smile效应
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红外探测器高精度低温钎焊引线环设计 被引量:1
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作者 赵璨 杨斌 +2 位作者 刘森 卢加涛 李硕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1360-1363,共4页
针对制冷型红外探测器引线环高精度定位的需求,本文设计了一种低温钎焊引线环,研究了引线环的制备工艺。选取具有高强度、低熔点的金锡钎料,在350℃以下焊接引线环的金属件与陶瓷件。通过研究钎焊温度和保温时间对焊缝质量与漏率的影响... 针对制冷型红外探测器引线环高精度定位的需求,本文设计了一种低温钎焊引线环,研究了引线环的制备工艺。选取具有高强度、低熔点的金锡钎料,在350℃以下焊接引线环的金属件与陶瓷件。通过研究钎焊温度和保温时间对焊缝质量与漏率的影响,成功制备了具有高气密性的高精度引线环。 展开更多
关键词 红外探测器 引线环 低温钎焊 金锡钎料
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真空炉金锡封焊 被引量:2
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作者 刘艳 徐骁 +1 位作者 陈洁民 陈凯 《电子与封装》 2012年第10期1-2,13,共3页
文章在介绍半导体金锡焊料封装工艺的基础上,重点对金锡焊料、炉温曲线设置等工艺技术问题进行了深入研究。基于大量的金锡焊料真空焊接封装实验及理论分析,研究了器件气密封装技术。讨论了封焊夹具、管帽镀层、合金状态、封接面表面、... 文章在介绍半导体金锡焊料封装工艺的基础上,重点对金锡焊料、炉温曲线设置等工艺技术问题进行了深入研究。基于大量的金锡焊料真空焊接封装实验及理论分析,研究了器件气密封装技术。讨论了封焊夹具、管帽镀层、合金状态、封接面表面、压块、焊料厚度以及加热程序对焊接质量的影响。密封后的产品在经过环境试验和机械试验考核后,封装气密性能很好地满足要求。并且结合应用背景证明了所采用的合金及封装工艺的可行性。 展开更多
关键词 金锡焊料 真空 炉温曲线
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金锡焊料及其在电子器件封装领域中的应用 被引量:66
13
作者 周涛 汤姆.鲍勃 +1 位作者 马丁.奥德 贾松良 《电子与封装》 2005年第8期5-8,共4页
本文介绍了Au80%Sn20%焊料的基本物理性能。同时介绍了这种焊料在微电子、光电子封装中的应用。
关键词 金锡合金 微电子 光电子 封装
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