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硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C（B）／n-Si 异质结光伏特性
被引量：
2
1
作者
周之斌
杜先智
+2 位作者
张亚增
杨峰
崔容强
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期197-200,共4页
采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５—１０Ωｃｍ。俄歇（Ａｕｇｅｒ）电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜（ＳＥＭ）和激光喇曼（Ｒａｍａｎ）谱分析可知，...
采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５—１０Ωｃｍ。俄歇（Ａｕｇｅｒ）电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜（ＳＥＭ）和激光喇曼（Ｒａｍａｎ）谱分析可知，薄膜以非晶为主，观察到许多线径为０．５—１．０μｍ的金刚石结晶微粒。制备成Ａｕ／Ｃ（Ｂ）／ｎ－Ｓｉ异质结，其开路电压Ｖｏｃ＝５８０ｍＶ，短路电流密度为６５０μＡｃｍ－２，获得暗Ｉ－Ｖ整流特性和光照Ｉ－Ｖ工作曲线。
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关键词
类金刚石薄膜
异质结
光伏特性
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职称材料
基于金硅原电池保护电容加速度计的制作
2
作者
王辉
吴燕红
杨恒
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2012年第1期133-136,共4页
提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池...
提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池保护实现梁和表面极板的保护。在TMAH腐蚀完成前,反镕丝保持断开状态,腐蚀完成后,击穿反镕丝形成导通状态。通过测量金和硅的极化曲线得到60℃25%TMAH中实现原电池保护的金硅面积比不小于5∶1。成功制作成电容式加速度计结构,释放前后梁宽度均在9.4～10μm范围内,表明原电池保护有效。击穿后反熔丝并联导通电阻为5～25 kΩ之间。
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关键词
电容加速度计
金硅原电池
反熔丝
腐蚀自停止
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职称材料
题名
硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C（B）／n-Si 异质结光伏特性
被引量：
2
1
作者
周之斌
杜先智
张亚增
杨峰
崔容强
机构
安徽师范大学物理系
西安交通大学
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期197-200,共4页
文摘
采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５—１０Ωｃｍ。俄歇（Ａｕｇｅｒ）电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜（ＳＥＭ）和激光喇曼（Ｒａｍａｎ）谱分析可知，薄膜以非晶为主，观察到许多线径为０．５—１．０μｍ的金刚石结晶微粒。制备成Ａｕ／Ｃ（Ｂ）／ｎ－Ｓｉ异质结，其开路电压Ｖｏｃ＝５８０ｍＶ，短路电流密度为６５０μＡｃｍ－２，获得暗Ｉ－Ｖ整流特性和光照Ｉ－Ｖ工作曲线。
关键词
类金刚石薄膜
异质结
光伏特性
Keywords
B-doping diamond-like carbon films,DC arc PCVD,
au/
C(B)/n-
si
heterojunction solar
cell
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于金硅原电池保护电容加速度计的制作
2
作者
王辉
吴燕红
杨恒
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2012年第1期133-136,共4页
文摘
提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池保护实现梁和表面极板的保护。在TMAH腐蚀完成前,反镕丝保持断开状态,腐蚀完成后,击穿反镕丝形成导通状态。通过测量金和硅的极化曲线得到60℃25%TMAH中实现原电池保护的金硅面积比不小于5∶1。成功制作成电容式加速度计结构,释放前后梁宽度均在9.4～10μm范围内,表明原电池保护有效。击穿后反熔丝并联导通电阻为5～25 kΩ之间。
关键词
电容加速度计
金硅原电池
反熔丝
腐蚀自停止
Keywords
capacitive accelerometer
au/si galvanic cell
antifuse
etch-stop
分类号
TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C（B）／n-Si 异质结光伏特性
周之斌
杜先智
张亚增
杨峰
崔容强
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于金硅原电池保护电容加速度计的制作
王辉
吴燕红
杨恒
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2012
0
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职称材料
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