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直流电场作用下Au吸附Si(111)表面Ag薄膜的电迁移和相变
被引量：
1
1
作者
时方晓
《沈阳建筑大学学报（自然科学版）》
CAS
2008年第6期1014-1019,共6页
目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用...
目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用扫描电镜和反射高能电子衍射原位动态分析了Ag在外电场下的电迁移和相变过程.结果在清洁的和Au吸附的Si(111)表面Ag均向负极方向迁移,但迁移速率和扩展能力有显著差异,Au覆盖度及相应的表面吸附结构类型是电迁移的控制因素;在(5×2+α-3^(1/2)×3^(1/2))混合结构表面上迁移扩散达到峰值,而由3^(1/2)×3^(1/2)-(Ag+Au)向(21)^(1/2)×(21)^(1/2)-(Ag+Au)的相转变在Ag薄膜的电迁移过程中起决定作用.结论半导体表面金属薄膜的电迁移具有结构敏感性,覆盖度低于单原子层的Au可作为调控Ag薄膜电迁移动力学的有效手段.
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关键词
直流电场
相变
Ag薄膜
au/
si
(
111
)吸附表面
电迁移
结构敏感性
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职称材料
Si｛111｝的吸附表面结构
被引量：
2
2
作者
关荣敏
蓝田
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期427-432,共6页
利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Ｓｉ｛１１１｝表面的表面结构。结果显示出：对Ａｌ、Ｇａ、Ｂｉ和Ａｕ原子，形成α－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ或β－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ结构的共价...
利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Ｓｉ｛１１１｝表面的表面结构。结果显示出：对Ａｌ、Ｇａ、Ｂｉ和Ａｕ原子，形成α－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ或β－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ结构的共价吸附。对Ｌｉ、Ｎａ和Ａｇ原子，形成正离子吸附，全部经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝１×３重构。对Ｔｅ原子，形成负离子吸附，经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝类（１×１）结构。
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关键词
金属
非金属
LEED谱
吸附表面结构
硅表面
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职称材料
题名
直流电场作用下Au吸附Si(111)表面Ag薄膜的电迁移和相变
被引量：
1
1
作者
时方晓
机构
沈阳建筑大学材料科学与工程学院
日本东京大学物理系
出处
《沈阳建筑大学学报（自然科学版）》
CAS
2008年第6期1014-1019,共6页
基金
日本文部科学省基金项目(09NP1201)
辽宁省教育厅基金项目(2008593)
文摘
目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用扫描电镜和反射高能电子衍射原位动态分析了Ag在外电场下的电迁移和相变过程.结果在清洁的和Au吸附的Si(111)表面Ag均向负极方向迁移,但迁移速率和扩展能力有显著差异,Au覆盖度及相应的表面吸附结构类型是电迁移的控制因素;在(5×2+α-3^(1/2)×3^(1/2))混合结构表面上迁移扩散达到峰值,而由3^(1/2)×3^(1/2)-(Ag+Au)向(21)^(1/2)×(21)^(1/2)-(Ag+Au)的相转变在Ag薄膜的电迁移过程中起决定作用.结论半导体表面金属薄膜的电迁移具有结构敏感性,覆盖度低于单原子层的Au可作为调控Ag薄膜电迁移动力学的有效手段.
关键词
直流电场
相变
Ag薄膜
au/
si
(
111
)吸附表面
电迁移
结构敏感性
Keywords
DC electric field
phase tran
si
tion
si
lver layer
au/si （ 111 ） adsorbed surface
electromigration
structure sen
si
tivity
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Si｛111｝的吸附表面结构
被引量：
2
2
作者
关荣敏
蓝田
机构
成都电子科技大学化学系
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期427-432,共6页
文摘
利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Ｓｉ｛１１１｝表面的表面结构。结果显示出：对Ａｌ、Ｇａ、Ｂｉ和Ａｕ原子，形成α－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ或β－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ结构的共价吸附。对Ｌｉ、Ｎａ和Ａｇ原子，形成正离子吸附，全部经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝１×３重构。对Ｔｅ原子，形成负离子吸附，经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝类（１×１）结构。
关键词
金属
非金属
LEED谱
吸附表面结构
硅表面
Keywords
si
{111}
surface
adsorbed
metals and non-metals LEED spectra
分类号
O647.3 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直流电场作用下Au吸附Si(111)表面Ag薄膜的电迁移和相变
时方晓
《沈阳建筑大学学报（自然科学版）》
CAS
2008
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Si｛111｝的吸附表面结构
关荣敏
蓝田
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1997
2
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职称材料
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参考文献
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