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直流电场作用下Au吸附Si(111)表面Ag薄膜的电迁移和相变 被引量：1
1
作者 时方晓 《沈阳建筑大学学报（自然科学版）》 CAS 2008年第6期1014-1019,共6页
目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用... 目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用扫描电镜和反射高能电子衍射原位动态分析了Ag在外电场下的电迁移和相变过程.结果在清洁的和Au吸附的Si(111)表面Ag均向负极方向迁移,但迁移速率和扩展能力有显著差异,Au覆盖度及相应的表面吸附结构类型是电迁移的控制因素;在(5×2+α-3^(1/2)×3^(1/2))混合结构表面上迁移扩散达到峰值,而由3^(1/2)×3^(1/2)-(Ag+Au)向(21)^(1/2)×(21)^(1/2)-(Ag+Au)的相转变在Ag薄膜的电迁移过程中起决定作用.结论半导体表面金属薄膜的电迁移具有结构敏感性,覆盖度低于单原子层的Au可作为调控Ag薄膜电迁移动力学的有效手段. 展开更多
关键词 直流电场 相变 ag薄膜 Au/si(111)吸附表面 电迁移 结构敏感性
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Mg、Si含量对Al-Cu-Mg-Ag-Si合金析出相的影响 被引量：2
2
作者 胡奇 郭一鸣 +3 位作者 章立钢 刘立斌 杨佳琳 高畅 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第1期143-146,共4页
研究了Mg、Si元素含量对Al-Cu-Mg-Ag-Si合金实际析出相种类及性能的影响。结果表明,Al-Cu-Mg-Ag-Si合金中高Mg含Si合金析出了大量S相和粗大的第二相;低Mg低Si合金中析出了常见的θ相和Ω相;低Mg含Si合金中出现了6系铝合金中常见的σ相... 研究了Mg、Si元素含量对Al-Cu-Mg-Ag-Si合金实际析出相种类及性能的影响。结果表明,Al-Cu-Mg-Ag-Si合金中高Mg含Si合金析出了大量S相和粗大的第二相;低Mg低Si合金中析出了常见的θ相和Ω相;低Mg含Si合金中出现了6系铝合金中常见的σ相和β″相等多种析出相,且具有非常细小弥散的θ相,为合金提供了良好的强化效果。Si和Mg的存在均极大地改变了合金的析出序列,无法通过增加Mg含量抵消Si的作用。Si的加入显著抑制了Ω相的析出,而大幅增加Mg含量则会促进S相的析出。 展开更多
关键词 铝合金 AL-CU-MG-ag 析出相 硅元素 镁元素
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利用STM研究Ag粒子在Si(111)7×7重构表面的生长 被引量：1
3
作者 柏亚军 申自勇 +2 位作者 侯士敏 赵兴钰 薛增泉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期411-414,共4页
利用超高真空扫描隧道显微镜 (UHVSTM)研究了室温条件下沉积在Si(111) 7× 7重构表面不同覆盖度的Ag粒子。实验结果表明 ,低覆盖度时的Ag粒子主要有A、B两种类型 ,其中A型Ag粒子呈环状结构 ,最小的A型Ag粒子由 3个Ag原子组成 ;而B... 利用超高真空扫描隧道显微镜 (UHVSTM)研究了室温条件下沉积在Si(111) 7× 7重构表面不同覆盖度的Ag粒子。实验结果表明 ,低覆盖度时的Ag粒子主要有A、B两种类型 ,其中A型Ag粒子呈环状结构 ,最小的A型Ag粒子由 3个Ag原子组成 ;而B型Ag粒子则是由两层Ag原子构成。高覆盖度时Ag粒子的生长过程为层岛混合生长 (Stranski Krastanov)模式。本文还研究了不同蒸发速率对Ag原子成核的影响 ,发现在高蒸发速率条件下Ag原子在Si(111) 7× 7重构表面更容易成核。 展开更多
关键词 粒子 原子 表面 成核 STM 室温条件 环状结构 si(111) 超高真空 扫描隧道显微镜
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Cu含量及时效温度对Al-Mg-Si-Cu合金晶间腐蚀的影响
4
作者 杜兴旺 王芝秀 +2 位作者 李海 王烨 黄超 《中国有色金属学报》 北大核心 2025年第5期1496-1510,共15页
采用硬度及晶间腐蚀测试、扫描电镜和透射电镜观察,研究了(180、200、220、240℃, 0~600 h)时效对Al-1.1Mg-1.2Si-xCu(x=0, 0.35, 0.7, 1.1,质量分数,%)四种合金晶间腐蚀(IGC)敏感性的影响。结果表明:Cu含量为0的合金在不同时效温度下... 采用硬度及晶间腐蚀测试、扫描电镜和透射电镜观察,研究了(180、200、220、240℃, 0~600 h)时效对Al-1.1Mg-1.2Si-xCu(x=0, 0.35, 0.7, 1.1,质量分数,%)四种合金晶间腐蚀(IGC)敏感性的影响。结果表明:Cu含量为0的合金在不同时效温度下始终发生均匀腐蚀(UC),而Cu含量为0.35%、0.7%的合金发生IGC→UC的转变;相比之下,Cu含量为1.1%的合金在180、200、220℃时效时只发生IGC,但在240℃时效时,腐蚀类型发生IGC→UC→IGC→UC的转变。Cu含量为0的合金始终无IGC敏感性,源于晶界β相不能作为稳定阳极与PFZ形成腐蚀微电池。Cu含量为0.35%、0.7%的合金发生IGC→UC的转变,与短路扩散控制的粗化过程主导晶界Q相产生连续→断续的分布特征有关。Cu含量为1.1%的合金在较低温度时效时只发生IGC,源于析出相数量多且Q相粗化过程缓慢;该合金在较高温度时效时发生IGC→UC→IGC→UC的转变,与晶界Q相粗化和长大过程同步发生、先后主导有关。 展开更多
关键词 AL-MG-si-CU合金 CU含量 时效 晶间腐蚀 均匀腐蚀
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强化固溶对Al-Mg-Si-Sn合金时效行为的影响
5
作者 柳旭 刘春辉 +2 位作者 马培培 湛利华 尹焯炀 《中南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期55-67,共13页
使用维氏显微硬度计、透射电子显微镜(TEM)研究固溶温度对Al-Mg-Si-Sn合金的时效硬化行为和微观结构的影响。研究结果表明:将固溶处理(ST)温度从560℃提高到590℃(强化固溶温度)显著延缓了Al-Mg-Si-Sn合金的自然时效(NA),合金固溶淬火后... 使用维氏显微硬度计、透射电子显微镜(TEM)研究固溶温度对Al-Mg-Si-Sn合金的时效硬化行为和微观结构的影响。研究结果表明:将固溶处理(ST)温度从560℃提高到590℃(强化固溶温度)显著延缓了Al-Mg-Si-Sn合金的自然时效(NA),合金固溶淬火后,自然时效硬度峰值时间从3 d延缓到13 d,然而,强化固溶没有明显改变人工时效(AA)样品的峰时效态析出相的尺寸和峰值硬度;空位占比大于1的Sn-空位复合体更加稳定,说明强化固溶通过同时提高空位浓度和Sn的溶解度,增强Sn元素对空位的束缚,从而延缓自然时效团簇的形成;人工时效强化相主要为在含Sn团簇上异质形核形成的β"/β'复合相;由于强化固溶只能略微增加Sn的溶解度,因此,对峰值时效析出的影响很小;Sn元素的不同作用机制导致强化固溶对自然时效和人工时效产生不同影响。 展开更多
关键词 AL-MG-si合金 固溶处理 Sn元素 自然时效 时效析出
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双级时效对铸造Al-Si-Mg-Cu合金微观组织和力学性能的影响
6
作者 朱聪聪 何家威 +2 位作者 耿汝伟 董瑞煌 高文理 《湖南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期186-194,共9页
采用扫描电镜、透射电镜和室温拉伸测试研究了双级时效工艺对铸造Al-Si-MgCu合金微观组织和力学性能的影响.本研究采用的双级时效制度是低温预时效和高温终时效.结果表明:合金在低温预时效阶段会形成更多析出形核点,经高温终时效后,合... 采用扫描电镜、透射电镜和室温拉伸测试研究了双级时效工艺对铸造Al-Si-MgCu合金微观组织和力学性能的影响.本研究采用的双级时效制度是低温预时效和高温终时效.结果表明:合金在低温预时效阶段会形成更多析出形核点,经高温终时效后,合金中析出更多的θ′′相并有β′′相析出.当预时效制度为155℃/8 h时,随着终时效温度的升高,合金内θ′′相的尺寸逐渐增大,β′′相形貌变化并不明显,合金的抗拉强度随着终时效温度的升高呈先上升后下降的趋势,合金的延伸率随着终时效温度的升高呈显著下降的趋势,165℃为合金较好的终时效温度;当双级时效制度为155℃/x h+165℃/2 h时,随着预时效时间的增加,合金中θ′′相和β′′相的数量逐渐增多;当双级时效制度为155℃/8 h+165℃/x h时,随着终时效时间的增加,θ′′相的尺寸呈逐渐增大的趋势,在终时效时间为8 h之前,合金中β′′相的数量和尺寸并没有明显变化,继续延长终时效时间β′′相也开始长大.通过优化双级时效工艺,可实现θ′′相与β′′相的双析出相强化,经过155℃/8 h+165℃/2 h双级时效后的抗拉强度最高可达380 MPa,经过155℃/8 h+165℃/8 h双级时效后的断后延伸率提高至3.4%. 展开更多
关键词 铸造Al-si-Mg-Cu合金 双级时效 析出相 力学性能
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深冷循环分级时效对Cu-Ni-Co-Si合金性能及析出行为的影响
7
作者 魏翔 李佳靖 +5 位作者 孙浩 杨瑶琦 张冬依 郑济森 孙栋 张峻嘉 《材料与冶金学报》 北大核心 2025年第4期403-412,共10页
利用XRD,SEM,TEM,导电和力学性能检测等手段,系统研究了冷轧态Cu-1.8Ni-0.7Co-0.6Si合金(质量分数,%)深冷循环分级时效处理后组织与性能的变化.结果表明:深冷处理可以促进循环后高温时效过程中(Ni, Co)_(2)Si相的形核,使析出相尺寸呈与... 利用XRD,SEM,TEM,导电和力学性能检测等手段,系统研究了冷轧态Cu-1.8Ni-0.7Co-0.6Si合金(质量分数,%)深冷循环分级时效处理后组织与性能的变化.结果表明:深冷处理可以促进循环后高温时效过程中(Ni, Co)_(2)Si相的形核,使析出相尺寸呈与循环次数相关的多尺度梯度分布;分级时效可以充分挖掘合金的析出潜力,使析出更加彻底.深冷循环分级时效处理后,合金展现出了优异的综合性能,硬度(HV)为254.73,抗拉强度为791.6 MPa,电导率为48.5%IACS(国际退火铜标准). 展开更多
关键词 Cu-Ni-Co-si合金 深冷循环分级时效 析出强化 组织与性能
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微量Si和Ag对低Cu/Mg比Al-Cu-Mg合金时效行为及微观组织结构演化的影响 被引量：11
8
作者 王诗勇 陈志国 +2 位作者 李世晨 杨文玲 郑子樵 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1902-1907,共6页
采用计算机模拟与透射电镜相结合研究微量Si和Ag对低Cu/Mg比Al-Cu-Mg合金时效行为和微观组织结构演变的影响。结果表明:微量Si和Ag的添加改变了该合金的时效析出过程,显著增强了合金的时效硬化效应。微量Si的存在导致了合金时效早期Mg... 采用计算机模拟与透射电镜相结合研究微量Si和Ag对低Cu/Mg比Al-Cu-Mg合金时效行为和微观组织结构演变的影响。结果表明:微量Si和Ag的添加改变了该合金的时效析出过程,显著增强了合金的时效硬化效应。微量Si的存在导致了合金时效早期Mg原子团簇、Cu-Mg原子团簇弥散化,而微量Ag的添加导致形成大量Mg-Ag原子团簇。微量Si和Ag极大地改变了合金时效早期的原子团簇化过程从而导致了时效过程中微观组织结构的不同演化过程。 展开更多
关键词 铝合金 时效 微观结构 si ag
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Ag 在 Si 表面吸附的第一性原理研究 被引量：2
9
作者 张苗 侯贤华 +3 位作者 王基蕴 赵灵智 胡社军 汝强 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2014年第5期49-53,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算优化了Ag原子在硅惯习面Si(111)和Si(220)晶面的最佳吸附位置,并计算了Ag/Si(111)和Ag/Si(220)体系的表面吸附能和表面态电子结构.研究表明:Si基表面Ag原子的最稳定吸附居于Si(220)... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算优化了Ag原子在硅惯习面Si(111)和Si(220)晶面的最佳吸附位置,并计算了Ag/Si(111)和Ag/Si(220)体系的表面吸附能和表面态电子结构.研究表明:Si基表面Ag原子的最稳定吸附居于Si(220)晶面的穴位,此时的吸附能最低,其值为5.256 9 eV,属于强化学吸附;同时由于在Ag/Si(220)体系中,Ag-4d轨道和表面态Si-3s、3p轨道电子的强相互作用,以及Ag-4p轨道的电子云强偏向于Si-3s、3p轨道使得体系的能隙宽度变窄,导电性急剧增大. 展开更多
关键词 表面吸附 ag/si(111) ag/si(220) 第一性原理
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表面台阶对超高真空下Si(111)基片表面银原子吸附与重构的影响 被引量：2
10
作者 邓冬梅 于新彪 +2 位作者 曹世勋 白丽华 张金仓 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期775-779,共5页
利用真空蒸发技术制备出了良好的Si(111)-3×3-Ag和Si(111)-3×1-Ag重构表面。通过低能电子衍射法和光学表面二次谐波法研究了两种类型切割角的单晶硅基片在超高真空银蒸镀过程中表面结构随衬底温度和蒸镀量的变化情况。vicina... 利用真空蒸发技术制备出了良好的Si(111)-3×3-Ag和Si(111)-3×1-Ag重构表面。通过低能电子衍射法和光学表面二次谐波法研究了两种类型切割角的单晶硅基片在超高真空银蒸镀过程中表面结构随衬底温度和蒸镀量的变化情况。vicinal样品产生的弱SinPout信号表明表面台阶的存在对Si(111)-3×3-Ag表面的成核生长过程有显著影响。低能电子衍射图片显示,500℃以上的高温下两种基片表面所形成的Si(111)-3×1-Ag重构分别为类单畴和三畴结构。类单畴和三畴结构Si(111)-3×1-Ag的光学表面二次谐波SinSout信号的一致性可能揭示了Si(111)-3×1-Ag结构中孪畴结构的存在。 展开更多
关键词 表面台阶 表面重构 si(111)-3×3-ag si(111)-3×1-ag 表面二次谐波法
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Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长 被引量：3
11
作者 胡加辉 朱军山 +4 位作者 冯玉春 张建宝 李忠辉 郭宝平 徐岳生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期517-520,i0002,共5页
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致... 利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。 展开更多
关键词 氮化镓 si(111) 金属有机化学气相沉积 双晶X射线衍射
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Ag／Si-NPA基底上共吸附R6G和CV的表面增强拉曼散射 被引量：6
12
作者 王永强 王海燕 +1 位作者 马省 李新建 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1306-1311,共6页
以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为基底,采用浸渍沉积技术制备了具有较高表面增强拉曼散射(SERS)活性的Ag/Si-NPA衬底,并采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其表面形貌和结构进行了表征.在此基础上,选择罗丹明6G(R6G)和结晶紫(CV)2种生物... 以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为基底,采用浸渍沉积技术制备了具有较高表面增强拉曼散射(SERS)活性的Ag/Si-NPA衬底,并采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其表面形貌和结构进行了表征.在此基础上,选择罗丹明6G(R6G)和结晶紫(CV)2种生物染料分子并采用不同的混合吸附程序对其共吸附状态下的SERS光谱进行了探测.结果表明,当2种分子的溶液浓度均为10-7 mol/L时,无论采用何种浸渍吸附程序,其SERS谱中CV的特征拉曼峰都被R6G完全掩盖.对溶液采用错级配置(R6G和CV的浓度分别为10-9和10-7 mol/L)后,所测SERS谱上获得了分别对应于R6G和CV的分离良好、相对强度匹配、分辨率高的2个SERS特征峰组,从而有利于简化现实混合探测过程中对SERS特征峰的指认和判断. 展开更多
关键词 罗丹明6G 结晶紫 硅纳米孔柱阵列 ag/si—NPA 表面增强拉曼散射 共吸附
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SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究 被引量：3
13
作者 王科范 盛斌 +3 位作者 刘金锋 徐彭寿 潘海滨 韦世强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期358-361,366,共5页
Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化... Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点。在650℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成。 展开更多
关键词 GE量子点 siO2薄膜 si(111) 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(RHEED)
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Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长 被引量：5
14
作者 李利民 唐军 +4 位作者 康朝阳 潘国强 闫文盛 韦世强 徐彭寿 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期472-476,共5页
利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的... 利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的薄膜进行结构表征.RAMAN和NEXAFS结果表明:在800℃下制备的薄膜具有石墨烯的特征,而400、600和700℃生长的样品为非晶或多晶碳薄膜.RHEED和FTIR结果表明,沉积温度在600℃以下时C原子和衬底Si原子没有成键,而衬底温度提升到700℃以上,沉积的C原子会先和衬底Si原子反应形成SiC缓冲层,且在800℃沉积时缓冲层质量较好.因此在Si衬底上制备石墨烯薄膜需要较高的衬底温度和高质量的SiC缓冲层. 展开更多
关键词 固源分子束外延 si(111)衬底 石墨烯薄膜
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Si(111)基片上Mg_2Si薄膜的脉冲激光沉积 被引量：2
15
作者 杨梅君 王传彬 沈强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1112-1117,共6页
采用脉冲激光沉积方法在Si(111)基片上制备了Mg2Si薄膜。研究了激光能量密度、退火气氛及压强、退火温度、退火时间等工艺条件对Mg2Si薄膜生长的影响。用X射线衍射仪分析了Mg2Si薄膜的物相,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了... 采用脉冲激光沉积方法在Si(111)基片上制备了Mg2Si薄膜。研究了激光能量密度、退火气氛及压强、退火温度、退火时间等工艺条件对Mg2Si薄膜生长的影响。用X射线衍射仪分析了Mg2Si薄膜的物相,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明:在激光能量密度为2.36 J/cm2,Si(111)基片上室温、真空(真空度10-6Pa)条件下沉积,在Ar气压强为10 Pa,500℃,30 min条件下原位退火得到了纯相、结构均匀、表面平整、厚度约为900 nm的Mg2Si多晶薄膜。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 Mg2si薄膜 si(111)基片 多晶薄膜
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Au-Ag-Si钎料合金的初步研究 被引量：20
16
作者 莫文剑 王志法 +1 位作者 王海山 杨会娟 《贵金属》 CAS CSCD 2004年第4期45-51,共7页
针对目前熔点在450～500℃范围内的电子器件用钎料的空缺,通过分析Au-Ag-Si系三元相图,并根据其存在的共晶单变量线e1e2,制备了几种熔化温度在400～500℃的共晶钎料合金,并对其钎焊性和加工性能进行了初步的研究。DTA分析发现,合金的熔... 针对目前熔点在450～500℃范围内的电子器件用钎料的空缺,通过分析Au-Ag-Si系三元相图,并根据其存在的共晶单变量线e1e2,制备了几种熔化温度在400～500℃的共晶钎料合金,并对其钎焊性和加工性能进行了初步的研究。DTA分析发现,合金的熔点在所选定的合金成分范围内随Ag含量的增加而升高。此钎料与Ni板浸润性较好;将钎料合金铸锭热轧后表明该合金作为可加工的实用钎料是合适的。同时,初步探讨了Cu元素对于Au-Ag-Si系合金的熔化特性和塑性变形能力的影响,结果表明Cu对于改善合金的加工性能和缩小固液相间距具有重要的意义。 展开更多
关键词 钎料 合金 共晶 塑性变形能 钎焊性 加工性能 热轧 可加工 熔点 三元相图
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C_(60)在Ag(111)表面的STM图像理论模拟 被引量：1
17
作者 李群祥 杨金龙 +1 位作者 李永庆 汪克林 《电子显微学报》 CAS CSCD 1999年第1期1-5,共5页
本文利用离散变分和局域密度泛函（ＤＶ－ＬＤＦ）方法，通过计算Ｃ６０／Ａｇ（１１１）的电荷密度分布图，即模拟出该体系的ＳＴＭ图像，并详细地研究了体系的电子结构。结果表明该体系中有２．３２ｅ自金属表面Ａｇ原子向Ｃ６０转移... 本文利用离散变分和局域密度泛函（ＤＶ－ＬＤＦ）方法，通过计算Ｃ６０／Ａｇ（１１１）的电荷密度分布图，即模拟出该体系的ＳＴＭ图像，并详细地研究了体系的电子结构。结果表明该体系中有２．３２ｅ自金属表面Ａｇ原子向Ｃ６０转移。外电场的极性对图像影响很大，在正偏压情形，ＬＵＭＯ电荷密度分布图为三个五边形围成而呈三叶状，反映的是体系中吸附分子的对称性，且隧道电流主要来自单键。而ＨＯＭＯ电荷密度分布图具有三重对称性。这与实验上观测的ＳＴＭ图像定性上一致。 展开更多
关键词 图像模拟 电子结构 ag(111)表面 碳60 STM
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Au-Ag-Si系钎料合金与Ni的润湿性 被引量：9
18
作者 崔大田 王志法 +1 位作者 莫文剑 姜国圣 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期36-40,共5页
通过分析相图,采用中频感应真空熔炼制成液相点温度在450～500℃之间Au-10．22Ag-3．25Si, Au-14．02Ag-3．28Si和Au-18．47Ag-3．27Si 3种不同成分的Au-Ag-Si系钎料合金。分别在其液相点以上20,40和60℃及流动氢气保护下进行钎料在Ni... 通过分析相图,采用中频感应真空熔炼制成液相点温度在450～500℃之间Au-10．22Ag-3．25Si, Au-14．02Ag-3．28Si和Au-18．47Ag-3．27Si 3种不同成分的Au-Ag-Si系钎料合金。分别在其液相点以上20,40和60℃及流动氢气保护下进行钎料在Ni板上的铺展试验,通过分析铺展面积及润湿角,研究其与Ni的润湿性;采用背散射电子相观察钎料与Ni润湿后的界面组织。研究结果表明:Au-Ag-Si系钎料合金与Ni润湿性良好,随着钎焊温度的增加,铺展面积增加,浸润角减小;钎料合金与Ni润湿后,出现润湿环现象;润湿环主要由Au元素组成;钎料与Ni润湿后,在界面处形成Ni3Si金属间化合物,Ni3Si的形成在一定程度上可提高钎料焊接强度。 展开更多
关键词 Au-ag-si 钎料 润湿性 润湿环 NI3si
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Au-Ag-Si钎料薄带加工工艺的研究 被引量：5
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作者 莫文剑 王志法 崔大田 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2005年第1期19-20,共2页
根据Au-Ag-Si系三元相图制定了熔化温度在450～500℃的共晶钎料合金,针对该共晶合金的难加工性,对其加工工艺进行了研究。结果表明:采用二次熔炼铜模浇铸的铸锭方式可以获得均匀、细小的共晶组织;组织组成为α初晶+(α+β)共晶的亚共晶... 根据Au-Ag-Si系三元相图制定了熔化温度在450～500℃的共晶钎料合金,针对该共晶合金的难加工性,对其加工工艺进行了研究。结果表明:采用二次熔炼铜模浇铸的铸锭方式可以获得均匀、细小的共晶组织;组织组成为α初晶+(α+β)共晶的亚共晶合金比α+β的共晶合金更有利于加工;采用先包覆Al热轧再进行冷轧结合中间退火的工艺可以制得厚度为0.1mm表面质量较好的钎料薄带。 展开更多
关键词 Au-ag-si 钎料 加工工艺 包覆轧制
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隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响——控电位下的Si(111)表面的STM诱导纳米刻蚀 被引量：3
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作者 谢兆雄 蔡雄伟 +2 位作者 施财辉 毛秉伟 田昭武 《电化学》 CAS CSCD 1997年第2期132-135,共4页
隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响①——控电位下的Ｓｉ（１１１）表面的ＳＴＭ诱导纳米刻蚀谢兆雄＊蔡雄伟施财辉毛秉伟田昭武（厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室物理化学研究所化学系厦门３６１００５）扫描隧道... 隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响①——控电位下的Ｓｉ（１１１）表面的ＳＴＭ诱导纳米刻蚀谢兆雄＊蔡雄伟施财辉毛秉伟田昭武（厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室物理化学研究所化学系厦门３６１００５）扫描隧道显微技术（ＳＴＭ）目前已成为纳米加... 展开更多
关键词 硅表面 局域场 STM 纳米加工 刻蚀 隧道电子
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