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A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析
被引量：
3
1
作者
陈贵楚
范广涵
+1 位作者
陈练辉
刘鲁
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期595-598,共4页
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光...
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。
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关键词
a1gainp
四元系材料
双异质结发光二极管
DH—LED
AL组分
铝镓铟磷材料
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职称材料
Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nm AlGaInP宽面半导体激光器
被引量：
4
2
作者
马德营
李佩旭
+5 位作者
夏伟
李树强
汤庆敏
张新
任忠祥
徐现刚
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期597-601,共5页
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000μm、条宽150μm的宽面半导体激光器。采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构...
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000μm、条宽150μm的宽面半导体激光器。采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD)。透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍。激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W。在热沉温度为20℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h。
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关键词
窗口结构
ZN扩散
热阻
ALGAINP
半导体激光器
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职称材料
题名
A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析
被引量：
3
1
作者
陈贵楚
范广涵
陈练辉
刘鲁
机构
华南师范大学光电子材料与技术研究所
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期595-598,共4页
基金
国家科技攻关计划基金资助(00-068)。
文摘
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。
关键词
a1gainp
四元系材料
双异质结发光二极管
DH—LED
AL组分
铝镓铟磷材料
Keywords
AlGaInP
LED
Al composition
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nm AlGaInP宽面半导体激光器
被引量：
4
2
作者
马德营
李佩旭
夏伟
李树强
汤庆敏
张新
任忠祥
徐现刚
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
山东大学信息科学与工程学院
山东华光光电子有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期597-601,共5页
文摘
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000μm、条宽150μm的宽面半导体激光器。采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD)。透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍。激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W。在热沉温度为20℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h。
关键词
窗口结构
ZN扩散
热阻
ALGAINP
半导体激光器
Keywords
window-structure
Zn diffusion
thermal resistance
a1gainp
laser diode
分类号
TN365 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析
陈贵楚
范广涵
陈练辉
刘鲁
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
在线阅读
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职称材料
2
Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nm AlGaInP宽面半导体激光器
马德营
李佩旭
夏伟
李树强
汤庆敏
张新
任忠祥
徐现刚
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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职称材料
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