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一种面向3D-IC中TSV阵列的动态双重自修复方法 被引量:1
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作者 邝艳梅 赵凯 +2 位作者 缪旻 陈兢 罗昌浩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期121-128,共8页
硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义。针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较低等问题,提出了一种包含硬修复和软修复的双重自修复方法... 硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义。针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较低等问题,提出了一种包含硬修复和软修复的双重自修复方法。该方法既可以对随机出现的缺陷TSV进行冗余TSV替换,从而实现硬修复;也可以在冗余TSV数量不足时,通过两种不同的软修复策略,对信号进行"并串-串并"转换,实现局部范围内的软修复。该方法能有效减少由大量冗余TSV造成的面积开销,降低缺陷TSV修复率对冗余TSV数量的依赖性,提高缺陷TSV的修复率和3D-IC的可靠性。 展开更多
关键词 三维集成电路(3d-ic) 硅通孔(TSV) 双重自修复 并串-串并转换 高可靠性
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3D-IC类同轴屏蔽型TSV的热力响应分析及结构优化
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作者 孙萍 王志敏 +1 位作者 黄秉欢 巩亮 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期818-826,共9页
硅通孔(TSV)是解决三维集成电路(3D-IC)互连延迟问题的关键技术之一。TSV内部结构的变形失效,大多是由循环温度载荷产生的交变应力引起的。从信号完整性角度考虑,建立了接地TSV形状分别为圆柱形和椭圆柱形的类同轴屏蔽型TSV模型。基于最... 硅通孔(TSV)是解决三维集成电路(3D-IC)互连延迟问题的关键技术之一。TSV内部结构的变形失效,大多是由循环温度载荷产生的交变应力引起的。从信号完整性角度考虑,建立了接地TSV形状分别为圆柱形和椭圆柱形的类同轴屏蔽型TSV模型。基于最大Mises应力准则,对比分析了循环温度载荷对2种类同轴屏蔽型TSV热应力-应变的影响及最大应力点的主要失效形式。最后综合考虑TSV的几何参数对导体和凸块危险点Mises应力的影响,对椭圆柱形类同轴屏蔽型TSV结构进行多目标优化,将2种最优结构中2个危险点的Mises应力分别降低15.10%、17.18%和18.89%、6.74%。为提高TSV热可靠性的优化设计提供参考。 展开更多
关键词 三维集成电路(3d-ic) 热管理 屏蔽型硅通孔(TSV) 有限元仿真 热力响应 多目标优化
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电流型CMOS脉冲D触发器设计 被引量:9
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作者 姚茂群 张立彬 耿亮 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第9期2278-2282,共5页
该文根据脉冲触发器的设计要求,结合阈算术代数系统,提出一种电流型CMOS脉冲D触发器的通用结构,用于二值及多值电流型CMOS脉冲触发器的设计,并可方便地应用于单边沿和双边沿触发。在此结构的基础上设计了电流型CMOS二值、三值以及四值脉... 该文根据脉冲触发器的设计要求,结合阈算术代数系统,提出一种电流型CMOS脉冲D触发器的通用结构,用于二值及多值电流型CMOS脉冲触发器的设计,并可方便地应用于单边沿和双边沿触发。在此结构的基础上设计了电流型CMOS二值、三值以及四值脉冲D触发器。采用TSMC 180 nm CMOS工艺参数对所设计的电路进行HSPICE模拟后表明所设计的电路具有正确的逻辑功能和良好的瞬态特性,且较以往文献提出的电流型D触发器,优化了触发器的建立时间和保持时间,二值和四值触发器最差最小D-Q延时比相关文献的主从触发器降低了59.67%和54.99%,比相关文献的边沿触发器降低了4.62%以上,所用晶体管数也相对减少,具有更简单的结构以及更高的电路性能。 展开更多
关键词 集成电路 通用结构 电流型CMOS电路 脉冲d触发器 阈算术代数系统 和图
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基于三维芯片热驱动的扫描测试策略 被引量:9
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作者 神克乐 向东 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1202-1206,共5页
本文针对三维芯片测试,首先提出了一种扫描结构,这种结构考虑了硅通孔(through silicon vias)互连的代价,在有效的降低测试时间的同时,还可以压缩测试激励数据和测试响应;另外在降低温度方面,扫描树结构也有很好的表现.在三维芯片中的热... 本文针对三维芯片测试,首先提出了一种扫描结构,这种结构考虑了硅通孔(through silicon vias)互连的代价,在有效的降低测试时间的同时,还可以压缩测试激励数据和测试响应;另外在降低温度方面,扫描树结构也有很好的表现.在三维芯片中的热点(hotspot)经常会影响性能和可靠性.接着,本文提出了一种测试向量排序策略,从而避免测试向量可能会导致温度分布不均,有效的降低了三维芯片的温度.实验结果表明,本文提出的扫描树结构要比传统的扫描链结构在峰值温度方面降低了15%.如果在扫描树结构上应用测试排序策略,芯片上峰值温度可以降低超过25%. 展开更多
关键词 热驱动测试策略 扫描树 三维芯片 测试排序
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三维CMOS集成电路技术研究 被引量:3
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作者 朱国良 张鹤鸣 +2 位作者 胡辉勇 李发宁 舒斌 《电子科技》 2004年第7期21-26,共6页
论述了三维集成电路(3D IC )的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外延过生长技术和键合技术。并基于 SiGe 材料特性,提出了一种新型的 Si-SiGe 三维 CMOS 结构,即将第一... 论述了三维集成电路(3D IC )的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外延过生长技术和键合技术。并基于 SiGe 材料特性,提出了一种新型的 Si-SiGe 三维 CMOS 结构,即将第一层器件(Si nMOS)做在 SOI(Si on insulator)材料上,接着利用 SiO2/SiO2低温直接键合的方法形成第二层器件的有源层,然后做第二层器件(SiGe pMOS),最终形成完整的三维 CMOS结构。与目前所报道的 Si 基三维集成电路相比,该电路特性明显提高。 展开更多
关键词 三维集成电路(3dic) SI/SIGE CMOS SOI/SiGeOI 低温键合
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一种面向三维微处理器的新型片上网络拓扑 被引量:1
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作者 王谛 白晗 +2 位作者 赵天磊 唐遇星 窦强 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期86-91,97,共7页
利用三维集成电路中硅通孔具有延迟短、功耗低的特性,针对10层以上硅片堆叠的三维片上网络,设计了一种新的拓扑结构3DE-Mesh,并通过实验数据的分析,验证了3DE-Mesh的性能和可扩展性.结果表明,3DE-Mesh的性能和可扩展性均满足10层以上硅... 利用三维集成电路中硅通孔具有延迟短、功耗低的特性,针对10层以上硅片堆叠的三维片上网络,设计了一种新的拓扑结构3DE-Mesh,并通过实验数据的分析,验证了3DE-Mesh的性能和可扩展性.结果表明,3DE-Mesh的性能和可扩展性均满足10层以上硅片堆叠的三维集成电路的要求. 展开更多
关键词 三维集成电路 三维片上网络 拓扑结构 扩展链路
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硅基三维集成射频无源器件及电路研究进展 被引量:4
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作者 朱樟明 尹湘坤 +1 位作者 刘晓贤 杨银堂 《微电子学与计算机》 2023年第1期11-17,共7页
射频电賂在移动通信终端和雷达前端等电子系统中占据了较大比例的面积和体积,且现有射频集成方式无法实现无源电路的微型化、多功能化、一体化系统集成,成为系统小型化集成、性能提升的瓶颈,更制约了各种电子设备和通信系统的发展.基于... 射频电賂在移动通信终端和雷达前端等电子系统中占据了较大比例的面积和体积,且现有射频集成方式无法实现无源电路的微型化、多功能化、一体化系统集成,成为系统小型化集成、性能提升的瓶颈,更制约了各种电子设备和通信系统的发展.基于硅通孔的三维集成技术可以实现硅基电路的多层堆叠,在实现高密度、高性能、微型化的射频系统方面具有巨大发展潜力和广阔应用前景.本文介绍了基于硅基三维集成技术实现的射频无源器件及电路的研究进展,主要包括无源电容、电感、天线、滤波器、功分器、耦合器、巴伦.最后,对各类射频无源器件及功能电路模块的发展现状和趋势进行了总结和展望. 展开更多
关键词 三维集成电路 射频 无源器件 无源电路 硅通孔
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谐振隧穿晶体管数字单片集成电路 被引量:2
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作者 李效白 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第1期1-9,共9页
阐述了谐振隧穿器件构成的与非门、单/双稳逻辑转换电路、或非门、流水线逻辑门、D触发器、静态存储器、多值逻辑和静态分频器等数字单片集成电路,它们具有高频高速、低功耗、多值逻辑、节点少、节省器件、简化电路等显著优势,将是数字... 阐述了谐振隧穿器件构成的与非门、单/双稳逻辑转换电路、或非门、流水线逻辑门、D触发器、静态存储器、多值逻辑和静态分频器等数字单片集成电路,它们具有高频高速、低功耗、多值逻辑、节点少、节省器件、简化电路等显著优势,将是数字集成电路后续小型化最有希望的代表。指出材料生长和芯片工艺制作等问题是其实现工业化生产的瓶颈。综述了国内外在该领域的研究现状和发展趋势,特别是美国已经有高水平的谐振隧穿晶体管数字单片电路问世,我国正在开展少量的研究工作。 展开更多
关键词 谐振隧穿晶体管 d触发器 静态存储器 多值逻辑 单稳双稳转换电路 集成电路
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基于环形振荡器的TSV故障非接触测试方法 被引量:1
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作者 尚玉玲 于浩 +1 位作者 李春泉 谈敏 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期870-875,共6页
为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法。用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期。TSV缺陷造成电阻电容参数的变化,导致振荡周期的变化。通过测量这些变化可以检测TSV故障,同时对TSV故障... 为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法。用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期。TSV缺陷造成电阻电容参数的变化,导致振荡周期的变化。通过测量这些变化可以检测TSV故障,同时对TSV故障的不同位置引起的周期变化进行了研究与分析,利用最小二乘法拟合出通过周期来判断故障位置的曲线,同时提出预测模型推断故障电阻范围。测试结构是基于45 nm PTM COMS工艺的HSPICE进行设计与模拟,模拟结果表明,与同类方法相比,此方法在测试分辨故障的基础上对TSV不同位置的故障进行分析和判断,并能推断故障电阻范围。 展开更多
关键词 三维集成电路(3d-ic) 硅通孔(TSV) 非接触测试 环形振荡器 TSV故障
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基于风险三维结构的大型油轮监管集成
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作者 甘浪雄 程玉琴 +1 位作者 杨雪 麻卫平 《中国航海》 CSCD 北大核心 2013年第3期76-79,85,共5页
大型油轮运输属于危险品运输,其生产作业具有高危特性。在大型油轮航行和生产作业全过程中会面临从宏观到微观的多层次风险,对通航安全构成潜在威胁。借鉴某三维结构和集成企业工程思想构建大型油轮风险集成管理的三维结构模型,将多层... 大型油轮运输属于危险品运输,其生产作业具有高危特性。在大型油轮航行和生产作业全过程中会面临从宏观到微观的多层次风险,对通航安全构成潜在威胁。借鉴某三维结构和集成企业工程思想构建大型油轮风险集成管理的三维结构模型,将多层次的风险管理归并到三个维度(功能域、时间域及对象域),以风险三维结构为基础,探讨风险管理集成的主要构成,提出了大型油轮风险管理集成的基本模型和系统监管模式,为相关海事部门监管大型油轮航行及生产作业提供参考依据与决策支持。 展开更多
关键词 水路运输 三维结构 管理集成 大型油轮 风险管理
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三维涡流计算中最少变量数边界积分方程的一个注记 被引量:1
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作者 方蜀州 王泽毅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1114-1116,共3页
本文回顾了求解三维电磁场涡流问题的数值计算方法 ,其中最少变量数边界积分方程法 (BoundaryIn tegralEquationsofMinimumOrderMethod)具有很多优点 .但提出该方法的论文以及后续论文中的边界积分方程中存在一些错误 ,本文给出了边界... 本文回顾了求解三维电磁场涡流问题的数值计算方法 ,其中最少变量数边界积分方程法 (BoundaryIn tegralEquationsofMinimumOrderMethod)具有很多优点 .但提出该方法的论文以及后续论文中的边界积分方程中存在一些错误 ,本文给出了边界积分方程的极限推导过程 ,改正了这些错误 . 展开更多
关键词 涡流计算 变量数 三维 边界积分方程 互连线 互连寄生效应 集成电路
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类同轴TSV的高频电学模型与分析 被引量:1
12
作者 吴伟 孙毅鹏 +3 位作者 张兆华 王一丁 付永启 崔凯 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期926-932,共7页
类同轴硅通孔(TSV)是射频三维(3D)集成电路(IC)中常用的垂直互连传输结构。针对该结构提出了一套通用的电阻-电感-电容-电导(RLCG)寄生参数计算公式,以及对应的高频等效电路模型。寄生参数是结构尺寸和材料特性的函数,可以方便地用于预... 类同轴硅通孔(TSV)是射频三维(3D)集成电路(IC)中常用的垂直互连传输结构。针对该结构提出了一套通用的电阻-电感-电容-电导(RLCG)寄生参数计算公式,以及对应的高频等效电路模型。寄生参数是结构尺寸和材料特性的函数,可以方便地用于预测电学性能。使用三维全波仿真软件对所提出的模型进行了高达100 GHz的仿真验证,并分析了模型的散射参数与结构尺寸之间的关系。最后提出了特征阻抗的计算和优化方法,该方法可以为类同轴TSV的参数的确定提供参考。 展开更多
关键词 三维(3d)集成电路(ic) 硅通孔(TSV) 类同轴结构 等效电路模型 电阻-电感-电容-电导(RLCG)参数
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一种改进的穿硅电容三维互连技术 被引量:1
13
作者 刘松 单光宝 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期558-564,共7页
针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TS... 针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TSC互连电容耦合特性,结合传统收发电路与HSPICE仿真验证TSC互连在高频信号传输应用中的可行性。分析与仿真结果显示:TSC省去TSV背面通孔外露工艺可进一步降低成本及复杂工艺引入的可靠性隐患。采用孔半径2.5μm、孔高50μm单根TSC通道可实现15 Gbps高频信号传输,功耗约为0.045 mW/Gbps。研究表明,TSC互连是一种高可靠、低成本的三维互连结构,为实现高频三维集成电路(3D IC)提供一种可行的互连技术方案。 展开更多
关键词 三维集成电路(3d ic) 三维互连 硅通孔(TSV) 电容耦合互连(CCI) 硅通孔(TSV)背面通孔外露工艺
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山地城市三维仿真数据整合技术研究 被引量:1
14
作者 郑持辉 王昌翰 +1 位作者 王阳生 李响 《城市勘测》 2008年第4期14-17,共4页
以重庆市北部新区为例,介绍了山地城市三维仿真数据整合的系统结构和数据标准规范等关键技术,实现了三维仿真数据与二维GIS系统的实时联动,为数字城市搭建了一个新的浏览、管理平台。最后介绍了该研究成果在规划辅助决策以及面向公众服... 以重庆市北部新区为例,介绍了山地城市三维仿真数据整合的系统结构和数据标准规范等关键技术,实现了三维仿真数据与二维GIS系统的实时联动,为数字城市搭建了一个新的浏览、管理平台。最后介绍了该研究成果在规划辅助决策以及面向公众服务等方面的应用。 展开更多
关键词 山地城市 三维仿真 数据整合 三维GIS
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三维集成电路稳态解和瞬态解的建模与热分析 被引量:1
15
作者 陈品忠 潘中良 《电子与封装》 2021年第1期44-50,共7页
针对三维集成电路(3D IC)热效应问题,提供了三维集成电路热模型的稳态解析解和瞬态解析解,这些解适用于N层(N≥2)模型;热源可以非均匀分布,瞬态时热源的大小可随时间变化。求解的过程使用了分离变量法、格林函数法和本征函数正交性。通... 针对三维集成电路(3D IC)热效应问题,提供了三维集成电路热模型的稳态解析解和瞬态解析解,这些解适用于N层(N≥2)模型;热源可以非均匀分布,瞬态时热源的大小可随时间变化。求解的过程使用了分离变量法、格林函数法和本征函数正交性。通过瞬态解可以获得任意时刻模型的温度场,稳态解是与时间无关的函数,通过它可以直接计算出稳态热传导的温度场。使用所获得的解析解在MATLAB中计算得到的温度场和COMSOL仿真温度场进行比较,结果表明,稳态解计算3层和5层3D IC模型得到的结果和COMSOL仿真结果最大误差在1%左右;使用所获得的瞬态解计算3层和5层3D IC模型得到的结果和COMSOL仿真结果最大误差不超过3%。 展开更多
关键词 三维集成电路 温度场 热源 解析解
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Energy-Harvesting Systems for Green Computing
16
作者 Terrence Mak 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS 2012年第4期291-295,共5页
Energy harvesting technologies provide a promising alternative to battery-powered systems and create an opportunity to achieve sustainable computing for the exploitation of ambient energy sources. However, energy harv... Energy harvesting technologies provide a promising alternative to battery-powered systems and create an opportunity to achieve sustainable computing for the exploitation of ambient energy sources. However, energy harvesting devices and power generators encompass a number of non-classical system behaviors or characteristics, such as delivering nondeterministic power density, and these would create hindrance for effectively utilizing the harvested energy. Previously, we have investigated new design methods and tools that are used to enable power adaptive computing and, particularly, catering non-deterministic voltage, which can efficiently utilize ambient energy sources. Also, we developed a co-optimization approach to maximize the computational efficiency from the harvested ambient energy. This paper will provide a review of these methods. Emerging technologies, such as 3D-IC, which would also enable new paradigm of green and high-performance computing, will be also discussed. 展开更多
关键词 Index Terms--Energy harvesting green computing three-dimensional-integrated circuit 3d-ic design.
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光电印制板的制造和特征 被引量:1
17
作者 蔡积庆 《印制电路信息》 2006年第11期15-19,34,共6页
概述了光电印制板(O/EPCB)的制造和特征,它具有三维3D光学互连用的埋入多模步长指数(MM-SI)波导和集成不同平面微镜(IMM)。利用UV平面印刷术在PCB上积层光电路,利用倾斜曝光制造45°输入/输出I/O耦合元件。
关键词 光电印制板(O/E PCB) 三维光学互连 多模步长指数 集成微镜 UV平面印刷术 多模光学 聚合物波导 耦合效率 光学输入/输出I/O介面连接
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