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阴离子本体开环聚合反应挤出合成聚三氟丙基甲基硅氧烷 被引量:6
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作者 高亚娟 杨鹏 +2 位作者 管涌 危大福 郑安呐 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期20-23,共4页
以同向紧啮合双螺杆挤出机为反应器,硅醇钠/乙酸乙酯(EA)为引发体系,通过三氟丙基甲基环三硅氧烷(F3)阴离子本体开环聚合,制备了聚三氟丙基甲基硅氧烷(PMTFPS)。采用红外光谱(FT-IR),核磁共振(1H-NMR)和凝胶渗透色谱(GPC)确认了聚合物... 以同向紧啮合双螺杆挤出机为反应器,硅醇钠/乙酸乙酯(EA)为引发体系,通过三氟丙基甲基环三硅氧烷(F3)阴离子本体开环聚合,制备了聚三氟丙基甲基硅氧烷(PMTFPS)。采用红外光谱(FT-IR),核磁共振(1H-NMR)和凝胶渗透色谱(GPC)确认了聚合物的结构与分子量,用电离飞行时间质谱分析了副产物的组成。研究表明,提高反应温度和EA用量可使反应平衡点提前到达。而螺杆转速对反应的主要影响在于改变聚合反应时间。因此,控制适当反应条件,使反应在平衡点到来时间之前终止,可得到高分子量以及高收率的PMTFPS。所得产物的数均分子量为2.41×105,分子量分散指数为1.12,产率为90.5%。 展开更多
关键词 阴离子本体开环聚合 乙酸乙酯 聚三氟丙基甲基硅氧烷 反应挤出
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在哈克流变仪中反应加工合成氟硅聚合物 被引量:1
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作者 高亚娟 杨鹏 +2 位作者 危大福 陈波 郑安呐 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期378-383,共6页
以硅醇钠为引发剂,二甲基亚砜(DMSO)为促进剂,在哈克流变仪的反应釜腔内合成聚三氟丙基甲基硅氧烷(PMTFPS)。考察了促进剂浓度、反应温度和时间等因素对PMTFPS的数均分子量和产率的影响,当DMSO促进剂浓度为0.017 mol/L,聚合温度为100℃... 以硅醇钠为引发剂,二甲基亚砜(DMSO)为促进剂,在哈克流变仪的反应釜腔内合成聚三氟丙基甲基硅氧烷(PMTFPS)。考察了促进剂浓度、反应温度和时间等因素对PMTFPS的数均分子量和产率的影响,当DMSO促进剂浓度为0.017 mol/L,聚合温度为100℃,反应时间为2.5 min时,达到最优的聚合条件,此时得到的PMTFPS的数均分子量为2.47×105,产率为86.5%。进一步增加促进剂浓度、提高反应温度及延长反应时间,PMTFPS的分子量和产率不断下降。 展开更多
关键词 阴离子本体开环聚合 氟硅聚合物 DMSO促进剂 哈克流变仪
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表面硅烷化铜箔的电化学腐蚀与防护研究 被引量:3
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作者 苗伟俊 张余宝 +1 位作者 古宁宇 刘峰 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期359-364,共6页
用γ-氨丙基三甲氧基硅烷(γ-APS)溶液对铜箔表面硅烷化处理,使用动电位极化和电化学交流阻抗研究不同pH的γ-氨丙基三甲氧基硅烷溶液自组装铜箔电极在0.1 mol·L-1NaCl溶液的腐蚀防护效果,使用扫描电子显微镜观察γ-氨丙基三甲氧... 用γ-氨丙基三甲氧基硅烷(γ-APS)溶液对铜箔表面硅烷化处理,使用动电位极化和电化学交流阻抗研究不同pH的γ-氨丙基三甲氧基硅烷溶液自组装铜箔电极在0.1 mol·L-1NaCl溶液的腐蚀防护效果,使用扫描电子显微镜观察γ-氨丙基三甲氧基硅烷自组装膜的表面形貌.结果表明,γ-氨丙基三甲氧基硅烷自组装铜箔有较好的腐蚀防护效果,其中pH=7的γ-氨丙基三甲氧基硅烷溶液自组装膜的抗腐蚀效果最佳. 展开更多
关键词 γ-氨丙基三甲氧基硅烷 铜箔 表面硅烷化 电化学防腐
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有机磷毒剂压电传感器敏感材料的制备及性能研究
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作者 陈苑明 何为 +2 位作者 刘忠祥 金轶 符容 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第20期29-31,47,共4页
以邻氟苯酚、3-溴丙烯与含氢硅油为原料,合成有机磷毒剂压电传感器敏感材料聚甲基[3-(2-羟基-3-氟)苯基]丙基硅氧烷。将聚甲基[3-(2-羟基-3-氟)苯基]丙基硅氧烷料涂覆在QCM传感器上,研究其对有机磷毒剂模拟剂甲基膦酸二甲酯(DMMP)和其... 以邻氟苯酚、3-溴丙烯与含氢硅油为原料,合成有机磷毒剂压电传感器敏感材料聚甲基[3-(2-羟基-3-氟)苯基]丙基硅氧烷。将聚甲基[3-(2-羟基-3-氟)苯基]丙基硅氧烷料涂覆在QCM传感器上,研究其对有机磷毒剂模拟剂甲基膦酸二甲酯(DMMP)和其它干扰气体的响应。结果表明,在13.2×10-6~65.8×10-6范围内,传感器对DMMP的响应成呈好的线性关系,灵敏度为9.369×106Hz,最低检测极限为0.323×10-6(S/N=3),对DMMP的响应远高于其它干扰气体。 展开更多
关键词 聚甲基 [3-(2-羟基-3-氟)苯基]丙基硅氧烷 DMMP 灵敏度 干扰气体
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双头型四硅氧烷表面活性剂(TS)的合成及表面活性研究 被引量:1
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作者 雷涛 《印染助剂》 CAS 北大核心 2012年第11期24-26,共3页
以三乙二醇单甲醚和氨丙基三甲氧基硅烷为原料,经2步反应合成了双头型四硅氧烷表面活性剂(TS).用红外光谱和核磁共振氢谱表征了目标产物结构.目标产物的水溶液在25℃的表面活性数据为:cmc=1.7×10-4mol/L,γcmc=21.8 mN/m,其表面活... 以三乙二醇单甲醚和氨丙基三甲氧基硅烷为原料,经2步反应合成了双头型四硅氧烷表面活性剂(TS).用红外光谱和核磁共振氢谱表征了目标产物结构.目标产物的水溶液在25℃的表面活性数据为:cmc=1.7×10-4mol/L,γcmc=21.8 mN/m,其表面活性远远高于普通表面活性剂. 展开更多
关键词 有机硅表面活性剂 表面活性 三乙二醇单甲醚 氨丙基三甲氧基硅烷
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