AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅱ) 被引量：1

1

作者 李效白 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期101-106,共6页

关键词 ALGAN/GAN 电流崩塌 HFET 2deg ALGAN/GAN 延迟现象 饱和电流 漏电流

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逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响

2

作者 李若凡 武一宾 +2 位作者 马永强 张志国 杨瑞霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期56-58,72,共4页

从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0．3，AlGaN层厚度为20nm时... 从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0．3，AlGaN层厚度为20nm时，不考虑逆压电极化，2DEG浓度为1．53×10^13cm^-2；当等效外加电压分别为10和15v时，2DEG浓度降低至1．04×10^13cm^-2和0．789×10^13cm^-2，可见当等效外电压由0～15V变化时，2DEG浓度下降了48．4％。 展开更多

关键词 氮化镓 Poisson-Schrfidinger方程 逆压电极化效应 2deg浓度

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AlGaN/AlN/GaN HEMT结构2DEG的光致发光谱

3

作者 唐健 王晓亮 肖红领 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期703-706,共4页

AlGaN/GaN HEMT结构材料主要用于研制微电子器件,对其发光性质的研究相对较少。通过对AlGaN/GaN HEMT结构材料的光致发光谱(PL)研究,观测到了AlGaN势垒层中Al组分为40%的AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气(2DEG)光致发光及其能级分裂现象。... AlGaN/GaN HEMT结构材料主要用于研制微电子器件,对其发光性质的研究相对较少。通过对AlGaN/GaN HEMT结构材料的光致发光谱(PL)研究,观测到了AlGaN势垒层中Al组分为40%的AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气(2DEG)光致发光及其能级分裂现象。在4.5 K低温下,其2DEG发光峰在GaN带边峰能量以下30和40 meV处分裂成两个峰位,直至温度持续升高至40 K后消失。根据GaN价带顶部在单轴晶格场和自旋-轨道耦合共同作用下的能级分裂理论,因自旋-轨道耦合引起的2DEG发光峰两个分裂能级差约为10 meV,与实验测得的结果一致,因此实验观测到的2DEG发光峰的分裂现象是由于氮化镓价带能级的自旋-轨道耦合而形成的。 展开更多

关键词 氮化镓 高迁移率晶体管(HEMT) 光致发光 二维电子气(2deg) 能级分裂

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MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料 被引量：1

4

作者 徐静波 杨瑞霞 武一宾 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期28-31,共4页

利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道层In组分的影响。在保持较高迁移率的基础上,生长出了高μn... 利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道层In组分的影响。在保持较高迁移率的基础上,生长出了高μn×ns的InP PHEMT外延材料。 展开更多

关键词 MBE 外延材料 电子迁移率 2-deg面密度

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用以制备单电子晶体管的2DEG结构的设计

5

作者 庞科 王太宏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期67-71,共5页

在一定的边界条件近似下,通过联立求解泊松和薛定谔方程,利用电荷控制模型对赝型高电子迁移率器件( p-HEMT)进行了模拟,分析了器件中二维电子气的面密度ns、d面掺杂层距离表面层厚度d1和距离二维电子气厚度d2对器件特性的影响,并讨论了... 在一定的边界条件近似下,通过联立求解泊松和薛定谔方程,利用电荷控制模型对赝型高电子迁移率器件( p-HEMT)进行了模拟,分析了器件中二维电子气的面密度ns、d面掺杂层距离表面层厚度d1和距离二维电子气厚度d2对器件特性的影响,并讨论了这些结构参数的优化,为制备高温、稳定和有应用前景的单电子晶体管器件提供了依据。 展开更多

关键词 制备 2deg 设计 二维电子气 单电子晶体管 纳米器件 纳米加工 面密度

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高温强光对温州蜜柑叶绿素荧光、D1蛋白和Deg1蛋白酶的影响及SA效应 被引量：17

6

作者 邱翠花 计玮玮 郭延平 《生态学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第13期3802-3810,共9页

以3年生温州蜜柑(Citrus unishiuMarc.)植株为试材,用叶绿素荧光分析、Western-blotting蛋白质印记技术及DAB(3,3′-二氨基联苯胺)显色法,研究了高温强光(38℃和1600μmo.lm-.2s-1)对叶片叶绿素荧光参数、PS(光系统)Ⅱ反应中心D1蛋白和D... 以3年生温州蜜柑(Citrus unishiuMarc.)植株为试材,用叶绿素荧光分析、Western-blotting蛋白质印记技术及DAB(3,3′-二氨基联苯胺)显色法,研究了高温强光(38℃和1600μmo.lm-.2s-1)对叶片叶绿素荧光参数、PS(光系统)Ⅱ反应中心D1蛋白和Deg1蛋白酶的影响和SA(水杨酸)的效应。结果表明,高温强光交互作用4 h后,叶片的初始荧光Fo升高,最大光能转化效率Fv/Fm、表观光合电子传递速率ETR及PSⅡ的量子产额ΦPSⅡ显著降低;在D1蛋白降解的同时,Deg1蛋白酶含量也下降,并伴有H2O2的积累。在高温强光下,外源的H2O2使叶绿素荧光动力学快相参数(Fi-Fo)/(Fp-Fo)值(反映PSⅡ中QB非还原中心的数量)升高和I-P的斜率(反映PSⅡ活化中心还原态QA积累的值)下降,Fv/Fm、ETR、ΦPSⅡ及D1蛋白和Deg1蛋白酶下降幅度增大;而外源的SA使这些参数下降幅度减小。这些结果说明,高温强光诱导H2O2的积累造成Deg1蛋白酶和光系统反应中心D1蛋白的降解,Deg1蛋白酶的减少也进一步限制了D1蛋白的周转,进而使温州蜜柑PSⅡ反应中心遭到破坏,SA对光合机构光破坏有保护作用。 展开更多

关键词 温州蜜柑 高温强光 叶绿素荧光 D1蛋白 deg1蛋白酶 H2O2

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ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结电子输运性质研究

7

作者 白雅楠 吕燕伍 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期441-449,共9页

Ga_(2)O_(3)是一种新兴的宽带隙半导体,在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景。前期研究以β-Ga_(2)O_(3)为主,并且已经对β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3)异质结构中的二维电子气(2DEG)进行了理论计算,本文主要研究ε-(A... Ga_(2)O_(3)是一种新兴的宽带隙半导体,在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景。前期研究以β-Ga_(2)O_(3)为主,并且已经对β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3)异质结构中的二维电子气(2DEG)进行了理论计算,本文主要研究ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)作为势垒层对ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结电子输运性质的影响,首先介绍了ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结的结构和性质,分析计算了由于ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结的自发极化和压电极化所产生的极化面电荷密度,以及极化对2DEG浓度产生的影响,接着分析了在不同Al摩尔组分下,ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)势垒层厚度与合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射之间的关系。最后通过计算得出结论:界面粗糙度散射和极性光学声子散射对ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结的电子输运性质有重要影响,合金无序散射对异质结的输运性质影响较小;2DEG浓度、合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射的电子迁移率强弱由ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)势垒层的厚度和Al摩尔组分共同决定。 展开更多

关键词 2deg浓度 电子迁移率 ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结 合金无序散射 界面粗糙度散射 极性光学声子散射

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AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气 被引量：2

8

作者 薛丽君 刘明 +2 位作者 王燕 夏洋 陈宝钦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期63-65,56,共4页

AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生... AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生的二维电子气的影响。极化不仅可提高2DEG的浓度,而且还能使其迁移率得到提高。 展开更多

关键词 AIGAN/GAN 异质结 极化 二维电子气 2deg

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基于GaN基HEMT结构的传感器件研究进展 被引量：4

9

作者 朱彦旭 王岳华 +2 位作者 宋会会 李赉龙 石栋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1545-1553,共9页

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率,这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本... GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率,这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本文首先围绕GaN基HEMT的基本结构发展起来的两类研究成熟的传感器,对其结构、工作机理、工作进展以及优缺点进行了探讨与总结;而后,着重从改变器件材料及优化栅结构与栅上材料的角度,阐述了3种GaN基HEMT新型传感器的最新进展,其中,从材料体系、关键工艺、探测结构、原理及新机理方面重点介绍了GaN基HEMT光探测器;最后,探索了GaN基HEMT传感器件未来的发展方向。 展开更多

关键词 ALGAN/GAN异质结 2deg GaN基HEMT传感器 栅结构 光探测器

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具有栅源间本征GaN调制层的AlGaN/GaN HEMT 被引量：1

10

作者 陈飞 冯全源 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第9期694-700,共7页

为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN(i-GaN)调制层的新型AlGaN/GaN HEMT结构。新结构器件在反向耐压时将调制层下方部分区域... 为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN(i-GaN)调制层的新型AlGaN/GaN HEMT结构。新结构器件在反向耐压时将调制层下方部分区域的二维电子气(2DEG)完全耗尽,扩展了沟道的夹断区,有效阻止了源极电子向栅极右侧高场区的注入。仿真结果表明,通过设置适当的调制层长度和厚度,器件的击穿电压可从常规结构的862 V提升至新结构的1 086 V,增幅达26%。同时,GaN调制层会微幅增大器件的比导通电阻,对阈值电压也具有一定的提升作用。 展开更多

关键词 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高场区 雪崩击穿 击穿电压 二维电子气(2deg)

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高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

11

作者 刘祥林 王成新 韩培德 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第6期13-15,共3页

用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 (0 0 0 1)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1 xN/GaN二维电子气 (2DEG)结构。Al0 13Ga0 87N (70 0nm ) /GaN(6 0 0nm)异质结的室温电子迁移率达 10 2 4cm2 /Vs ,而GaN体材料的室温电子迁移率为 390cm2 /Vs... 用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 (0 0 0 1)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1 xN/GaN二维电子气 (2DEG)结构。Al0 13Ga0 87N (70 0nm ) /GaN(6 0 0nm)异质结的室温电子迁移率达 10 2 4cm2 /Vs ,而GaN体材料的室温电子迁移率为 390cm2 /Vs;该异质结的77K电子迁移率达 350 0cm2 /Vs ,而GaN体材料的电子迁移率在 185K下达到峰值 ,为4 90cm2 /Vs ,77K下下降到 2 50cm2 /Vs。 2DEG的质量属国内领先水平 ,并接近国际领先水平。 展开更多

关键词 GAN 2deg MOVPE 宽禁带材料 外延

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成人与儿童急性髓系白血病患者肿瘤免疫相关的差异表达基因分析 被引量：1

12

作者 李玲玲 李倩 +2 位作者 李明玉 刘峥 沈倩诚 《上海交通大学学报（医学版）》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期579-587,共9页

目的·分析成人与儿童急性髓系白血病(acute myeloid leukemia,AML)患者骨髓中肿瘤免疫相关的差异表达基因(differentially expressed genes,DEGs)。方法·从GEO(Gene Expression Omnibus)数据库下载GSE134589数据集,选取初次确... 目的·分析成人与儿童急性髓系白血病(acute myeloid leukemia,AML)患者骨髓中肿瘤免疫相关的差异表达基因(differentially expressed genes,DEGs)。方法·从GEO(Gene Expression Omnibus)数据库下载GSE134589数据集,选取初次确诊/复发状态的患者,按年龄分为儿童组(0~16岁,34例)、中青年组(17~59岁,62例)和老年组(60~80岁,62例),用R语言程序包筛选不同组患者骨髓样本中肿瘤免疫相关的DEGs。选取中青年组与儿童组,老年组与儿童组共同的DEGs,与完全缓解状态的成人与儿童患者的DEGs进行比对,并进行功能富集分析。利用Kaplan-Meier法筛选与预后显著相关的基因,通过构建蛋白质相互作用(protein-protein interaction,PPI)网络筛选核心调控基因,将以上2种方法筛选出的基因视为关键基因。用GEPIA服务器对比关键基因在AML、弥漫大B细胞淋巴瘤(diffuse large B cell lymphoma,DLBCL)和胸腺癌的肿瘤样本与正常人样本的表达量,在GEXC网站分析关键基因在AML患者肿瘤干细胞和健康人的原始造血细胞中mRNA的表达情况。结果·GSE134589数据集中,中青年组与儿童组比,上调的DEGs有51个,下调的有21个;老年组与儿童组比,上调的DEGs有47个,下调的有20个;而中青年组与老年组比,没有发现DEG。筛选了中青年组和老年组共同的肿瘤免疫相关DEGs 57个,其中上调有39个,下调有18个,仅有3个基因的表达水平差异在疾病完全缓解时仍有统计学意义。57个共同DEGs主要富集在白细胞迁移和细胞因子介导的信号通路,其中白细胞介素2受体α亚基(interleukin-2 receptor subunit alpha,IL2RA)、FMS-样酪氨酸激酶3(FMS-like tyrosine kinase 3,FLT3)高表达的患者与低表达的患者相比总体生存期显著缩短(均P<0.05),补体成分3a受体1(complement component 3a receptor 1,C3AR1)是PPI网络的核心调控基因。这3个基因作为关键基因,均在AML肿瘤样本特异性高表达(均P<0.05),IL2RA还在DLBCL患者样本中显著高表达(P<0.05)。IL2RA在AML肿瘤干细胞和健康人的原始造血细胞中均低表达,FLT3均高表达,而C3AR1的表达在AML肿瘤干细胞特异性升高。结论·成人与儿童AML患者预后的差异可能与骨髓中肿瘤免疫相关基因表达的差异有关,其中IL2RA、FLT3和C3AR1可能是发挥重要作用的关键基因。 展开更多

关键词 急性髓系白血病 肿瘤免疫 差异表达基因 白细胞介素2受体α亚基 FMS-样酪氨酸激酶3 补体成分3a受体1

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肖特基金属对AlGaN/GaN二极管电学特性的影响

13

作者 邱旭 吕元杰 王丽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期674-678,共5页

肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性。在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器件,基于电流电压(I-V)和电容电压(C-V)测试结果,计算得到了三者的沟道二维... 肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性。在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器件,基于电流电压(I-V)和电容电压(C-V)测试结果,计算得到了三者的沟道二维电子气(2DEG)密度。并通过薛定谔和泊松方程自洽求解计算得到了三者的肖特基接触势垒高度、导带底能带图和沟道2DEG分布情况。研究发现金属功函数越小,势垒高度反而越高,沟道2DEG密度越小,GaN侧的沟道三角形势阱变得越浅。这主要是由于金属功函数越小,电子能量越高,与AlGaN势垒层表面态的电子耦合作用越强所致。 展开更多

关键词 ALGAN GaN 肖特基势垒高度 金属功函数 二维电子气(2deg)密度 电子耦合

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高电子迁移率晶体管的光照特性分析

14

作者 吕永良 周世平 徐得名 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2000年第5期415-419,共5页

以光照下耗尽型 ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管为例，考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应，采用器件的电荷控制模型，分析了光照对器件夹断电压、二维电子气（２－ＤＥＧ）浓度、Ｉ—Ｖ特性以及跨导的影... 以光照下耗尽型 ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管为例，考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应，采用器件的电荷控制模型，分析了光照对器件夹断电压、二维电子气（２－ＤＥＧ）浓度、Ｉ—Ｖ特性以及跨导的影响．与无光照的情况相比较，夹断电压变小（绝对值变大），二维电子气浓度增大，从而提高了器件的电流增益．跨导对光照不敏感． 展开更多

关键词 高电子迁移率晶体管 光生载流子 光照特性

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