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0.18μm CMOS 10Gb/s光接收机限幅放大器被引量：10: 1; 作者金杰冯军 +1 位作者盛志伟王志功《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1393-1395,共3页; 利用TSMC 0 18μmCMOS工艺设计了应用于SDH系统STM 6 4 (10Gb/s)速率级光接收机中的限幅放大器 .该放大器采用了改进的Cherry Hooper结构以获得高的增益带宽积 ,从而保证限幅放大器在 10Gb/s以及更高的速率上工作 .测试结果表明 ,此限... 展开更多; 关键词 STm-64 光接收机限幅放大器 Cherry-Hooper结构 0.18μm cmos工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计: 2; 作者胡伟陈金福 +1 位作者张振勇杨莲兴《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期48-50,共3页; 介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果.; 关键词高线性度降频混频电路 0.18μm cmos 射频电路工作原理; 在线阅读下载PDF 职称材料

高光电探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件被引量：6: 3; 作者王巍陈婷 +5 位作者李俊峰何雍春王冠宇唐政维袁军王广《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1-7,共7页; 基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P^+/N阱结构,P^+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效率与响应度;采用低掺杂深N阱增大耗尽层厚度,可以提高探测灵敏度;深N阱与... 展开更多; 关键词单光子雪崩二极管标准0.18μm cmos工艺深N阱保护环击穿特性响应度光子探测效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

集成CMOS限幅放大器的研究被引量：1: 4; 作者李富华王长清伍博《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2004年第4期37-40,共4页; 提出了一种具有低通网络的高速放大器拓扑,基于增益带宽约束条件和低通网络的特性的研究对高速放大器进行了优化设计.此外,基于中芯国际集成电路公司提供的0.18μm器件模型、共面线的分布参数模型,文中分别研究了共面线的频变分布参数... 展开更多; 关键词高速放大器 0.18μm cmos工艺低通网络 cmos集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

低电压低功耗伪差分两级运算跨导放大器设计被引量：1: 5; 作者肖莹慧《沈阳工业大学学报》 EI CAS 北大核心 2018年第4期431-435,共5页; 为了满足电池供电设备低功耗、低电压的要求,提出一种用于超低电压和低功率混合信号应用的、基于米勒补偿的两级全差分伪运算跨导放大器(OTA).该放大器电路使用标准的0.18μm数字CMOS工艺设计,利用PMOS晶体管的衬体偏置减小阈值电压,输... 展开更多; 关键词低电压低功耗伪差分两级OTA 0.18μm cmos技术 AB类模式米勒补偿正反馈技术单位增益频率转换速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米工艺低温阈值电压解析模型研究: 6; 作者刘海峰何高魁 +3 位作者刘洋郝晓勇宛玉晴田华阳《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2023年第1期151-157,共7页; 现有仿真模型的温度适用范围在223~423 K,无法满足低温设计需求,且目前公开报道的低温CMOS工艺物理建模研究成果中模型不解析。为了在低温下高纯锗探测器近端集成CMOS读出电路,实现高分辨率的核探测技术,着重从阈值电压温度效应物理机... 展开更多; 关键词低温 0.18μm cmos工艺阈值电压解析模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名0.18μm CMOS 10Gb/s光接收机限幅放大器被引量：10: 1; 作者金杰冯军盛志伟王志功; 机构东南大学射频与光电集成电路研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1393-1395,共3页; 基金国家 8 63项目 (No .2 0 0 1AA31 2 0 1 0 No.2 0 0 1AA31 2 0 60 ); 文摘利用TSMC 0 18μmCMOS工艺设计了应用于SDH系统STM 6 4 (10Gb/s)速率级光接收机中的限幅放大器 .该放大器采用了改进的Cherry Hooper结构以获得高的增益带宽积 ,从而保证限幅放大器在 10Gb/s以及更高的速率上工作 .测试结果表明 ,此限幅放大器在 10Gb/s速率上 ,输入动态范围为 4 2dB(3 2mV～ 5 0 0mV) ,5 0Ω负载上的输出限幅在 2 5 0mV ,小信号输入时的最高工作速率为 12Gb/s.限幅放大器采用 1 8V电源供电 ,功耗 110mW .芯片的面积为0 7mm× 0 9mm .; 关键词 STm-64 光接收机限幅放大器 Cherry-Hooper结构 0.18μm cmos工艺; Keywords Bit error rate cmos integrated circuits Fiber optic networks Integrated circuit manufacture Integrated circuit testing Limiters Signal receivers; 分类号 TN929 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计: 2; 作者胡伟陈金福张振勇杨莲兴; 机构复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期48-50,共3页; 文摘介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果.; 关键词高线性度降频混频电路 0.18μm cmos 射频电路工作原理; Keywords Down-conversion mixer, High Linearity, 0.18μm cmos, RF Circuit; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高光电探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件被引量：6: 3; 作者王巍陈婷李俊峰何雍春王冠宇唐政维袁军王广; 机构重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院中科院微电子所十室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1-7,共7页; 基金国家自然科学基金(No.61404019)资助~~; 文摘基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P^+/N阱结构,P^+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效率与响应度;采用低掺杂深N阱增大耗尽层厚度,可以提高探测灵敏度;深N阱与衬底形成的PN结可有效隔离衬底,降低衬底噪声;采用P阱保护环结构以预防过早边缘击穿现象.通过理论分析确定器件的基本结构参数及工艺参数,并对器件性能进行优化设计.实验结果表明,单光子雪崩二极管的窗口直径为10μm,器件的反向击穿电压为18.4V左右.用光强为0.001 W/cm^2的光照射,650nm处达到0.495A/W的响应度峰值;在2V的过偏压下,650~950nm波段范围内光子探测效率均高于30%,随着反向偏压的适当增大,探测效率有所提升.; 关键词单光子雪崩二极管标准0.18μm cmos工艺深N阱保护环击穿特性响应度光子探测效率; Keywords Single Photon Avalanche Diode（SPAD） Standard 0.18μm cmos process Deep n-well Guard ring Breakdown characteristics Responsivity Photon detection efficiency; 分类号 TN364 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名集成CMOS限幅放大器的研究被引量：1: 4; 作者李富华王长清伍博; 机构河南师范大学物理与信息工程学院; 出处《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2004年第4期37-40,共4页; 基金 OctillionCommunications Inc .USA资助河南省教育厅科技攻关项目 :单片CMOS光接收机前端的研究; 文摘提出了一种具有低通网络的高速放大器拓扑,基于增益带宽约束条件和低通网络的特性的研究对高速放大器进行了优化设计.此外,基于中芯国际集成电路公司提供的0.18μm器件模型、共面线的分布参数模型,文中分别研究了共面线的频变分布参数、负载电阻以及n沟道MOSFET的栅宽对放大器增益、带宽的影响,为高速限幅放大器的优化设计提供了理论指导和设计依据.; 关键词高速放大器 0.18μm cmos工艺低通网络 cmos集成电路; Keywords high-speed amplifier 0.18 μm cmos process low-pass network cmos integrated circuits; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低电压低功耗伪差分两级运算跨导放大器设计被引量：1: 5; 作者肖莹慧; 机构中南财经政法大学武汉学院; 出处《沈阳工业大学学报》 EI CAS 北大核心 2018年第4期431-435,共5页; 基金中国博士后科学基金资助项目(2015T80797); 文摘为了满足电池供电设备低功耗、低电压的要求,提出一种用于超低电压和低功率混合信号应用的、基于米勒补偿的两级全差分伪运算跨导放大器(OTA).该放大器电路使用标准的0.18μm数字CMOS工艺设计,利用PMOS晶体管的衬体偏置减小阈值电压,输入和输出级设计为AB类模式以增大电压摆幅.将输入级用作伪反相器增强了输入跨导,并采用正反馈技术来增强输出跨导,从而增大直流增益.在0.5 V电源电压以及5 pF负载下对放大器进行模拟仿真.仿真结果表明,当单位增益频率为35 kHz时,OTA的直流增益为88 d B,相位裕量为62°.与现有技术相比,所提出的OTA品质因数改善了单位增益频率和转换速率,此外,其功耗仅为0.08μW,低于其他文献所提到的OTA.; 关键词低电压低功耗伪差分两级OTA 0.18μm cmos技术 AB类模式米勒补偿正反馈技术单位增益频率转换速率; Keywords low-voltage and low-power pseudo differential two-stage OTA 0.18 μm cmos technology class-AB mode miller compensation positive feedback technology unit gain frequency slewing rate; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米工艺低温阈值电压解析模型研究: 6; 作者刘海峰何高魁刘洋郝晓勇宛玉晴田华阳; 机构中国原子能科学研究院; 出处《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2023年第1期151-157,共7页; 基金中核集团青年英才资助项目(FY202307000404) 中国原子能科学研究院稳定支持资助项目(WDJC-2019-08); 文摘现有仿真模型的温度适用范围在223~423 K,无法满足低温设计需求,且目前公开报道的低温CMOS工艺物理建模研究成果中模型不解析。为了在低温下高纯锗探测器近端集成CMOS读出电路,实现高分辨率的核探测技术,着重从阈值电压温度效应物理机理出发,通过分段线性化和主项近似积分法结合常温下的边界条件建立4~423 K深亚微米工艺阈值电压解析模型。常温下的边界条件获取过程中,在均匀掺杂长沟道器件阈值电压表达式基础上,分别考虑横向、纵向非均匀掺杂,以及漏致势垒下降效应带来的影响,通过求解简化的耗尽区准泊松方程,得到常温边界条件通式。实际使用过程中,可针对不同工艺通过测试得到通式里包含的4个因子。在SMIC 0.18μm工艺下用该模型与MEDICI软件仿真结果对比发现极其吻合,验证了低温建模方法的可行性。; 关键词低温 0.18μm cmos工艺阈值电压解析模型; Keywords Low temperature the cmos process of 0.18μm Threshold voltage Analytical model; 分类号 TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	0.18μm CMOS 10Gb/s光接收机限幅放大器	金杰冯军盛志伟王志功	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	10	在线阅读下载PDF 职称材料
2	采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计	胡伟陈金福张振勇杨莲兴	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高光电探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件	王巍陈婷李俊峰何雍春王冠宇唐政维袁军王广	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	集成CMOS限幅放大器的研究	李富华王长清伍博	《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	低电压低功耗伪差分两级运算跨导放大器设计	肖莹慧	《沈阳工业大学学报》 EI CAS 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	深亚微米工艺低温阈值电压解析模型研究	刘海峰何高魁刘洋郝晓勇宛玉晴田华阳	《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料