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PbxSr1-xTiO3的电子结构 被引量：2
1
作者 张富春 张志勇 +2 位作者 张威虎 阎军峰 贠江妮 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第1期61-66,共6页
在广义梯度近似下,采用基于密度泛函理论框架下的超软赝势平面波和虚拟晶体近似方法,计算了不同Pb/Sr摩尔比的PbxSr1-xTiO3(PST)固溶体的精细结构,确定了A位离子在铁电相的平衡构型.利用虚拟晶体近似方法分别计算了摩尔比x为0.6、0.7的P... 在广义梯度近似下,采用基于密度泛函理论框架下的超软赝势平面波和虚拟晶体近似方法,计算了不同Pb/Sr摩尔比的PbxSr1-xTiO3(PST)固溶体的精细结构,确定了A位离子在铁电相的平衡构型.利用虚拟晶体近似方法分别计算了摩尔比x为0.6、0.7的PbxSr1-xTiO3精细结构.结果表明,在钛酸锶铅固溶体中,随着Pb的摩尔比增大,晶胞体积膨胀,c/a值增大.当0.6<x<0.7时,固溶体从立方相转变为四方相.Ti相对于氧八面体沿[001]方向发生了约0.01nm偏心位移时,自发极化强度显著增大,从而表现出较为明显的铁电性. 展开更多
关键词 钛酸锶铅 铁电性 密度泛函理论 虚拟晶体近似
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Sr_(0.4)Pb_(0.6)TiO_3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响 被引量：1
2
作者 赵景畅 李龙土 桂治轮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期311-315,共5页
采用固相烧结工艺制备出了Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６ＴｉＯ３半导体陶瓷元件，其阻温特性具有独特的ＮＴＣＲ和ＰＴＣＲ复合效应，陶瓷室温电阻率及居里点以下的ＮＴＣＲ效应随着烧结温度的升高而提高，适当过量ＰｂＯ则能降低陶瓷室温电阻... 采用固相烧结工艺制备出了Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６ＴｉＯ３半导体陶瓷元件，其阻温特性具有独特的ＮＴＣＲ和ＰＴＣＲ复合效应，陶瓷室温电阻率及居里点以下的ＮＴＣＲ效应随着烧结温度的升高而提高，适当过量ＰｂＯ则能降低陶瓷室温电阻率及其ＮＴＣＲ效应．利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＥＤＳ分别对样品的相结构、形貌及成份分布等进行分析，结果显示晶界中的Ｓｒ，Ｔｉ含量相对较高，而Ｐｂ含量相对较低，材料的阻温特性明显受其影响．铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现ＮＴＣＲ效应的主要原因之一，同时探讨了Ｙ３＋离子掺杂（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷的半导化机理和热敏特性． 展开更多
关键词 晶界 热敏特性 (sr pb)tio3 PTCR NTCR 半导体陶瓷
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施主掺杂(Sr,Pb)TiO_3陶瓷的正电子湮没(PAT)研究 被引量：1
3
作者 周世平 桂治轮 +1 位作者 李龙土 张孝文 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第4期331-333,共3页
本文采用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了施主掺杂（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷的半导化机制，结果表明，在低施主掺杂浓度下，半导化行为与准自由电子浓度有关，主要取决于电子补偿机制，同时晶格失氧对半导化也有贡献。高浓度时，重新... 本文采用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了施主掺杂（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷的半导化机制，结果表明，在低施主掺杂浓度下，半导化行为与准自由电子浓度有关，主要取决于电子补偿机制，同时晶格失氧对半导化也有贡献。高浓度时，重新绝缘源于缺陷的缔合。 展开更多
关键词 正电子湮没 施主 掺杂 srtio3 半导体陶瓷 PAT
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锶盐对溶胶-凝胶法制备(Sr,Pb)TiO_3纳米晶粉的影响 被引量：2
4
作者 赵丽丽 樊丽娜 +3 位作者 田泽 阎军锋 王雪文 张志勇 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期422-424,共3页
目的　比较不同锶盐对制备(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉的影响。方法　分别以硝酸锶和醋酸锶为原料,采用溶胶 凝胶法制备(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉。结果　比较了不同实验条件下,锶源不同导致形成溶胶、凝胶和(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉的差异,分析了形成... 目的　比较不同锶盐对制备(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉的影响。方法　分别以硝酸锶和醋酸锶为原料,采用溶胶 凝胶法制备(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉。结果　比较了不同实验条件下,锶源不同导致形成溶胶、凝胶和(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉的差异,分析了形成差异的原因。结论两种原料各有利弊。采用醋酸锶为锶源可以获得纯钙钛矿相的(Sr0.4Pb0.6)TiO3纳米晶粉,其平均粒径约为18nm,外观多呈球形且分散性较好。 展开更多
关键词 (sr pb)tio3 纳米晶粉 溶胶-凝胶法 钙钛矿相
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磁控溅射制备(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的实验研究 被引量：2
5
作者 孙平 王茂祥 +1 位作者 孙彤 舒庆 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第4期326-328,共3页
钛酸锶铅 ((Pb1 -xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料 ,其形成铁电相的温度较低 ,且易于和半导体工艺结合 ,应用潜力较大。本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜 ,并初步研究了其介电和铁电特性。结果表明 ,磁控溅... 钛酸锶铅 ((Pb1 -xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料 ,其形成铁电相的温度较低 ,且易于和半导体工艺结合 ,应用潜力较大。本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜 ,并初步研究了其介电和铁电特性。结果表明 ,磁控溅射得到的PST薄膜必须进行一定的热处理 ,才能使之转变为具有铁电性的钙钛矿结构的铁电薄膜。其介电特性与测试频率有关 ,试样的饱和极化强度可达 19μC cm2 ,剩余极化强度可达 6 6 μC cm2 ,矫顽场强达 16kV cm ,热释电系数达10 - 4 C m2 ·K量级 ,表明所制备的PST薄膜具有良好的铁电性。 展开更多
关键词 钛酸锶铅 磁控溅射 介电特性 铁电特性 铁电薄膜 制备
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La掺杂Sr_(0.4)Pb_(0.6)TiO_3陶瓷热敏机理研究
6
作者 赵景畅 李龙土 桂治轮 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第3期71-74,共4页
液相掺杂施主元素La ,在 110 0～ 12 0 0℃烧结制备出了Sr0 4 Pb0 6TiO3 基陶瓷。该陶瓷具有显著的NTCR PTCR复合效应 ,其室温电阻率随烧结温度提高而增大 ;而添加少量PbO用于补偿铅损失 ,则明显降低了陶瓷的室温电阻率及减弱了居里... 液相掺杂施主元素La ,在 110 0～ 12 0 0℃烧结制备出了Sr0 4 Pb0 6TiO3 基陶瓷。该陶瓷具有显著的NTCR PTCR复合效应 ,其室温电阻率随烧结温度提高而增大 ;而添加少量PbO用于补偿铅损失 ,则明显降低了陶瓷的室温电阻率及减弱了居里点下的NTCR效应。同时利用XRD ,SEM和TEM分别对陶瓷的相结构 ,形貌和畴结构进行了研究。根据实验结果 ,探讨了La掺杂Sr0 4 Pb0 6TiO3陶瓷的半导化机理及其热敏特性。 展开更多
关键词 LA掺杂 热敏机理 (sr pb)/tio3陶瓷 镧掺杂 半导化机理 半导体陶瓷 阻温特性
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(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷介电特性的测试分析
7
作者 王茂祥 孙平 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期32-34,38,共4页
采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷。对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析。1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有... 采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷。对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析。1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有所提高,介电常数ε略高(均在103量级),介电损耗D略有降低。随着工作频率的增加,样品介电常数有较明显的下降,介电损耗D略有增加。 展开更多
关键词 (pb1-xsrx)tio3铁电陶瓷 介电特性 测试分析
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BaPbO_3掺杂对(Sr,Pb)TiO_3陶瓷性能的影响 被引量：4
8
作者 万山 邱军 +1 位作者 桂治轮 李龙土 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期62-64,共3页
研究了一系列ＢａＰｂＯ３掺杂的钛酸锶铅基陶瓷的制备过程和电学性能，结果表明：低阻的ＢａＰｂＯ３的添加能显著降低材料的烧结温度，促进晶粒生长，但并不能明显降低材料的室温电阻率，ＸＰＳ分析证实了ＢａＰｂＯ３加入后在与（Ｓ... 研究了一系列ＢａＰｂＯ３掺杂的钛酸锶铅基陶瓷的制备过程和电学性能，结果表明：低阻的ＢａＰｂＯ３的添加能显著降低材料的烧结温度，促进晶粒生长，但并不能明显降低材料的室温电阻率，ＸＰＳ分析证实了ＢａＰｂＯ３加入后在与（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３固溶时，四价的Ｐｂ被还原为二价。 展开更多
关键词 掺杂 XPS 陶瓷 半导体
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Pb_xSr_(1-x)TiO_3陶瓷及薄膜的制备和性能研究
9
作者 裴亚芳 杨传仁 +2 位作者 陈宏伟 张继华 冷文健 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期710-712,716,共4页
研究了Pb的摩尔分数对PbxSr1-xTiO3（x=0．2～0．8）陶瓷微结构和介电性能的影响，当x〈0．45时晶体为立方相，x≥0．45时为四方相；随着Pb的摩尔分数增大，陶瓷气孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐渐增大，居里峰近似线性地向高温方向... 研究了Pb的摩尔分数对PbxSr1-xTiO3（x=0．2～0．8）陶瓷微结构和介电性能的影响，当x〈0．45时晶体为立方相，x≥0．45时为四方相；随着Pb的摩尔分数增大，陶瓷气孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐渐增大，居里峰近似线性地向高温方向移动，并具有一致的居里外斯常数。采用射频磁控溅射法在Pt／Ti／SiO2／Si（100）上制备了Pb0.3Sr0．7TiO3（PST30）薄膜，经550℃退火后为（111）择优取向的多晶薄膜，1kHz下的可调率为21．8％。 展开更多
关键词 pbxsr1-xtio3陶瓷 射频磁控溅射 pb0.3sr0.7tio3(PST30)薄膜 微结构 介电性能
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Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3陶瓷材料的制备及介电特性研究 被引量：12
10
作者 杨文 常爱民 +1 位作者 庄建文 杨邦朝 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期822-826,共5页
采用溶胶-凝胶工艺制备了Ba0.65Sr0.35TiO3粉体,并利用微波烧结技术对粉体进行了合成和烧结,研究分析了样品的介电特性,并与传统制备工艺获得的样品进行了性能比较.实验结果表明,获得的Ba0.65Sr0.35TiO3粉体颗粒较细,其合成温度和烧结... 采用溶胶-凝胶工艺制备了Ba0.65Sr0.35TiO3粉体,并利用微波烧结技术对粉体进行了合成和烧结,研究分析了样品的介电特性,并与传统制备工艺获得的样品进行了性能比较.实验结果表明,获得的Ba0.65Sr0.35TiO3粉体颗粒较细,其合成温度和烧结成瓷温度都较传统工艺有大幅度降低,分别为900和1310℃;可以获得晶粒尺寸在1μm以内的陶瓷;随晶粒的减小,材料的相对介电常数变化不大,而介电损耗大大降低. 展开更多
关键词 Ba0.65sr0.35tio3 钛酸锶钡陶瓷 微波烧结 溶胶-凝胶 介电特性
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(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3薄膜的制备及性能的研究 被引量：10
11
作者 刘梅冬 刘少波 +2 位作者 曾亦可 李楚容 邓传益 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期41-43,共3页
选用 Ba(C2 H3O2 ) 2 、Sr(C2 H3O2 ) 2 · 1/ 2 H2 O和 Ti(OC4H9) 4为原材料 ,冰醋酸为催化剂 ,乙二醇乙醚为溶剂。用改进的溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si基片上成功地制备出钙钛矿型结构的 (Ba1 - x Srx) Ti O3薄膜。该薄... 选用 Ba(C2 H3O2 ) 2 、Sr(C2 H3O2 ) 2 · 1/ 2 H2 O和 Ti(OC4H9) 4为原材料 ,冰醋酸为催化剂 ,乙二醇乙醚为溶剂。用改进的溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si基片上成功地制备出钙钛矿型结构的 (Ba1 - x Srx) Ti O3薄膜。该薄膜是制备铁电动态随机存取存储器、微波电容和非致冷红外焦平面阵列的优选材料 ;分析了薄膜的结构 ;测试了薄膜的介电和铁电性能。在室温 10 k Hz下 ,(Ba0 .73Sr0 .2 7) Ti O3薄膜介电系数和损耗分别为 30 0和 0 .0 3。在室温 1k Hz下 ,(Ba0 .95 Sr0 .0 5 ) Ti O3薄膜剩余极化强度和矫顽场分别为 3μC/ cm2和 5 0 k V/ 展开更多
关键词 钛电薄膜 溶胶-凝胶技术 BST薄膜
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熔盐合成技术制备片状(Sr,Ba)TiO_3晶粒 被引量：6
12
作者 张晓泳 周科朝 +1 位作者 李志友 侯俊峰 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期871-877,共7页
以KCl为助熔剂,采用熔盐合成技术制备片状(Sr,Ba)TiO3晶粒,研究不同前驱体及反应方式对产物相组成和形貌的影响。结果表明:BaO与片状SrTiO3反应可获得以(Sr,Ba)TiO3为主相的产物,产物相在SrTiO3表面无规则析出且非取向长大,经烧结后形... 以KCl为助熔剂,采用熔盐合成技术制备片状(Sr,Ba)TiO3晶粒,研究不同前驱体及反应方式对产物相组成和形貌的影响。结果表明:BaO与片状SrTiO3反应可获得以(Sr,Ba)TiO3为主相的产物,产物相在SrTiO3表面无规则析出且非取向长大,经烧结后形成片状多晶团聚体;片状Sr3Ti2O7与BaO和TiO2反应所得产物也以(Sr,Ba)TiO3为主,同时生成少量(Sr,Ba)3Ti2O7相,产物中除片状(Sr,Ba)TiO3晶粒外,还通过Sr2+置换由BaO与TiO2反应所得块状BaTiO3晶粒中的Ba2+、以及反应物溶解?反应?析出生成许多块状和无规则状小晶粒;对于两步合成工艺,Sr3Ti2O7先与BaO反应可得到片状(Sr,Ba)3Ti2O7,与TiO2二次反应后得到片状(Sr,Ba)TiO3晶粒;由于此方式没有生成块状BaTiO3这一过程,产物中非片状晶粒数量大幅度减少。 展开更多
关键词 (sr Ba)tio3 片状晶粒 熔盐合成
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化学溶液法制备的Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜的结构及光学特性研究 被引量：10
13
作者 王根水 赖珍荃 +7 位作者 于剑 孟祥建 孙憬兰 郭少令 褚君浩 金承钰 李刚 路庆华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期37-40,共4页
采用高度稀释的前驱体溶液在LaNiO3 (LNO)薄膜上沉积了Ba0 .9Sr0 .1TiO3 (BST)薄膜 .X 射线衍射分析表明BST薄膜呈高度的 (10 0 )择优取向 .原子力显微镜测量发现制备的BST薄膜具有大的晶粒尺寸 80～ 2 0 0nm .用椭偏光谱仪测量了光子... 采用高度稀释的前驱体溶液在LaNiO3 (LNO)薄膜上沉积了Ba0 .9Sr0 .1TiO3 (BST)薄膜 .X 射线衍射分析表明BST薄膜呈高度的 (10 0 )择优取向 .原子力显微镜测量发现制备的BST薄膜具有大的晶粒尺寸 80～ 2 0 0nm .用椭偏光谱仪测量了光子能量为 0 .7～ 3.4eV范围内BST薄膜的椭偏光谱 ,用Cauchy模型描述BST薄膜的光学性质 ,获得了BST薄膜的光学常数谱和禁带宽度Eg=3.36eV . 展开更多
关键词 化学溶液法 BST薄膜 椭偏光谱 光学常数谱 制备 结构 光学特性 钛酸锶钡化合物 钛电薄膜 Ba0.9sr0.1tio3
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溶胶-凝胶法制备(Ba,Sr)TiO_3薄膜的新技术路线研究 被引量：3
14
作者 李桂英 余萍 +2 位作者 于光龙 王欢 肖定全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期343-345,共3页
碳酸钡和碳酸锶是无机盐化工基础原料,钡、锶的醇盐或醋酸盐都需通过其碳酸盐制备而得,本文探索了一种有利于降低成本的新实验路线和更为原子经济的新工艺。直接采用碳酸盐为原料,采用 sol gel法制备了 Ba0.8 Sr0.2 TiO3 (BST)薄膜;并利... 碳酸钡和碳酸锶是无机盐化工基础原料,钡、锶的醇盐或醋酸盐都需通过其碳酸盐制备而得,本文探索了一种有利于降低成本的新实验路线和更为原子经济的新工艺。直接采用碳酸盐为原料,采用 sol gel法制备了 Ba0.8 Sr0.2 TiO3 (BST)薄膜;并利用 X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱分析(XPS)等对 BST 薄膜的晶体结构和表面形貌及化学组态进行了分析。结果表明,利用碳酸盐代替醋酸盐为原料,采用 sol gel 技术制备 BST 铁电薄膜,能制备出均匀清澈的溶胶;所制备的 BST薄膜均匀致密,几乎为全钙钛矿结构。化学组态分析也表明所制备的薄膜中的钡、锶、钛、氧 4 种元素都以钙钛矿相结构中各元素相应的化学态存在。 展开更多
关键词 碳酸盐 SOL-GEL法 Ba0.8 sr0.2 tio3 铁电薄膜
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高Q值(1-x)(Sr_(0.2)Nd_(0.208)Ca_(0.488))TiO_3-xNd(Ti_(0.5)Mg_(0.5))O_3微波陶瓷的微结构及介电性能研究 被引量：4
15
作者 屈婧婧 魏星 +2 位作者 经本钦 刘飞 袁昌来 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1213-1217,共5页
采用固相法制备了（1–x）（Sr0.2Nd0.208Ca0.488）Ti O3-x Nd（Ti0.5Mg0.5）O3（0.3≤x≤0.4,SNCT-NTMx）系微波介质陶瓷材料,并研究了该体系的相组成、显微结构、烧结性能和微波介电性能之间的关系。结果表明：在x=0.3~0.35范围内,SNC... 采用固相法制备了（1–x）（Sr0.2Nd0.208Ca0.488）Ti O3-x Nd（Ti0.5Mg0.5）O3（0.3≤x≤0.4,SNCT-NTMx）系微波介质陶瓷材料,并研究了该体系的相组成、显微结构、烧结性能和微波介电性能之间的关系。结果表明：在x=0.3~0.35范围内,SNCT-NTMx陶瓷形成了正交钙钛矿固溶体,并伴随有少量未知第二相;当x增至0.4时,第二相含量有所增加。介电性能研究结果显示：随着x的增加,体系介电常数（εr）减小,但品质因子（Q×f）得到改善;此外,体系谐振频率温度系数（τf）随NTM含量的增加逐渐向负值方向移动。当x=0.35,陶瓷样品在1520℃烧结4 h得到的微波介电性能较优：εr=50.1,Q×f=44910 GHz,τf=–1.7×10-6/℃。 展开更多
关键词 (sr0.2Nd0.208Ca0.488)tio3 Nd(Ti0.5Mg0.5)O3 钙钛矿 微波介电性能
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铈掺杂Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3的改性研究 被引量：3
16
作者 王宁章 李建业 +2 位作者 刘静 宁吉 高雅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期32-34,46,共4页
铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小。用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与... 铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小。用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与锶的最佳物质的量比为5∶3;ZnO作为受主掺杂剂将样品的非线性系数提高到10以上,降低了介电损耗,其最佳的掺杂量为0.7%(摩尔分数)。最后用扫描电镜分析了掺杂ZnO样品的微观形貌。 展开更多
关键词 BA0 1sr0 9tio3陶瓷 二氧化钛 氧化锌 烧结助剂 介电性能
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(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3铁电薄膜的制备工艺及电学性质研究 被引量：5
17
作者 赵敏 张荣君 +1 位作者 顾豪爽 徐纪平 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期71-74,共4页
采用溶胶 凝胶方法制备出纯立方钙钛矿相、介电性能和漏电流特性良好的 (Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 铁电薄膜 .研究发现 ,随着烧结温度的升高 ,(Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 薄膜纯度和结晶度增高 ,介电常数提高 ,漏电流密度降低 .在 75 0℃进行保温 1... 采用溶胶 凝胶方法制备出纯立方钙钛矿相、介电性能和漏电流特性良好的 (Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 铁电薄膜 .研究发现 ,随着烧结温度的升高 ,(Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 薄膜纯度和结晶度增高 ,介电常数提高 ,漏电流密度降低 .在 75 0℃进行保温 1h热处理的薄膜性能较好且稳定 :在室温下测得薄膜介电常数为 2 5 0 ,介电损耗为 0 .0 30 ,漏电流密度为 6 .9× 10 -8A/cm2 .较高的介电常数、较低的漏电流密度可能源于良好的纯度和结晶度 .进一步研究表明 ,薄膜导电遵从空间电荷限制电流机制 . 展开更多
关键词 (Ba0.5sr0.5)tio3 铁电薄膜 制备工艺 电学性质 溶胶-凝胶法 介电性能 漏电流密度 钛酸锶钡
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Al_2O_3掺杂对Ca_(0.2)Sr_(0.05)Li_(0.375)Sm_(0.375)TiO_3微波介电性能的影响 被引量：3
18
作者 杨涛 袁昌来 +3 位作者 陈国华 刘飞 周昌荣 杨云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期655-659,671,共6页
采用固相烧结法制备了掺杂Al2O3的Ca0.2Sr0.05Li0.375Sm0.375Ti O3微波介质陶瓷。研究了Al2O3掺杂对Ca0.2Sr0.05Li0.375Sm0.375Ti O3的助烧效果、物相结构、显微组织和微波介电性能的影响规律。结果表明:Al2O3的添加降低了Ca0.2Sr0.05Li... 采用固相烧结法制备了掺杂Al2O3的Ca0.2Sr0.05Li0.375Sm0.375Ti O3微波介质陶瓷。研究了Al2O3掺杂对Ca0.2Sr0.05Li0.375Sm0.375Ti O3的助烧效果、物相结构、显微组织和微波介电性能的影响规律。结果表明:Al2O3的添加降低了Ca0.2Sr0.05Li0.375Sm0.375Ti O3陶瓷的烧成温度,但对物相基本无影响。此外,高含量Al2O3的添加能促进晶粒细化。此体系陶瓷的最佳介电性能为:Al2O3含量为0.9wt%且烧成温度为1250℃时,εr=110.8、Q·f=4159.6 GHzτf=49.4 ppm/℃。 展开更多
关键词 固相烧结 微波介质陶瓷 AL2O3 Ca0.2sr0.05Li0.375Sm0.375tio3 介电性能
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快速热处理对(Ba,Sr)TiO_3薄膜晶化行为的影响 被引量：3
19
作者 张勤勇 蒋书文 李言荣 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期115-118,共4页
采用射频溅射法在Si(111)基片上制备了(Ba,Sr)TiO3(BST)薄膜,并对制备的薄膜进行了快速退火热处理。采用X射线衍射和原子力显微镜分析了退火温度、退火时间和加热速度对BST薄膜晶化行为的影响。研究结果表明,BST薄膜的晶化行为强烈依赖... 采用射频溅射法在Si(111)基片上制备了(Ba,Sr)TiO3(BST)薄膜,并对制备的薄膜进行了快速退火热处理。采用X射线衍射和原子力显微镜分析了退火温度、退火时间和加热速度对BST薄膜晶化行为的影响。研究结果表明,BST薄膜的晶化行为强烈依赖于退火温度、退火时间和加热速度。BST薄膜的结晶度随退火温度的升高而提高。适当的热处理可降低BST薄膜的表面粗糙度,BST薄膜的表面粗糙度随退火温度的升高经历了一个先降低后增大的过程,但退火后BST薄膜的表面粗糙度都小于制备态薄膜的表面粗糙度。BST薄膜的晶粒尺寸随退火温度的升高经历了一个先增大后减小的过程。随退火时间的延长,BST薄膜的特征衍射峰越来越强,薄膜的晶化程度越来越高。随退火时间的延长,BST薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度也经历了一个先增大后减小的过程。BST薄膜的晶粒大小主要由退火温度决定。高的升温速率可获得较小的晶粒。 展开更多
关键词 (Ba sr)tio3薄膜 晶化 快速退火热处理 XRD AFM
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Mn掺杂Ca_(0.16)Sr_(0.04)Li_(0.4)Nd_(0.4)TiO_3微波介质陶瓷介电性能的研究 被引量：3
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作者 周秀娟 袁昌来 +3 位作者 陈国华 周昌荣 杨云 蒙柳方 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2224-2230,共7页
采用传统固相法制备了MnO2掺杂Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3微波介质陶瓷,并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、网络矢量分析仪和精密阻抗分析仪对微波陶瓷的物相结构、表面形貌、介电性能和电学微结构进行了分析。结果表明掺杂MnO2部分... 采用传统固相法制备了MnO2掺杂Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3微波介质陶瓷,并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、网络矢量分析仪和精密阻抗分析仪对微波陶瓷的物相结构、表面形貌、介电性能和电学微结构进行了分析。结果表明掺杂MnO2部分进入Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3陶瓷晶格Ti4+位中并导致衍射主峰衍射角向高角度轻微偏移,所得陶瓷晶粒大小约5μm。随着MnO2含量的增加,观察到显著的Mn-Li氧化物杂相,过高的MnO2掺杂使得Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3陶瓷晶粒的主要生长方向由(200)变为(220)。MnO2含量的增加使得陶瓷介电常数εr从140降至122,品质因子Qf从1450显著升至1960 GHz,谐振温度系数τf较为稳定且均为40 ppm/℃左右。陶瓷内部由Li+陶瓷表面电学阻抗、晶界阻抗、晶壳和晶核形成的晶粒阻抗构成,其中晶界的电阻贡献主要来自于Li+挥发或析出形成的阳离子空位电导;晶壳和晶核电阻为电子-空穴与氧空位相互耦合形成的电导。微波陶瓷的介质损耗主要来自于晶粒区域晶核的高度半导化各构成电学微结构部件载流子束缚能力大小与活化能规律趋于一致。 展开更多
关键词 Ca0.16sr0.04Li0.4Nd0.4tio3 微波介质陶瓷 固相法 介电性能
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