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题名高纯硒化镉(CdSe)多晶原料的合成研究
被引量：2
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作者
倪友保
陈诗静
吴海信
张春丽
黄昌保
王振友
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机构
中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所安徽省光子器件与材料重点实验室
中国科学技术大学
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出处
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第7期1203-1208,共6页
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基金
中国科学院科技创新基金(CXJJ-16M128)
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文摘
硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点。为此实验室对传统高温元素合成法进行优化,利用理论计算的反应温度点为指导,辅以外部加压,控制内外压差,有效实现原料的批量、安全合成,单次可合成200 g,经粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG/DTA)、等离子发射光谱仪(ICP)等测试,合成的原料质量较好,能生长出较大尺寸单晶。文中对合成过程可能的纯度影响因素及控制措施也进行了相应讨论。
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关键词
硒化镉
多晶合成
ⅱ-ⅵ族半导体
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Keywords
CdSe
polycrystalline synthesis
ⅱ-ⅵ group semiconductor
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分类号
O78
[理学—晶体学]
TN21
[电子电信—物理电子学]
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