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掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究
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作者 刘雄飞 徐根 李伯勋 《郑州大学学报(工学版)》 CAS 北大核心 2010年第1期52-55,共4页
采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了... 采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了不同掺氮流量比下沉积薄膜的Fower-Nord-heim曲线.研究结果表明,氮氟化非晶碳膜是良好的冷阴极发射材料.射频功率的提升,有利于薄膜质量和性能改善;硅陈列沉积FN-DLC膜场测试的场发射电流的重复性能较直接沉积的更加稳定优良;F-N曲线基本为直线,掺氮氟化非晶碳膜的场发射为冷阴极发射,逸出功随着含氮量的升高而增大. 展开更多
关键词 掺氮氟化非晶碳膜 表面结构 f-n曲线 重复性
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金刚石的场致发射 被引量:6
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作者 廖梅勇 张智 +1 位作者 廖克俊 王万录 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期55-57,64,共4页
报道了金刚石膜的低电场、大电流阴极发射电流现象。总结了几种不同类型样品结构的发射机理。提出了增强发射电流、提高发射稳定性的方法。综述了各种影响发射电流的因素,提出了较为统一的发射电流表达式,使得金刚石膜的发射电流符合... 报道了金刚石膜的低电场、大电流阴极发射电流现象。总结了几种不同类型样品结构的发射机理。提出了增强发射电流、提高发射稳定性的方法。综述了各种影响发射电流的因素,提出了较为统一的发射电流表达式,使得金刚石膜的发射电流符合F-N理论。 展开更多
关键词 金刚石膜 场致发射 f-n曲线
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氮掺杂氟化非晶碳薄膜的拉曼光谱结构研究 被引量:3
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作者 张云芳 《绝缘材料》 CAS 2006年第4期48-50,55,共4页
以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体,采用PECVD技术,在不同源气体流量比下制备了α-C:F:N薄膜。对制备的薄膜进行了真空退火处理,并对退火前后的薄膜进行了拉曼结构分析。拉曼分析表明:α-C:F:N薄膜是由sp2和sp3混合结构组成的非晶碳薄膜... 以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体,采用PECVD技术,在不同源气体流量比下制备了α-C:F:N薄膜。对制备的薄膜进行了真空退火处理,并对退火前后的薄膜进行了拉曼结构分析。拉曼分析表明:α-C:F:N薄膜是由sp2和sp3混合结构组成的非晶碳薄膜;随源气体流量比的增大,α-C:F:N薄膜中sp2键的含量增加,交联结构加强,薄膜的热稳定性得到提高;对低流量比下沉积的薄膜,退火处理可以提高其热稳定性。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积 氮掺杂氟化非晶碳薄膜 拉曼光谱
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