-
题名双E型硅加速度传感器的研制
被引量：4
- 1
-
-
作者
唐世洪
张克梅
-
机构
湖南吉首大学物理与电子工程系
-
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2001年第4期340-343,共4页
-
文摘
本文在简要介绍了 ,利用硅的各向异性腐蚀工艺研制的 ,双 E非整体弹性膜式硅芯片结构的同时 ,又较详细地报告了 ,用此芯片封装成的硅加速度敏感元件及硅加速度传感器结构 。
-
关键词
各向异性腐蚀
双E型硅弹性膜
硅加速度传感器
-
Keywords
anisotropic wet etching
dual E form of silicon chip
Si accelerometer.
-
分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
-
-
题名双E形结构硅压力传感器的研制
被引量：2
- 2
-
-
作者
唐世洪
-
机构
湖南吉首大学物理与电子工程系
-
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2001年第1期26-27,共2页
-
文摘
介绍利用硅的各向异性腐蚀工艺腐蚀出的一种双E形结构非整体结构弹性膜硅芯片及用此芯片封装成的压力敏感元件。借助于这种硅芯片与不同厚度的封孔膜结合 。
-
关键词
各向异性腐蚀
双E形结构硅弹性膜
压力传感器
-
Keywords
anisotropic wet etching
dual-e form of silicon chip
pressure transducer
-
分类号
TP212.12
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
-
-
题名圆柱形硅通孔的二维解析电容模型
被引量：2
- 3
-
-
作者
张青青
喻文健
骆祖莹
-
机构
北京师范大学信息科学与技术学院
清华大学计算机科学与技术系
-
出处
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2014年第7期1521-1527,共7页
-
基金
国家自然科学基金(61076034
61274033
+1 种基金
61271198)
北京市自然科学基金(4132047)资助~~
-
文摘
精确提取三维芯片中硅通孔(Through Silicon Via,TSV)电容在三维芯片设计中至关重要.使用后钻孔工艺(Via-last technology)制造的TSV将贯穿导体层,使得TSV和互连线之间的耦合电容需要精确建模.文中提出的解析公式方法可以快速提取圆柱形TSV与互连线间的二维耦合电容.对于较短的互连线,文中采用基于最小二乘拟合得到的解析公式,而对于较长的互连线,使用基于电场模拟得到的解析公式.数值实验表明和商业软件Raphael相比,文中方法可以在结果误差不超过9.1%的情况下获得至少三千倍的加速.
-
关键词
圆柱形硅通孔
三维芯片
解析模型
电容提取
-
Keywords
cylindrical through silicon via
three-dimensional chip； close-form formula
capacitanceextraction
-
分类号
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
