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Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文): 1; 作者沈波李卫平 +10 位作者周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期57-60,共4页; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 展开更多; 关键词 C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 alxga1-xn/gan; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文): 2; 作者郑泽伟沈波 +11 位作者刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有火斗蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期67-70,共4页; 在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的... 展开更多; 关键词磁传输特性二维电子气 alxG1-xn/gan; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN和Al_xGa_(1-x)N薄膜材料研究进展被引量：1: 3; 作者陈伟华叶志镇《材料科学与工程》 CSCD 1997年第1期1-5,共5页; ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ是发兰光的关键材料，是目前光电子材料中最引人注目、必须攻克的课题。本文综述了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料的研究现状，重点介绍了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料近年来在性能评价。; 关键词薄膜氮化镓光电子材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃/Al_xGa_1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1: 4; 作者沈波李卫平 +10 位作者周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期57-60,共4页; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 展开更多; 关键词 C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 alxga1-xn/gan; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al_xGa_1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）: 5; 作者郑泽伟沈波 +11 位作者刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有炓蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期67-70,共4页; 在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的... 展开更多; 关键词磁传输特性二维电子气 alxG1-xn/gan; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文): 1; 作者沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 机构南京大学物理系 Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期57-60,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) 国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) +1 种基金国家高技术研究和发展项目日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 文摘通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。; 关键词 C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 alxga1-xn/gan; Keywords C V property Pb(ZrTi)O 3 ferroelectric film al xga 1-xn/gan; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文): 2; 作者郑泽伟沈波刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有火斗蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩 Someya T Arakawa Y; 机构南京大学物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期67-70,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) 国家高技术研究和发展计划项目日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 文摘在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。; 关键词磁传输特性二维电子气 alxG1-xn/gan; Keywords magnetotransport property tw o dimenlional electron gas al xga 1-xn/gan; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN和Al_xGa_(1-x)N薄膜材料研究进展被引量：1: 3; 作者陈伟华叶志镇; 机构浙江大学硅材料国家重点实验室; 出处《材料科学与工程》 CSCD 1997年第1期1-5,共5页; 文摘ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ是发兰光的关键材料，是目前光电子材料中最引人注目、必须攻克的课题。本文综述了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料的研究现状，重点介绍了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料近年来在性能评价。; 关键词薄膜氮化镓光电子材料; Keywords gan \ al xga 1-x N \ Films\ Advances; 分类号 TN204 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃/Al_xGa_1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1: 4; 作者沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 机构南京大学物理系 Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期57-60,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) 国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) +1 种基金国家高技术研究和发展项目日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 文摘通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。; 关键词 C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 alxga1-xn/gan; Keywords C V property Pb(ZrTi)O 3 ferroelectric film al xga 1-xn/gan; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Al_xGa_1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）: 5; 作者郑泽伟沈波刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有炓蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩 Someya T Arakawa Y; 机构南京大学物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期67-70,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) 国家高技术研究和发展计划项目日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 文摘在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。; 关键词磁传输特性二维电子气 alxG1-xn/gan; Keywords magnetotransport property tw o dimenlional electron gas al xga 1-xn/gan; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)	沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文)	郑泽伟沈波刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有火斗蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩 Someya T Arakawa Y	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaN和Al_xGa_(1-x)N薄膜材料研究进展	陈伟华叶志镇	《材料科学与工程》 CSCD	1997	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃/Al_xGa_1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）	沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Al_xGa_1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）	郑泽伟沈波刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有炓蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩 Someya T Arakawa Y	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料