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基因循环存储模块的SEU自检 被引量:4
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作者 李丹阳 蔡金燕 +1 位作者 孟亚峰 朱赛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期312-318,共7页
胚胎电子细胞的基因循环存储模块在辐射空间容易受到单粒子翻转(SEU)影响,由于缺乏有效的自检手段,严重制约了胚胎电子阵列在深空等辐射环境中的应用。本文设计了一种新型的具有SEU自修复能力的触发器单元,并结合汉明纠错码,设计了一种... 胚胎电子细胞的基因循环存储模块在辐射空间容易受到单粒子翻转(SEU)影响,由于缺乏有效的自检手段,严重制约了胚胎电子阵列在深空等辐射环境中的应用。本文设计了一种新型的具有SEU自修复能力的触发器单元,并结合汉明纠错码,设计了一种新型的具有SEU自检和自修复能力的基因循环存储模块,可以在维持胚胎电子细胞阵列正常工作的情况下,实时有效的检测并修复1 bit SEU。以2 bit进位加法器为例,通过仿真实验,验证了胚胎电子细胞的SEU自检和自修复能力。 展开更多
关键词 胚胎电子细胞 基因循环存储模块 单粒子翻转(seu) 汉明码 自修复
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空间DSP信息处理系统存储器SEU加固技术研究 被引量:12
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作者 贺兴华 肖山竹 +3 位作者 张路 张开锋 陶华敏 卢焕章 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期472-477,共6页
当前以高性能DSP为核心的信息处理系统被广泛应用于空间飞行器电子系统中。DSP系统为实现大数据量信息处理,通常需要扩展其外部存储器。而存储器件在空间应用中容易发生单粒子翻转(SEU:SingleEventUpset),使得存储器件中数据发生改变,... 当前以高性能DSP为核心的信息处理系统被广泛应用于空间飞行器电子系统中。DSP系统为实现大数据量信息处理,通常需要扩展其外部存储器。而存储器件在空间应用中容易发生单粒子翻转(SEU:SingleEventUpset),使得存储器件中数据发生改变,从而导致系统计算结果错误,甚至可能导致系统功能失效。在介绍信息处理系统存储器件SEU机理的基础上,针对DSP信息处理系统存储器的结构特点,提出了一种基于"反熔丝型PROM+TMR加固设计FLASH+EDAC加固设计SRAM"结构的存储器SEU加固设计方案,并进行了原型实现。实验分析表明该设计具有较好的抗SEU性能和较强的实时性,可以为同类型的空间信息处理系统设计提供参考。 展开更多
关键词 空间信息处理系统 数字信号处理器 存储器 单粒子翻转效应 错误检测与纠正
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美国几架航天飞机所发生的SEU研究 被引量:8
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作者 古士芬 臧振群 +1 位作者 师立勤 吴中华 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期253-260,共8页
本文对1991年美国发射的5架不同倾角不同高度的低地球轨道航天飞机所遇到的单粒子翻转事件进行了考查和研究.结果证实在极光区和南大西洋异常区仍可能发生大量单粒子事件,大大地影响到航天器的安全,对此文中给出了一些结论和建议.
关键词 航天器异常 航天飞机 单粒子翻转事件 seu
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基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析 被引量:2
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作者 李海松 杨博 +2 位作者 蒋轶虎 高利军 杨靓 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期458-463,共6页
基于65 nm体硅CMOS工艺,采用移位寄存器链方式对普通触发器(DFF)、2种双互锁触发器(DICE-DFF,FDICE-DFF)、普通触发器空间三模冗余(TMR-DFF)和2种普通触发器时间三模冗余(TTMR-DFF300,TTMR-DFF600)这6种结构进行单粒子翻转(SEU)性能试... 基于65 nm体硅CMOS工艺,采用移位寄存器链方式对普通触发器(DFF)、2种双互锁触发器(DICE-DFF,FDICE-DFF)、普通触发器空间三模冗余(TMR-DFF)和2种普通触发器时间三模冗余(TTMR-DFF300,TTMR-DFF600)这6种结构进行单粒子翻转(SEU)性能试验评估。利用Ti、Cu、Br、I、Au和Bi这6种离子对被测电路进行轰击,试验结果表明,普通触发器单粒子翻转截面最大,约为3.5×10^(−8)~1.7×10^(−7) cm^(2)/bit;时钟间隔时间600 ps的时间三模冗余结构触发器单粒子翻转截面最小,约为5×10^(−11)~7×10^(−10)cm^(2)/bit,仅为普通触发器的0.1%左右。同时,针对6种触发器单元,从速度、面积、晶体管数量以及抗SEU性能多方面进行综合分析,为后续超大规模集成电路抗SEU设计提供了一定的指导意义。 展开更多
关键词 翻转截面 触发器 双互锁触发器 单粒子翻转 三模冗余
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基于DICE单元的抗SEU加固SRAM设计 被引量:5
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作者 孙永节 刘必慰 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期158-163,共6页
DICE单元是一种有效的SEU加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读写过程中发生的SEU失效以及其外围电路中发生的失效,仍然是加固SRAM中的薄弱环节。针对这些问题,提出了分离位线结构以解决DICE单元读写过程中的翻转问题,并采用双模冗余... DICE单元是一种有效的SEU加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读写过程中发生的SEU失效以及其外围电路中发生的失效,仍然是加固SRAM中的薄弱环节。针对这些问题,提出了分离位线结构以解决DICE单元读写过程中的翻转问题,并采用双模冗余的锁存器加固方法解决外围电路的SEU问题。模拟表明本文的方法能够有效弥补传统的基于DICE单元的SRAM的不足。 展开更多
关键词 seu加固 SRAM DICE单元
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基于March C-算法的SRAM芯片的SEU失效测试系统 被引量:2
6
作者 王鹏 李振 +1 位作者 邵伟 薛茜男 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第5期803-807,共5页
为实现SRAM芯片的单粒子翻转故障检测,基于LabVIEW和FPGA设计了一套存储器测试系统:故障监测端基于LabVIEW开发了可视化的测试平台,执行数据的采集、存储及结果分析任务,板卡测试端通过FPGA向参考SRAM和待测SRAM注入基于March C-算法的... 为实现SRAM芯片的单粒子翻转故障检测,基于LabVIEW和FPGA设计了一套存储器测试系统:故障监测端基于LabVIEW开发了可视化的测试平台,执行数据的采集、存储及结果分析任务,板卡测试端通过FPGA向参考SRAM和待测SRAM注入基于March C-算法的测试向量,通过NI公司的HSDIO-6548板卡采集2个SRAM的数据,根据其比较结果判定SEU故障是否发生。该系统可以实时监测故障状态及测试进程,并且具有较好的可扩展性。 展开更多
关键词 仿真测试 单粒子翻转 LabVIEW MARCH C-算法 SRAM
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民用机载电子硬件的SEU效应FPGA仿真测试研究 被引量:2
7
作者 薛茜男 王鹏 +1 位作者 田毅 白杰 《电子器件》 CAS 北大核心 2013年第1期68-72,共5页
针对民用机载电子硬件的现场可编程门阵列(FPGA)芯片高使用频率和长时间运行的特点,以及联邦航空管理局(FAA)等提出的审查条例对单粒子翻转效应(SEU)的防护要求,介绍了民用机载电子硬件的SEU效应评估研究的必要性。并且从民用机载电子... 针对民用机载电子硬件的现场可编程门阵列(FPGA)芯片高使用频率和长时间运行的特点,以及联邦航空管理局(FAA)等提出的审查条例对单粒子翻转效应(SEU)的防护要求,介绍了民用机载电子硬件的SEU效应评估研究的必要性。并且从民用机载电子硬件主流的三模冗余容错电路入手,设计了SEU效应仿真测试电路。将冗余系统与多时钟沿触发相结合,提高了系统的检错能力。对冗余系统进行仿真SEU故障注入,通过与参照单元的比较,可对SEU效应引起的失效的发生进行仿真测试。 展开更多
关键词 民用航空 seu 检错电路 多时钟沿 FPGA
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CMOS APS用移位寄存器抗SEU加固方法 被引量:1
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作者 孟丽娅 刘泽东 +1 位作者 胡大江 王庆祥 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B09期577-581,共5页
电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对单粒子瞬态(SET)最敏... 电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对单粒子瞬态(SET)最敏感的节点存在于反相器的输入端,反相器的输入阈值电压和输入节点电容决定了其抗SEU的能力。提出了用施密特触发器代替反相器的加固方案,因施密特触发器的电压传输特性存在一滞回区间,所以有更高的翻转阈值,从而可获得更好的抗SEU能力。仿真结果表明,采用施密特触发器的移位寄存器结构较原电路结构的抗SEU能力提高了约10倍。 展开更多
关键词 APS 移位寄存器 seu加固 施密特触发器
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一种针对SEU的同步纠错流水线设计 被引量:1
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作者 王党辉 辛明瑞 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期941-945,共5页
单粒子效应是星载计算机工作异常和发生故障的重要诱因之一,国内外多颗卫星曾遭受了单粒子效应的危害,造成巨大的经济损失。文章提出了一种同步纠错的流水线结构,对错误的检测与纠正进行了任务分解;当存在可纠正错误时,将纠正后的数据... 单粒子效应是星载计算机工作异常和发生故障的重要诱因之一,国内外多颗卫星曾遭受了单粒子效应的危害,造成巨大的经济损失。文章提出了一种同步纠错的流水线结构,对错误的检测与纠正进行了任务分解;当存在可纠正错误时,将纠正后的数据写入寄存器堆之后重启流水线。采用直接纠错流水线技术的Longtium-FT2容错处理器的抗辐射总剂量能力在采用普通商用加工工艺实现时达到了30 krad(Si)。 展开更多
关键词 微处理器芯片 可靠性 抗辐射 单粒子效应 同步纠错流水线
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基于FPGA与Raspberry Pi的SEU测试系统设计 被引量:3
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作者 孟令军 顾泽凌 +2 位作者 任楷飞 王志国 张敏 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第5期1231-1236,共6页
为了检测在大气粒子辐照条件下,FPGA产生翻转效应的误码率,设计了一种基于FPGA与Raspberry Pi的单粒子翻转效应测试系统。该设计采用FPGA作为系统主控,接收GPS实时信息并根据GPS的秒脉冲进行工作;主控FPGA对被测FPGA进行数据下载与回读... 为了检测在大气粒子辐照条件下,FPGA产生翻转效应的误码率,设计了一种基于FPGA与Raspberry Pi的单粒子翻转效应测试系统。该设计采用FPGA作为系统主控,接收GPS实时信息并根据GPS的秒脉冲进行工作;主控FPGA对被测FPGA进行数据下载与回读,并将比较结果发送到接口FPGA;首次采用Raspberry Pi作为上位机与接口FPGA进行通信,并将测试结果实时屏显同时保存到Micro SD卡,提高了存储的灵活性。通过青藏高原实测结果表明,该设计能实时显示测试结果,中子测试结果与中子探测仪保持一致,系统工作长时间保持稳定。现场获得了有效的测试数据,该系统满足设计要求。 展开更多
关键词 中子 FPGA RASPBERRY PI 单粒子翻转 测试
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一种用刷新技术实现SRAM抗SEU错误累积的方法
11
作者 陈庆宇 吴龙胜 +1 位作者 郝奎 艾刁 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第7期113-117,共5页
为了防止空间应用SRAM出现SEU错误累积,提出了一种优化的读→校验→回写刷新机制.该机制实时监测处理器状态,当处理器对外部主存进行读操作时,由存储器控制器自主地(即不需处理器干预)对读操作的存储单元进行刷新操作;当处理器进行访问... 为了防止空间应用SRAM出现SEU错误累积,提出了一种优化的读→校验→回写刷新机制.该机制实时监测处理器状态,当处理器对外部主存进行读操作时,由存储器控制器自主地(即不需处理器干预)对读操作的存储单元进行刷新操作;当处理器进行访问外部主存以外的其他操作时,由存储器控制器自主的对所有的存储单元进行遍历式刷新操作,该机制可以避免长时间未被读的存储单元发生SEU错误的累积,保证SRAM单元中发生错误的比特位数小于校验码的纠检错能力.最后,通过向SRAM随机注错的方法对本机制的存储器控制器进行验证,结果表明存储器控制器满足设计要求. 展开更多
关键词 空间应用 SRAM 存储器控制器 刷新 单粒子翻转
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一种新型SEU/SET加固鉴频鉴相器设计
12
作者 陈吉华 秦军瑞 +1 位作者 赵振宇 刘衡竹 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1-5,11,共6页
分析验证了传统D触发器型PFD结构的SEE敏感性,提出了一种新型的SEU/SET加固鉴频鉴相器,SPICE模拟结果表明该结构功能正确,对于1GHz的时钟信号,鉴频鉴相的精度可达0.8rad。锁相环的整体模拟结果表明,抗辐照的PFD与传统的PFD相比,锁相环... 分析验证了传统D触发器型PFD结构的SEE敏感性,提出了一种新型的SEU/SET加固鉴频鉴相器,SPICE模拟结果表明该结构功能正确,对于1GHz的时钟信号,鉴频鉴相的精度可达0.8rad。锁相环的整体模拟结果表明,抗辐照的PFD与传统的PFD相比,锁相环的电学性能没有改变,锁定时间保持一致。对传统D触发器型PFD和设计加固的PFD进行了遍历轰击模拟,结果显示,提出的抗辐照PFD加固效果非常明显,敏感节点的数目可以降低80%左右。 展开更多
关键词 单粒子瞬态 单粒子翻转 设计加固 锁相环 鉴频鉴相器
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部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析
13
作者 贺威 张正选 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第12期138-141,共4页
通过计算机模拟分析CMOS/SOI器件中单粒子效应的影响,采用二维模拟软件MEDICE,建立了器件发生单粒子效应时内部电荷的分布模型.利用电荷分布模型建立了CMOS/SOI器件在入射不同LET值时的离子与器件中瞬态电流的关系曲线;并建立了离子入... 通过计算机模拟分析CMOS/SOI器件中单粒子效应的影响,采用二维模拟软件MEDICE,建立了器件发生单粒子效应时内部电荷的分布模型.利用电荷分布模型建立了CMOS/SOI器件在入射不同LET值时的离子与器件中瞬态电流的关系曲线;并建立了离子入射点的不同位置与瞬态电流的关系曲线.从理论上提供了一种分析器件SEU的手段. 展开更多
关键词 单粒子翻转 绝缘体上硅 模型
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PD SOI BTSNMOS器件的三维SEU仿真
14
作者 徐静 陈正才 洪根深 《电子与封装》 2012年第1期28-30,36,共4页
采用silvaco软件对抗辐射PD SOI BTSNMOS器件进行了三维SEU仿真。器件建模采用devedit软件,工艺参考标准0.8μm PD SOI工艺平台。器件基于SIMOX SOI材料,其埋氧层厚度为375nm,顶层硅膜厚度为205nm。三维SEU仿真的入射粒子轨迹垂直于器... 采用silvaco软件对抗辐射PD SOI BTSNMOS器件进行了三维SEU仿真。器件建模采用devedit软件,工艺参考标准0.8μm PD SOI工艺平台。器件基于SIMOX SOI材料,其埋氧层厚度为375nm,顶层硅膜厚度为205nm。三维SEU仿真的入射粒子轨迹垂直于器件表面,主要选取了垂直于沟道方向(DS)和平行于沟道方向(PDS)。对比了不同入射粒子轨迹下器件关断状态下漏端电流随粒子入射时间的变化,确定了器件的敏感区域在漏体PN结处,并且越远离体接触的地方,对SEU效应越敏感。 展开更多
关键词 SOI seu 三维仿真
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小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟
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作者 汪俊 师谦 邓文基 《电子产品可靠性与环境试验》 2008年第3期16-19,共4页
主要针对小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟进行了研究,讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时,器件对SEU敏感性的变化情况。模拟结果表明,随着器件尺寸的缩小,衬底浓度的增大,器件对SEU的敏感性增加。
关键词 单粒子翻转 电荷收集 准三维模拟
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星载扩频应答机抗SEU方法及验证 被引量:6
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作者 王淼 纪文章 +1 位作者 宁金枝 李红宝 《航天器工程》 2014年第1期91-95,共5页
对星载扩频应答机抗单粒子翻转(SEU)的方法进行了研究,从单机层面提出了扩频应答机基带现场可编程门阵列(FPGA)和数字信号处理(DSP)抗SEU的方法,包括配置存储区回读校验、"看门狗"、三模冗余、动态刷新和程序区巡检等设计方法... 对星载扩频应答机抗单粒子翻转(SEU)的方法进行了研究,从单机层面提出了扩频应答机基带现场可编程门阵列(FPGA)和数字信号处理(DSP)抗SEU的方法,包括配置存储区回读校验、"看门狗"、三模冗余、动态刷新和程序区巡检等设计方法;从系统层面提出了由星上特定设备根据规定的原则对扩频应答机进行关机和开机操作的有效解除单粒子故障的方法。根据我国S频段非相干扩频应答机在轨飞行试验结果,单机发生SEU后自主恢复的概率超过99%,其余1%采用系统级的方法进行了恢复,验证了文章所述方法的有效性和正确性。 展开更多
关键词 扩频应答机 单粒子翻转 现场可编程门阵列 数字信号处理
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SEU加固存储单元多节点翻转的准三维数值模拟 被引量:2
17
作者 刘琳 赵元富 岳素格 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第5期99-102,共4页
为了深入了解SEU加固存储单元中多节点翻转的内部电荷收集及电压变化机制,采用准三维模拟工具MEDICI,对DIED加固单元进行器件/电路的混合模拟.结果表明,瞬时浮制节点和电荷的横向扩散是多节点翻转的关键原因.还研究其他加固单元多节点... 为了深入了解SEU加固存储单元中多节点翻转的内部电荷收集及电压变化机制,采用准三维模拟工具MEDICI,对DIED加固单元进行器件/电路的混合模拟.结果表明,瞬时浮制节点和电荷的横向扩散是多节点翻转的关键原因.还研究其他加固单元多节点翻转的特点,并给出了避免多节点翻转的方法. 展开更多
关键词 多节点翻转 电荷收集 准三维模拟 seu
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SRAM型FPGA的SEU故障注入系统设计 被引量:2
18
作者 邓先坤 肖立伊 李家强 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第3期134-137,共4页
在研究SRAM型FPGA配置存储器物理结构及配置结构的基础上,发现对FPGA配置文件中的帧数据进行0/1翻转可以实现配置存储器的人为翻转,从而来仿真FPGA的SEU效应.基于部分重构技术设计了一种针对SRAM型FPGA的SEU故障注入系统,通过ICAP来实... 在研究SRAM型FPGA配置存储器物理结构及配置结构的基础上,发现对FPGA配置文件中的帧数据进行0/1翻转可以实现配置存储器的人为翻转,从而来仿真FPGA的SEU效应.基于部分重构技术设计了一种针对SRAM型FPGA的SEU故障注入系统,通过ICAP来实现部分重构,不需要额外的硬件开销.故障注入系统在XUP XC2VP30开发板上实现,通过对三个FPGA典型设计进行SEU敏感性分析,验证了所设计系统的有效性,并验证了三模冗余的加固效果. 展开更多
关键词 FPGA seu 故障注入 部分重构 ICAP
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数字太敏SoC的抗SEU加固设计 被引量:1
19
作者 赵昌兵 付方发 肖立伊 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第1期1-5,11,共6页
针对航天应用中数字式太阳敏感器高可靠性的要求,对基于Leon3处理器平台的数字式太阳敏感器SoC在RTL级进行抗SEU加固设计.出于加固后整个系统速度和面积的考虑,本文针对SoC中不同部分采取不同的加固方法,综合使用了三模冗余、EDAC(Error... 针对航天应用中数字式太阳敏感器高可靠性的要求,对基于Leon3处理器平台的数字式太阳敏感器SoC在RTL级进行抗SEU加固设计.出于加固后整个系统速度和面积的考虑,本文针对SoC中不同部分采取不同的加固方法,综合使用了三模冗余、EDAC(Error Detection And Correction)电路、CPU流水线重启和Cache强制不命中等容错方法.使用故障注入的方法测试寄存器文件加固后系统的软错误敏感性,对寄存器加固效果进行评估.并在FPGA上进行原型实现,对比加固前后的速度及开销情况. 展开更多
关键词 数字太敏 SOC seu 故障注入 FPGA
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星上SRAM型FPGA抗SEU内部刷新系统设计 被引量:1
20
作者 王番 施敏华 常亮 《航天器工程》 CSCD 北大核心 2022年第2期108-116,共9页
卫星上常用的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件易受到空间环境中高能粒子辐射发生单粒子翻转,从而可能导致电路出现故障,引起卫星无法正常工作。针对此问题,文章采取的抗单粒子翻转方法是通过FPGA的内部访问接口(ICAP)... 卫星上常用的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件易受到空间环境中高能粒子辐射发生单粒子翻转,从而可能导致电路出现故障,引起卫星无法正常工作。针对此问题,文章采取的抗单粒子翻转方法是通过FPGA的内部访问接口(ICAP),对配置数据进行回读刷新,并使用纠错能力更强的RM(2,5)码来替代常用的FRAME_ECC纠错码,最高可以支持对3个比特位的翻转进行检错纠错,进一步提高了系统的纠错能力。除此外,还对刷新控制电路部分进行三模冗余加固处理,降低了刷新控制电路出现单粒子翻转的可能性。并且对冗余模块增加错误判断,可及时识别冗余部分是否发生单粒子翻转,避免由于错误累积可能导致多个冗余模块发生故障的现象。通过以上措施的改进,提高了系统的可靠性。同时在布局布线过程中,将待刷新电路与刷新控制电路进行分布式布局,使得对待刷新电路帧地址的确定更加方便。最后,通过实验仿真论证了改进后的内部刷新系统容错率是传统内部刷新系统的2.56倍。 展开更多
关键词 静态随机存储器 现场可编程门阵列 单粒子翻转 内部访问接口 纠错码 刷新
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