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(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系红外敏感铁电陶瓷的研究被引量：1: 1; 作者王茂祥孙彤孙平《应用科学学报》 CAS CSCD 2000年第4期365-367,共3页; 通过改变材料组分并掺杂一定浓度的ＭｎＯ２，制备了系列（Ｐｂ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（ＰＳＴ）红外敏感铁电陶瓷材料．对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究．结果表明，材料的居里温度随组分化学计... 展开更多; 关键词 (Ph1-xsrx)tio3系陶瓷温谱特性频谱特性热释电性能红外敏感; 在线阅读下载PDF 职称材料

(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷介电特性的测试分析: 2; 作者王茂祥孙平《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期32-34,38,共4页; 采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷。对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析。1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有... 展开更多; 关键词 (pb1-xsrx)tio3铁电陶瓷介电特性测试分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

Pb_xSr_(1-x)TiO_3陶瓷及薄膜的制备和性能研究: 3; 作者裴亚芳杨传仁 +2 位作者陈宏伟张继华冷文健《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期710-712,716,共4页; 研究了Pb的摩尔分数对PbxSr1-xTiO3（x=0．2～0．8）陶瓷微结构和介电性能的影响，当x〈0．45时晶体为立方相，x≥0．45时为四方相；随着Pb的摩尔分数增大，陶瓷气孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐渐增大，居里峰近似线性地向高温方向... 展开更多; 关键词 pbxSr1-xtio3陶瓷射频磁控溅射 pb0.3Sr0.7tio3(PST30)薄膜微结构介电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

Pb的过量值对溶胶-水热法合成钙钛矿型PZT反铁电陶瓷粉体的影响: 4; 作者胡艳华余占军 +2 位作者王丽霞宋艳雷达《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第10期1930-1934,共5页; 采用溶胶-水热法合成了具有单一钙钛矿结构的PZT反铁电陶瓷粉体。根据课题组前期的实验结果,选取的水热反应温度为180℃,水热反应时间为24 h,矿化剂KOH的浓度为3 mol/L,探讨了Pb的过量值对合成PZT陶瓷粉体的影响。实验发现,Pb的过量值过... 展开更多; 关键词 pbZr1-xTixO3 反铁电陶瓷溶胶-水热法 pb的过量值钙钛矿结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

磁控溅射制备PST薄膜的介电与铁电性能: 5; 作者王茂祥孙平《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期522-525,共4页; （Pb1-xSrx）TiO3系铁电材料是一种互溶性较好的钙钛矿材料，本文采用磁控溅射法，在Si基底上成功地制备了结构致密、性能优良的PST铁电薄膜，其制备工艺可与Si微电子技术兼容。性能测试表明，其介电常数可达900，接近10^3量级，介电损... 展开更多; 关键词 (pb1-xsrx)tio3薄膜磁控溅射介电性能铁电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

影响磁控溅射制备PST/Si薄膜介电特性的几个因素: 6; 作者王茂祥孙平《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期151-154,共4页; 采用磁控溅射制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST/Si)薄膜。测试表明,热处理工艺对PST/Si薄膜介电特性有着一定的影响,适当温度、适当时间的热处理可得到均匀致密的膜层及生长良好的晶粒,从而确保PST薄膜良好的介电特性。样品上电极材料... 展开更多; 关键词 (pb1-xsrx)tio3铁电薄膜磁控溅射介电特性影响因素; 在线阅读下载PDF 职称材料

溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响: 7; 作者王茂祥孙平《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期417-420,共4页; 采用高频磁控溅射法制备了Si基（Pb1-xSrx）TiO3系铁电薄膜（以下简称PST／Si）。实验表明，合适的Ar、O2分压比，能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合，确保制备所需成份的PST薄膜。O2分压过高，Au电极中将有大量的O... 展开更多; 关键词 (pb1-xsrx)tio3铁电薄膜磁控溅射 Ar与O2分压比; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系红外敏感铁电陶瓷的研究被引量：1: 1; 作者王茂祥孙彤孙平; 机构东南大学电子工程系; 出处《应用科学学报》 CAS CSCD 2000年第4期365-367,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目!(69671008); 文摘通过改变材料组分并掺杂一定浓度的ＭｎＯ２，制备了系列（Ｐｂ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（ＰＳＴ）红外敏感铁电陶瓷材料．对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究．结果表明，材料的居里温度随组分化学计量比的变化大致成线性关系，每增加ｍｏｌ比１％的Ｐｂ，将使居里温度提高约５℃．而随着测试频率的增加，居里温度与温度系数基本不变，但介电常数却略有下降．通过对ＰＳＴ系样品热释电性能的测量，可知材料的热释电系数约在１０－３Ｃ／（ｍ２· Ｋ）量级．; 关键词 (Ph1-xsrx)tio3系陶瓷温谱特性频谱特性热释电性能红外敏感; Keywords (pb1-xsrx)tio3 ceramic temperature properties frequency properties pyroelectric property; 分类号 TM286 [一般工业技术—材料科学与工程] TN21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷介电特性的测试分析: 2; 作者王茂祥孙平; 机构南京大学工程管理学院多伦多大学; 出处《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期32-34,38,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(69671008); 文摘采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷。对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析。1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有所提高,介电常数ε略高(均在103量级),介电损耗D略有降低。随着工作频率的增加,样品介电常数有较明显的下降,介电损耗D略有增加。; 关键词 (pb1-xsrx)tio3铁电陶瓷介电特性测试分析; Keywords （pb1-xsrx）tio3 ferroelectric ceramic dielectric characteristic analysis; 分类号 TG174 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pb_xSr_(1-x)TiO_3陶瓷及薄膜的制备和性能研究: 3; 作者裴亚芳杨传仁陈宏伟张继华冷文健; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期710-712,716,共4页; 基金国家"九七三"基金资助项目(Z01); 文摘研究了Pb的摩尔分数对PbxSr1-xTiO3（x=0．2～0．8）陶瓷微结构和介电性能的影响，当x〈0．45时晶体为立方相，x≥0．45时为四方相；随着Pb的摩尔分数增大，陶瓷气孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐渐增大，居里峰近似线性地向高温方向移动，并具有一致的居里外斯常数。采用射频磁控溅射法在Pt／Ti／SiO2／Si（100）上制备了Pb0.3Sr0．7TiO3（PST30）薄膜，经550℃退火后为（111）择优取向的多晶薄膜，1kHz下的可调率为21．8％。; 关键词 pbxSr1-xtio3陶瓷射频磁控溅射 pb0.3Sr0.7tio3(PST30)薄膜微结构介电性能; Keywords pbxSr1-xtio3 ceramics RF magnetron sputtering pb0.3Sr0．7tio3 thin film microstructure dielectric properties; 分类号 TN384 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pb的过量值对溶胶-水热法合成钙钛矿型PZT反铁电陶瓷粉体的影响: 4; 作者胡艳华余占军王丽霞宋艳雷达; 机构鄂尔多斯应用技术学院化学工程系内蒙古久科康瑞环保科技有限公司内蒙古一机富成锻造有限责任公司内蒙古第一机械集团有限公司第三分公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第10期1930-1934,共5页; 基金高等学校科学研究项目(NJZY17087) 内蒙古自然科学基金项目(2018MS01025) +1 种基金内蒙古科技厅重大科技计划项目(201802017)。; 文摘采用溶胶-水热法合成了具有单一钙钛矿结构的PZT反铁电陶瓷粉体。根据课题组前期的实验结果,选取的水热反应温度为180℃,水热反应时间为24 h,矿化剂KOH的浓度为3 mol/L,探讨了Pb的过量值对合成PZT陶瓷粉体的影响。实验发现,Pb的过量值过低,不足以补偿反应过程中Pb的损失量,A位的Pb缺失易导致PZT粉体结晶度的下降,颗粒结晶不完整。随着Pb过量值的增加,颗粒结晶增强,结晶也越完整。当Pb过量增加到10%时,实验获得了结晶良好的PZT粉体。因此,本实验Pb的最佳过量值为10%。; 关键词 pbZr1-xTixO3 反铁电陶瓷溶胶-水热法 pb的过量值钙钛矿结构; Keywords pbZr1-xTixO3 antiferroelectric ceramic sol-hydrothermal method excessive value of pb perovskite structure; 分类号 TQ174.75 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磁控溅射制备PST薄膜的介电与铁电性能: 5; 作者王茂祥孙平; 机构南京大学工程管理学院加拿大多伦多大学; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期522-525,共4页; 基金国家自然科学基金(No.69671008) 教育部光电技术及系统重点实验室资助课题(No.CETD00-09); 文摘（Pb1-xSrx）TiO3系铁电材料是一种互溶性较好的钙钛矿材料，本文采用磁控溅射法，在Si基底上成功地制备了结构致密、性能优良的PST铁电薄膜，其制备工艺可与Si微电子技术兼容。性能测试表明，其介电常数可达900，接近10^3量级，介电损耗较低，约在0．12-0．21之间（-10℃至60℃）。铁电性能也较好，其饱和极化强度可接近10μC／cm^2，矫顽场强约21kV／cm。; 关键词 (pb1-xsrx)tio3薄膜磁控溅射介电性能铁电性能; Keywords （P1-xsrx ） tio3 thin films, Magnetron Sputtering, Dielectric characteristics, Ferroelectric characteristics; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名影响磁控溅射制备PST/Si薄膜介电特性的几个因素: 6; 作者王茂祥孙平; 机构南京大学工程管理学院加拿大多伦多大学; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期151-154,共4页; 基金国家自然科学基金(No.69671008) 教育部光电技术及系统重点实验室资助课题(No.CETD00-09); 文摘采用磁控溅射制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST/Si)薄膜。测试表明,热处理工艺对PST/Si薄膜介电特性有着一定的影响,适当温度、适当时间的热处理可得到均匀致密的膜层及生长良好的晶粒,从而确保PST薄膜良好的介电特性。样品上电极材料对介电特性也有重要影响。Al较Au电极易氧化,从而易在其与PST薄膜的界面形成一氧化层,增加了串联电阻,导致介电损耗总体上要低。工作频率对材料的介电弛豫特性及漏电导等也会产生影响。; 关键词 (pb1-xsrx)tio3铁电薄膜磁控溅射介电特性影响因素; Keywords （pb1- xSrx） tio3 ferroelectrie thin films, Magnetron sputtering, Dielectric characteristics, Effect factors; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响: 7; 作者王茂祥孙平; 机构南京大学工程管理学院加拿大多伦多大学; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期417-420,共4页; 基金国家自然科学基金(No.69671008) 教育部光电技术及系统重点实验室资助课题(No.CETD00-09); 文摘采用高频磁控溅射法制备了Si基（Pb1-xSrx）TiO3系铁电薄膜（以下简称PST／Si）。实验表明，合适的Ar、O2分压比，能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合，确保制备所需成份的PST薄膜。O2分压过高，Au电极中将有大量的O离子严重渗透，从而使PST薄膜介电损耗增加并降低其极化能力。实验中Ar、O2比为5：1的PST／Si样品性能较好，其介电损耗约在0．12～0．21之间，热释电系数约为2．35×10^-2μC／cm^2K。; 关键词 (pb1-xsrx)tio3铁电薄膜磁控溅射 Ar与O2分压比; Keywords （pb1-xsrx） tio3 ferroeleetrie thin films, Magnetron sputtering, Ar/O2 ratio; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系红外敏感铁电陶瓷的研究	王茂祥孙彤孙平	《应用科学学报》 CAS CSCD	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷介电特性的测试分析	王茂祥孙平	《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Pb_xSr_(1-x)TiO_3陶瓷及薄膜的制备和性能研究	裴亚芳杨传仁陈宏伟张继华冷文健	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Pb的过量值对溶胶-水热法合成钙钛矿型PZT反铁电陶瓷粉体的影响	胡艳华余占军王丽霞宋艳雷达	《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	磁控溅射制备PST薄膜的介电与铁电性能	王茂祥孙平	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	影响磁控溅射制备PST/Si薄膜介电特性的几个因素	王茂祥孙平	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响	王茂祥孙平	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料