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La掺杂(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.82)(K_(0.5)Bi_(0.5))_(0.18)TiO_3系统无铅压电陶瓷的制备工艺探讨 被引量:1
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作者 周川钧 喻佑华 +2 位作者 尹雪帆 艾凡荣 丁银忠 《陶瓷学报》 CAS 2005年第4期243-248,共6页
采用传统陶瓷工艺,研究了制备[(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18]1-xLaxTiO3(x=0.00,0.01,0.03,0.05,0.10)无铅压电陶瓷的工艺条件对陶瓷的物相组成、显微结构和压电性能的影响。利用XRD、SEM等技术分析结果表明,合成温度的提高有利于... 采用传统陶瓷工艺,研究了制备[(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18]1-xLaxTiO3(x=0.00,0.01,0.03,0.05,0.10)无铅压电陶瓷的工艺条件对陶瓷的物相组成、显微结构和压电性能的影响。利用XRD、SEM等技术分析结果表明,合成温度的提高有利于主晶相的形成,且此系统烧成温度范围较窄,故需控制在合适的烧成温度下才能得到高致密度的陶瓷。同时,研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响,结果表明,提高极化电场强度、控制适当的极化温度有利于提高材料的压电性能。 展开更多
关键词 (na0.5bi0.5)0.82(kq5bi0.5)0.18tio3 无铅压电陶瓷
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非化学计量Bi_2O_3对制备Bi_4Ti_3O_(12)粉体影响的研究
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作者 张昌松 郭晨洁 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期218-220,共3页
制备晶粒形貌生长各向异性的中间化合物Bi4Ti3O12粉体是采用流延成型和模板晶粒生长(TGG)等工艺方法制备(Na0.5Bi0.5)TiO3基无铅压电织构陶瓷的关键技术.以NaCl-KCl熔盐法制备了生长各向异性的Bi4Ti3O12粉体,利用X射线衍射和扫描... 制备晶粒形貌生长各向异性的中间化合物Bi4Ti3O12粉体是采用流延成型和模板晶粒生长(TGG)等工艺方法制备(Na0.5Bi0.5)TiO3基无铅压电织构陶瓷的关键技术.以NaCl-KCl熔盐法制备了生长各向异性的Bi4Ti3O12粉体,利用X射线衍射和扫描电子显微镜研究了非化学计量Bi2O3对粉体相结构和微观形貌的影响,优化了制备Bi4Ti3O12粉体的工艺参数,并探讨了Bi4Ti3O12粉体在熔盐中的生长机理.研究表明,随着Bi4O3过量程度的增加,所得Bi4Ti3O12粉体颗粒的平均尺寸和均匀程度均增加,当Bi2O3过量7.5%时达到最佳值,其平均粒径为8~10μm. 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 (Na0.5Bin5)TiO3 BI4TI3O12
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高居里温度BaTiO_3-(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3无铅正温度系数电阻陶瓷的制备 被引量:8
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作者 冷森林 贾飞虎 +3 位作者 钟志坤 杨琴芳 李国荣 郑嘹赢 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期576-580,共5页
用传统的固相反应烧结法制备了(1-xmol%)BaTi03-xm01%(Bi0.5Na0.5)TiO3(BBNTx)高温无铅正温度系数电阻(positive temperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷。x射线衍射表明所有的BBNTx陶瓷形成了单一的四方钙钛矿... 用传统的固相反应烧结法制备了(1-xmol%)BaTi03-xm01%(Bi0.5Na0.5)TiO3(BBNTx)高温无铅正温度系数电阻(positive temperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷。x射线衍射表明所有的BBNTx陶瓷形成了单一的四方钙钛矿结构。SEM分析结果显示随着BNT含量的增加,陶瓷晶粒尺寸减小。空气中烧结的0.2mol%Nb掺杂的BBNT1陶瓷,室温电阻率为~102^Ω·cm,电阻突跳为~4.5个数量级,居里温度为~150℃。氮气中烧结的0.3m01%Nb掺杂的BBNh(10≤x≤60)陶瓷,同样具有明显的PTCR效应,居里温度在180~235℃之间。随着BNT含量的增加,材料的室温电阻率增大,同时陶瓷的电阻突跳比下降。 展开更多
关键词 BaTiO3-(Bi0.5Na0 5)TiO3 无铅 正温度系数电阻 制备
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KNNS-BNKZ无铅压电陶瓷的制备及其电性能研究 被引量:3
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作者 郭艺婷 许杰 +3 位作者 刘宇刚 张华伟 李占京 高峰 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期82-86,共5页
采用传统固相法中的直接合成法和两步合成法制备了0.96(K_0.48Na_0.52)(Nb_1-x_Sb_x)O_3-0.04(Na_0.82K_0.18)_0.5Bi_0.5ZrO_3(KNNS-BNKZ)无铅压电陶瓷,研究了(Bi,Na,K)ZrO_3添加方式,以及Sb摩尔分数对KNNSBNKZ材料显微组织结构和电性... 采用传统固相法中的直接合成法和两步合成法制备了0.96(K_0.48Na_0.52)(Nb_1-x_Sb_x)O_3-0.04(Na_0.82K_0.18)_0.5Bi_0.5ZrO_3(KNNS-BNKZ)无铅压电陶瓷,研究了(Bi,Na,K)ZrO_3添加方式,以及Sb摩尔分数对KNNSBNKZ材料显微组织结构和电性能的影响规律。结果表明,采用直接合成法得到的KNNS-BNKZ陶瓷在室温下为四方相,而采用两步合成法得到的陶瓷在室温下为正交-四方两相共存,且随着Sb摩尔分数的增加,陶瓷材料的密度增大,室温下的相对介电常数增大,压电常数增大,居里温度降低。采用两步合成法制备的Sb摩尔分数为0.06的KNNS-BNKZ陶瓷具有最佳电性能:室温下,相对介电常数εr=1 659,介电损耗tanδ=0.038,居里温度T_C=243℃,压电常数d_33=138pC/N。 展开更多
关键词 0.96(K0.48Na0.52)(Nb1-xSbx)O3-0.04(Na0.82K0.18)0.5Bi0.5ZrO3(KNNS-BNKZ) 直接合成法 两步合成法 无铅压电陶瓷 多晶型转变
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