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(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减
1
作者
张振中
申德振
+6 位作者
张吉英
单崇新
张立功
杨春雷
吕有明
刘益春
范希武
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期257-260,共4页
为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦 探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZ...
为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦 探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间。
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关键词
低维半导体结构
超快速激子衰减
(
cdznte
znsete
)/
znte
复合量子阱
泵浦-探测
光开关
全光计算机
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职称材料
题名
(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减
1
作者
张振中
申德振
张吉英
单崇新
张立功
杨春雷
吕有明
刘益春
范希武
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期257-260,共4页
基金
国家攀登计划
国家自然科学重大基金(69896260)
+2 种基金
国家自然科学基金(60077015)
中科院百人计划
中科院创新工程资助项目
文摘
为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦 探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间。
关键词
低维半导体结构
超快速激子衰减
(
cdznte
znsete
)/
znte
复合量子阱
泵浦-探测
光开关
全光计算机
Keywords
(
cdznte
,
znsete
)/
znte
complex
quantum
wells
exciton decay
pump-probe
分类号
O471.3 [理学—半导体物理]
TP38 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减
张振中
申德振
张吉英
单崇新
张立功
杨春雷
吕有明
刘益春
范希武
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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