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直流电弧等离子喷射CVD中控制生长(111)晶面占优的金刚石膜 被引量:3
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作者 周祖源 陈广超 +7 位作者 戴风伟 兰昊 宋建华 李彬 佟玉梅 李成明 黑立富 唐伟忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期478-480,共3页
运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系,发现了C2基元比其他基元对沉积参数更加敏感。利用光发射谱对C2基元发射强度的... 运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系,发现了C2基元比其他基元对沉积参数更加敏感。利用光发射谱对C2基元发射强度的监测,实时调控沉积各参数,在大功率直流电弧等离子喷射CVD中实现了(111)晶面占优的金刚石膜的可控生长,I(111)/I(220)XRD衍射峰强度的比值达48。 展开更多
关键词 光发射谱 金刚石膜 直流电弧等离子喷射CVD (111)占优晶面
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