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一种具有可调折返过流保护的LDO电路设计
1
作者 王晶 张瑛 +2 位作者 李玉标 罗寅 方玉明 电子与封装 2025年第2期62-67,共6页
基于CSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种具有可调折返限流功能且无须内部补偿的低压差线性稳压器(LDO)。为防止闩锁,设计了一个可通过外部单电阻调整折返点的限流结构。此外,为了降低LDO环路补偿的设计难度,设计了一种无须内部补偿的LDO... 基于CSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种具有可调折返限流功能且无须内部补偿的低压差线性稳压器(LDO)。为防止闩锁,设计了一个可通过外部单电阻调整折返点的限流结构。此外,为了降低LDO环路补偿的设计难度,设计了一种无须内部补偿的LDO环路。该设计的限流点为13.78 mA,短路电流为0.56 mA,在输入电压为3.4~42 V、输出电压为3V时,线性调整率不超过0.5 mV/V,且在轻载和重载情况下,相位裕度分别为89.7°和74.7°,1 kHz时电源抑制比为-65 dB。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 过流保护 折返限流 闩锁 无内部补偿
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“第三代半导体功率电子封装技术”专题前言
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作者 田艳红 电子与封装 2025年第3期1-2,共2页
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为首的第三代半导体材料,具有高禁带宽度、高电子迁移率和高热导率等优势,可以显著提升高功率电力电子器件的系统性能和可靠性,实现更高效的能源转换、更快速的数据传输和更强劲的信号传导,在现代电子系统中... 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为首的第三代半导体材料,具有高禁带宽度、高电子迁移率和高热导率等优势,可以显著提升高功率电力电子器件的系统性能和可靠性,实现更高效的能源转换、更快速的数据传输和更强劲的信号传导,在现代电子系统中发挥着关键作用,其应用范围涵盖新能源汽车、光伏储能、电力传输、高速列车以及航空航天等诸多关键领域。根据市场研究机构预测。 展开更多
关键词 市场研究机构 新能源汽车 现代电子系统 电力电子器件 能源转换 航空航天 电子封装技术 电力传输
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IMC厚度对混装焊点热疲劳寿命的影响研究
3
作者 冉光龙 王波 +2 位作者 黄伟 龚雨兵 潘开林 电子与封装 2025年第1期18-23,共6页
焊点的疲劳寿命成为衡量其长期可靠性的关键指标。金属间化合物(IMC)厚度对焊点的疲劳寿命有着显著影响。研究IMC厚度对热循环条件下混装焊点疲劳寿命的影响,结果表明,随着IMC厚度的增加,焊点的热疲劳寿命不断降低。此外,焊点中应力和... 焊点的疲劳寿命成为衡量其长期可靠性的关键指标。金属间化合物(IMC)厚度对焊点的疲劳寿命有着显著影响。研究IMC厚度对热循环条件下混装焊点疲劳寿命的影响,结果表明,随着IMC厚度的增加,焊点的热疲劳寿命不断降低。此外,焊点中应力和应变的分布受IMC厚度的影响较小,但其数值随着IMC厚度的增加而增加。同时,塑性应变也随着IMC厚度的增加而增加。基于Coffin-Manson模型得到混装焊点的热疲劳寿命与IMC厚度之间存在对数关系。 展开更多
关键词 混装焊点 金属间化合物 热循环 疲劳寿命
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面向高密度数字SiP应用的封装工艺研究
4
作者 柴昭尔 卢会湘 +6 位作者 徐亚新 李攀峰 王杰 田玉 王康 韩威 尹学全 电子与封装 2025年第1期24-28,共5页
面向高密度数字系统级封装(SiP)应用,采用多芯片一体化封装技术,在系统内部集成了数字信号处理器(DSP)以及外围的DDR3、SPI Flash、Nor Flash、Nand Flash、低压差稳压器(LDO)等多颗芯片,并基于高密度陶瓷封装基板及表面多层薄膜工艺实... 面向高密度数字系统级封装(SiP)应用,采用多芯片一体化封装技术,在系统内部集成了数字信号处理器(DSP)以及外围的DDR3、SPI Flash、Nor Flash、Nand Flash、低压差稳压器(LDO)等多颗芯片,并基于高密度陶瓷封装基板及表面多层薄膜工艺实现了各芯片之间的高速互连。此外,利用无硅通孔转接板工艺完成了DDR芯片从引线键合到倒装的封装形式的重构,在保证传输距离的同时也保证了芯片封装尺寸的最小化。在35 mm×40 mm的封装尺寸内实现了一个具备数字信号处理功能的最小系统。所涉及到的技术为通用基础技术,可广泛应用于其他高密度封装产品中。 展开更多
关键词 陶瓷基板 多层薄膜 封装重构
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基于AFM-IR的电子铜箔表面痕量有机物的原位检测与去除
5
作者 李林玲 王勇 +8 位作者 印大维 章晨 滕超 陈葳 江伟 李大双 郑小伟 周东山 薛奇 电子与封装 2025年第4期5-12,共8页
高性能电子铜箔是新一代通信技术所用高频高速PCB板的核心原材料之一,铜电沉积后表面吸附有机添加剂的控制对电子铜箔的性能有重要影响。基于原子力显微-红外光谱(AFM-IR)技术极高的检测灵敏度和空间分辨率,原位检测到国产铜箔表面残留... 高性能电子铜箔是新一代通信技术所用高频高速PCB板的核心原材料之一,铜电沉积后表面吸附有机添加剂的控制对电子铜箔的性能有重要影响。基于原子力显微-红外光谱(AFM-IR)技术极高的检测灵敏度和空间分辨率,原位检测到国产铜箔表面残留的痕量有机杂质为整平剂明胶,并通过铜箔表面化学成像分析,发现这些残留的整平剂以零星状吸附于铜瘤顶部和侧面的钝化层之上。在AFM-IR方法的监测下,对二氯甲烷溶剂洗涤去除铜箔表面残留痕量有机杂质的效率进行了定量分析。相关工作将会有助于铜箔表面处理工艺的优化,以实现国产电子铜箔的高性能化。 展开更多
关键词 原子力显微-红外光谱 铜箔 痕量有机物检测 表面处理 PCB
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大规模Flash型FPGA整体功能仿真验证方法研究
6
作者 蔺旭辉 马金龙 +3 位作者 曹杨 熊永生 曹靓 赵桂林 电子与封装 2025年第1期71-76,共6页
提出了一种大规模Flash型FPGA整体电路编程后功能仿真验证的方法。通过对核心Flash单元建立数字Verilog等效模型,采用整体数字仿真验证和模拟仿真验证的方法,结合编程功能案例,对器件内部所有的资源模块进行功能仿真验证,并且提出了加... 提出了一种大规模Flash型FPGA整体电路编程后功能仿真验证的方法。通过对核心Flash单元建立数字Verilog等效模型,采用整体数字仿真验证和模拟仿真验证的方法,结合编程功能案例,对器件内部所有的资源模块进行功能仿真验证,并且提出了加快整体电路数字仿真速度的方法。将提出的仿真验证方法成功应用于大规模Flash型FPGA芯片设计验证,得到了正确的验证结果,整体电路仿真验证速度得到了显著提升。 展开更多
关键词 FLASH FPGA VERILOG 验证
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铜-铜键合制备多层陶瓷基板技术研究
7
作者 雷振宇 陈浩 +2 位作者 翟禹光 王莎鸥 陈明祥 电子与封装 2025年第5期55-61,共7页
为了提高功率器件封装集成度,通过铜-铜热压键合的方式将直接镀铜(DPC)陶瓷基板进行垂直堆叠制备出一种新型多层陶瓷基板。利用电镀工艺对铜表面进行了处理,并探究了铜-铜热压键合的工艺条件。结果表明,在电流密度为2 A/dm^(2)(ASD)时,... 为了提高功率器件封装集成度,通过铜-铜热压键合的方式将直接镀铜(DPC)陶瓷基板进行垂直堆叠制备出一种新型多层陶瓷基板。利用电镀工艺对铜表面进行了处理,并探究了铜-铜热压键合的工艺条件。结果表明,在电流密度为2 A/dm^(2)(ASD)时,可制备出(111)高晶面取向的金属铜,其具有较低的表面粗糙度,有利于铜-铜热压键合。在250℃和24 MPa压力下,采用(111)高晶面电镀铜实现高强度键合(强度高达32.34 MPa),制备出含腔体结构的多层陶瓷基板,并具有较高可靠性。 展开更多
关键词 铜-铜键合 多层陶瓷基板 直接镀铜陶瓷基板 可靠性
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微纳铜材料的制备及其在封装互连中的应用
8
作者 彭琳峰 杨凯 +5 位作者 余胜涛 刘涛 谢伟良 杨世洪 张昱 崔成强 电子与封装 2025年第1期7-17,共11页
半导体器件的快速发展对封装互连材料提出了更高的要求。微纳铜材料具有良好的导电、导热和机械性能。与常用的微纳银相比,微纳铜具有更强的抗电迁移能力和更低的成本,在封装互连领域被广泛应用。微纳铜材料的制备方法可分为化学法、物... 半导体器件的快速发展对封装互连材料提出了更高的要求。微纳铜材料具有良好的导电、导热和机械性能。与常用的微纳银相比,微纳铜具有更强的抗电迁移能力和更低的成本,在封装互连领域被广泛应用。微纳铜材料的制备方法可分为化学法、物理法、生物法3类,其中化学液相还原法以低成本、高可控、工艺简单等优势占据重要地位。不同的封装互连工艺步骤需要不同形貌的微纳铜颗粒。微纳铜材料在封装互连中主要应用于芯片固晶、Cu-Cu键合、细节距互连等工艺,探讨了微纳铜材料在以上工艺中的应用,并对微纳铜材料在封装互连中的应用进行了展望。 展开更多
关键词 微纳铜 化学液相还原法 封装互连
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功率器件封装纳米浆料材料与低温烧结工艺及机理研究进展
9
作者 王一平 于铭涵 +3 位作者 王润泽 佟子睿 冯佳运 田艳红 电子与封装 2025年第3期60-77,共18页
随着电力电子器件材料的发展,第三代宽禁带半导体(如SiC和GaN)因其优越的性能而成为功率器件的理想材料。然而,面对大功率和高温应用的挑战,传统的锡基封装材料已经难以满足需求,为此,研究者们开始关注可以低温烧结、高温服役的纳米烧... 随着电力电子器件材料的发展,第三代宽禁带半导体(如SiC和GaN)因其优越的性能而成为功率器件的理想材料。然而,面对大功率和高温应用的挑战,传统的锡基封装材料已经难以满足需求,为此,研究者们开始关注可以低温烧结、高温服役的纳米烧结浆料。这些微米、纳米级的铜、银等浆料可以在远低于金属熔点的温度下烧结成具备高熔点、高导热、高性能的焊点结构。从烧结材料、烧结工艺、烧结机理3个方面讨论了近年来用于功率器件封装的烧结浆料的研究进展,具体包括纳米银、纳米铜、铜银复合和其他纳米级烧结材料,以及它们适配的热压烧结、无压烧结、薄膜烧结等工艺,为烧结浆料的进一步发展提供参考。 展开更多
关键词 纳米浆料 烧结 功率器件 电子封装技术 烧结纳米铜
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一种自激式推挽隔离变换电路设计
10
作者 郭靖 孙鹏飞 袁柱六 电子与封装 2025年第1期42-46,共5页
电子设备供电常采用分布式供电架构,将一次电源通过直流-直流功率变换为电子设备所需的各种电压和功率。电子设备的端电压越来越低(如给MCU、FPGA等器件供电的电压为1.5~3.3 V),而电子设备中一些信号数字电路、驱动电路等需要电压为5 V... 电子设备供电常采用分布式供电架构,将一次电源通过直流-直流功率变换为电子设备所需的各种电压和功率。电子设备的端电压越来越低(如给MCU、FPGA等器件供电的电压为1.5~3.3 V),而电子设备中一些信号数字电路、驱动电路等需要电压为5 V或者12 V、功率约为1 W的小功率供电电源,同时需要隔离主功率电路和信号电路的相互干扰,保证信号电路的精密度和信号完整性,如果从一次电源母线直接进行功率变换,转换效率低、体积大、质量大。为满足电子设备的供电需要以及对效率、体积、质量的要求,基于Royer变换电路提出一种自激推挽式隔离变换电路,通过研究该电路的工作原理,进行模态分析,给出了关键元器件参数的计算与设计过程,在此基础上通过电路试验研制出样品,验证了其可行性。 展开更多
关键词 功率变换 自激振荡 推挽变换 Royer电路 混合集成
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功率模块封装用环氧树脂改性技术应用进展
11
作者 曹凤雷 贾强 +2 位作者 王乙舒 刘若晨 郭福 电子与封装 2025年第3期47-59,共13页
环氧树脂因其优异的电气绝缘性、机械强度和耐高温性能,是功率模块封装材料的首选。然而,功率模块的集成度提升和服役环境的严苛化对环氧树脂的性能要求不断提高。对环氧树脂的分类、改性及其在功率模块封装中的应用进行总结,并指出了... 环氧树脂因其优异的电气绝缘性、机械强度和耐高温性能,是功率模块封装材料的首选。然而,功率模块的集成度提升和服役环境的严苛化对环氧树脂的性能要求不断提高。对环氧树脂的分类、改性及其在功率模块封装中的应用进行总结,并指出了环氧树脂面临的挑战和未来发展方向。改性后的环氧树脂可以提升功率模块封装的热管理能力、绝缘性能、耐腐蚀性和抗翘曲能力等。未来的研究方向包括耐高温封装材料的开发、环保和多功能环氧树脂的探索,以及新材料和新工艺的结合。 展开更多
关键词 环氧树脂 功率模块封装 改性技术 热管理能力 绝缘性能
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乙基纤维素影响下的微米银焊膏和纳米银焊膏烧结对比研究
12
作者 喻龙波 夏志东 +3 位作者 邓文皓 林文良 周炜 郭福 电子与封装 2025年第3期16-24,共9页
微米银(Ag MPs)焊膏和纳米银(Ag NPs)焊膏因其低温烧结、高温服役的特点而成为最有可能用于高温封装的连接材料。研究了乙基纤维素对Ag MPs和Ag NPs焊膏烧结结果的影响,分析了相同条件下2组焊膏烧结结果存在差异的原因。结果表明,在无压... 微米银(Ag MPs)焊膏和纳米银(Ag NPs)焊膏因其低温烧结、高温服役的特点而成为最有可能用于高温封装的连接材料。研究了乙基纤维素对Ag MPs和Ag NPs焊膏烧结结果的影响,分析了相同条件下2组焊膏烧结结果存在差异的原因。结果表明,在无压、250℃、空气条件下,添加质量分数为5%的乙基纤维素,2组焊膏的烧结性能较好,Ag MPs焊膏烧结所得接头强度和薄膜电阻率为8.57 MPa和4.25μΩ·cm,Ag NPs焊膏烧结所得接头强度和薄膜电阻率为32.89 MPa和7.71μΩ·cm。接头界面和薄膜微观形貌表明,烧结后颗粒间形成的烧结颈和烧结组织均匀性是影响连接强度的关键因素,而烧结组织致密度则是影响导电性的主要因素。研究结果为进一步提高银焊膏烧结接头强度和烧结薄膜导电性提供了参考。 展开更多
关键词 乙基纤维素 微米银焊膏 纳米银焊膏 烧结性能
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先进铜填充硅通孔制备技术研究进展
13
作者 刘旭东 撒子成 +2 位作者 李浩喆 李嘉琦 田艳红 电子与封装 2025年第5期28-42,共15页
随着后摩尔时代的到来,硅通孔(TSV)技术通过填充铜作为垂直的导电通路实现了多层芯片之间的电气互连,提供了一种高性能、高可靠性的3D封装互连方案。综述了铜在TSV先进互连技术中的制备技术,总结并对比了溅射法、化学气相沉积、原子层... 随着后摩尔时代的到来,硅通孔(TSV)技术通过填充铜作为垂直的导电通路实现了多层芯片之间的电气互连,提供了一种高性能、高可靠性的3D封装互连方案。综述了铜在TSV先进互连技术中的制备技术,总结并对比了溅射法、化学气相沉积、原子层沉积、化学镀、电接枝技术5种不同的铜种子层制备工艺的沉积机理、性能优劣和改进方案。介绍了硅通孔填充铜的3种不同方案,包括电镀、化学镀和导电浆料填充技术。强调了电镀工艺、电流、添加剂和退火工艺对硅通孔内电镀铜的影响,对应用于硅通孔的铜先进互连技术的未来发展方向提出了展望。 展开更多
关键词 铜填充硅通孔 先进封装 电镀 种子层
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面向高密度互连的混合键合技术研究进展
14
作者 白玉斐 戚晓芸 +3 位作者 牛帆帆 康秋实 杨佳 王晨曦 电子与封装 2025年第5期14-27,共14页
在数字经济时代,人工智能、高性能计算、大数据、物联网和自动驾驶等新兴产业的迅猛发展对计算能力提出了极高的需求。然而,随着先进制程逐渐逼近物理极限,摩尔定律的发展速度显著放缓,传统的引线键合技术已难以满足数字经济对高算力芯... 在数字经济时代,人工智能、高性能计算、大数据、物联网和自动驾驶等新兴产业的迅猛发展对计算能力提出了极高的需求。然而,随着先进制程逐渐逼近物理极限,摩尔定律的发展速度显著放缓,传统的引线键合技术已难以满足数字经济对高算力芯片的需求。在此背景下,三维集成技术作为一种革命性的解决方案应运而生。混合键合作为三维集成技术的基石,通过金属层和金属层、介电层和介电层的直接键合,实现了无凸点的高密度互连。与传统键合技术相比,混合键合不仅能够实现亚微米甚至纳米级的互连间距,还显著降低了信号延迟与功耗,提升了芯片的带宽与容量,为高性能芯片的实现提供了关键支持。在后摩尔时代,混合键合被视为先进封装的核心发展方向之一,可实现窄间距、高密度、小尺寸的互连结构,满足新兴应用场景对芯片性能的苛刻要求。系统介绍了面向高密度互连的混合键合技术,重点总结了其所采用的新型金属钝化层等关键材料以及核心工艺,深入论述了混合键合技术在高带宽内存领域的应用现状及发展趋势,旨在为先进封装技术的持续创新与发展提供参考与思路。 展开更多
关键词 混合键合 高密度互连 三维集成 高带宽内存
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基于Chroma 3380P测试平台的高效FT测试方案
15
作者 周中顺 夏蔡娟 +1 位作者 李连碧 李飞飞 电子与封装 2025年第2期34-38,共5页
针对高端自动测试成本过高与芯片设计公司日益增长的测试需求不匹配这一现状,拟采用Chroma 3380 P型测试机和长川C6100TS三温平移式分选机组合,开发一种新型的高性能自动化测试系统。通过分析芯片测试的各项要求,设计了一个综合性的测... 针对高端自动测试成本过高与芯片设计公司日益增长的测试需求不匹配这一现状,拟采用Chroma 3380 P型测试机和长川C6100TS三温平移式分选机组合,开发一种新型的高性能自动化测试系统。通过分析芯片测试的各项要求,设计了一个综合性的测试方案。搭建了完善的测试平台,充分融合了Chroma 3380P测试机的专业性能与长川C6100TS分选机的先进功能,同时通过外接高精度测试仪器,不仅实现了对芯片高效且精确的测试,还大大降低了测试成本,在ATE测试中具有通用性,为更多测试人员提供参考。 展开更多
关键词 ATE Chroma 3380P FT测试 C6100TS三温平移式分选机
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S波段内匹配Doherty GaN功率放大器设计
16
作者 景少红 时晓航 +2 位作者 吴唅唅 豆刚 张勇 电子与封装 2025年第2期44-48,共5页
无线通信系统中,功率放大器既是发射端尺寸最大的器件,也是功耗最高的器件。为应对通信系统对功放提出的小体积、高效率的要求,介绍了一款基于GaN工艺的内匹配Doherty功率放大器。该放大器工作频率为3.4~3.6 GHz,饱和输出功率大于47 d ... 无线通信系统中,功率放大器既是发射端尺寸最大的器件,也是功耗最高的器件。为应对通信系统对功放提出的小体积、高效率的要求,介绍了一款基于GaN工艺的内匹配Doherty功率放大器。该放大器工作频率为3.4~3.6 GHz,饱和输出功率大于47 d Bm,附加效率大于55%,输出功率回退4.5 d B时,附加效率大于52%。功率放大器采用内匹配技术设计,可以有效减小体积,整个放大器外封装尺寸为30.8 mm×27.4 mm。 展开更多
关键词 GAN DOHERTY 内匹配
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基于DBNet+SVTR的微电子组装电路字符识别系统
17
作者 李颖 万永 +2 位作者 罗驰 袁家军 简燕 电子与封装 2025年第4期24-30,共7页
微电子组装技术的发展推动组装电路的类型和产量不断增长,因此作业智能化水平亟需提升,且需对每只电路的生产状态进行实时追踪记录。基于DBNet和SVTR网络模型的电路管壳批号识别系统采用端到端的光学字符识别(OCR)模型,结合分布式技术... 微电子组装技术的发展推动组装电路的类型和产量不断增长,因此作业智能化水平亟需提升,且需对每只电路的生产状态进行实时追踪记录。基于DBNet和SVTR网络模型的电路管壳批号识别系统采用端到端的光学字符识别(OCR)模型,结合分布式技术进行相关硬件部署,可实现作业任务单智能生成、作业自动记录、作业过程智能化闭环管理等功能,提升了微电子电路生产过程的智能化水平。 展开更多
关键词 图像处理 文本识别 文本检测 OCR DBNet SVTR
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镍电极MLCC排胶后残碳量及其电性能研究
18
作者 蒋晋东 易凤举 +1 位作者 陈沫言 程淇俊 电子与封装 2025年第1期77-82,共6页
多层陶瓷电容(MLCC)固有的坯体有机物残留导致产品可靠性低,其主要原因是排胶不充分。通过改变排胶工序的不同工艺条件,使用硫碳分析仪对排胶后坯体残碳量进行量化,结合破坏性物理分析、扫描电镜对烧成后的产品进行结构分析,并对成品进... 多层陶瓷电容(MLCC)固有的坯体有机物残留导致产品可靠性低,其主要原因是排胶不充分。通过改变排胶工序的不同工艺条件,使用硫碳分析仪对排胶后坯体残碳量进行量化,结合破坏性物理分析、扫描电镜对烧成后的产品进行结构分析,并对成品进行电性能测试,探索残碳量与成品的电极连续性、电性能及可靠性之间的联系。结果表明通过增大气体交换、降低排胶升温速率、延长保温时间等手段可有效降低排胶后的残碳量,烧成MLCC的内电极连续性变得更好,容量和击穿电压等电性能数据得到提升,介质层变得更致密,使用寿命延长。所探讨的测定排胶充分性以及增加排胶充分性的方法可为MLCC工业生产中的排胶作业提供参考。 展开更多
关键词 MLCC 残碳量 排胶 电极连续性 电性能
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基于FPGA的JPEG-XS高性能解码器硬件架构设计
19
作者 郑畅 吴林煌 +1 位作者 李雅欣 刘伟 电子与封装 2025年第2期49-54,共6页
JPEG-XS视频编解码标准具有高质量、低复杂度、低延时等特点。针对JPEG-XS图像编解码压缩标准,对其解码算法进行了简要介绍,提出了一种面向硬件实现的高性能JPEG-XS解码器架构。所设计的解码器硬件架构采用流水线处理,能够在保持高数据... JPEG-XS视频编解码标准具有高质量、低复杂度、低延时等特点。针对JPEG-XS图像编解码压缩标准,对其解码算法进行了简要介绍,提出了一种面向硬件实现的高性能JPEG-XS解码器架构。所设计的解码器硬件架构采用流水线处理,能够在保持高数据吞吐量的同时减少由组合逻辑带来的路径延迟,提高了工作频率,每个时钟周期可解码4个重构像素值。实验结果表明,在Xilinx Zynq FPGA的实验平台上,所设计的高性能JPEG-XS解码器硬件架构仅占用约15×103个查找表和11×103个寄存器资源,最高主频达254 MHz,最高可支持4K、100帧/s的实时视频解码。 展开更多
关键词 JPEG-XS 解码器 FPGA 视觉无损 硬件架构
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烧结银阵列互连双面散热SiC半桥模块的散热和应力仿真
20
作者 逄卓 赵海强 +2 位作者 徐涛涛 张浩波 王美玉 电子与封装 2025年第3期25-31,共7页
基于烧结银作为芯片互连层的双面散热SiC半桥模块,改变芯片顶面与基板的烧结银连接层形状为片状、圆柱阵列和长方体阵列,进行了散热和热应力仿真。仿真结果表明,得益于烧结银较高的热导率,改变烧结银层的形状对散热性能影响很小。相比... 基于烧结银作为芯片互连层的双面散热SiC半桥模块,改变芯片顶面与基板的烧结银连接层形状为片状、圆柱阵列和长方体阵列,进行了散热和热应力仿真。仿真结果表明,得益于烧结银较高的热导率,改变烧结银层的形状对散热性能影响很小。相比于片状烧结银互连模块,采用圆柱阵列和长方体阵列烧结银互连的模块,其结温最大仅升高0.2℃和0.14℃。由于阵列模型中的烧结银互连层通过多个微小连接点有效分散和缓解了热应力,圆柱阵列和长方体阵列的烧结残余热应力和工作热应力都显著降低,圆柱阵列模型的烧结残余热应力和工作热应力降低了8.57%和3.16%,长方体阵列模型的烧结残余热应力和工作热应力降低了8.57%和37.71%,并且可通过缩小烧结银面积来降低成本,具有较高的科研和应用价值。 展开更多
关键词 双面散热模块封装 烧结银 阵列 散热 热应力
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