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第十八届中国微纳电子技术交流与学术研讨会暨2025年微纳器件技术融合创新发展论坛会议通知
1
《微纳电子技术》 2025年第2期I0001-I0002,共2页
微纳电子技术涉及电子、机械、物理、化学、生物、医学、材料、制造、测试等多学科领域,是一门多学科交叉渗透和综合的高新技术,是未来技术更新换代和新兴产业发展的重要基础。为进一步推动我国微纳电子技术的快速发展,为大家提供一个... 微纳电子技术涉及电子、机械、物理、化学、生物、医学、材料、制造、测试等多学科领域,是一门多学科交叉渗透和综合的高新技术,是未来技术更新换代和新兴产业发展的重要基础。为进一步推动我国微纳电子技术的快速发展,为大家提供一个了解国内外微纳电子技术最新发展动态的交流平台,“第十八届中国微纳电子技术交流与学术研讨会暨2025年微纳器件技术融合创新发展论坛”定于2025年5月16—18日在合肥世纪金源大饭店举行。 展开更多
关键词 微纳电子技术 新兴产业发展 微纳器件 高新技术 交流平台 融合创新发展 学术研讨会 论坛
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第十八届中国微纳电子技术交流与学术研讨会暨2025年微纳器件技术融合创新发展论坛会议通知
2
《微纳电子技术》 2025年第3期I0001-I0002,共2页
微纳电子技术涉及电子、机械、物理、化学、生物、医学、材料、制造、测试等多学科领域,是一门多学科交叉渗透和综合的高新技术,是未来技术更新换代和新兴产业发展的重要基础。为进一步推动我国微纳电子技术的快速发展,为大家提供一个... 微纳电子技术涉及电子、机械、物理、化学、生物、医学、材料、制造、测试等多学科领域,是一门多学科交叉渗透和综合的高新技术,是未来技术更新换代和新兴产业发展的重要基础。为进一步推动我国微纳电子技术的快速发展,为大家提供一个了解国内外微纳电子技术最新发展动态的交流平台,“第十八届中国微纳电子技术交流与学术研讨会暨2025年微纳器件技术融合创新发展论坛”定于2025年5月16—18日在合肥世纪金源大饭店举行。大会特邀微纳电子技术及其交叉融合创新应用领域的知名专家、教授及企业代表等作大会主题报告,欢迎广大科研人员、高校师生以及产业界技术研究人员积极参与。 展开更多
关键词 科研人员 微纳电子技术 新兴产业发展 技术研究人员 微纳器件 大会主题报告 高新技术 应用领域
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面向10 kV以上碳化硅器件耐压区厚外延技术研究
3
作者 房玉龙 李帅 +3 位作者 芦伟立 王健 李建涛 王波 《微纳电子技术》 2025年第6期20-26,共7页
随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术... 随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术,成功实现了对缓冲层与衬底及漂移层之间界面应力的调控,显著降低了外延片基平面位错密度,结合漂移层生长速率、缓冲层工艺以及C/Si比的协同优化,显著提升了4H-SiC厚外延材料的性能。实验结果表明:优化后的缓冲层工艺通过渐变掺杂设计有效调控界面应力,将基平面位错密度从1.5 cm^(-2)降至0.07 cm^(-2);同时,通过将生长速率提升至70μm/h并优化C/Si比至0.85,成功制备了厚度100μm、掺杂浓度2.5×10^(14)cm^(-3)的高质量外延层,原生少子寿命均值达1.76μs,材料均匀性及表面缺陷密度均满足10 kV以上超高压器件耐压区需求。 展开更多
关键词 超高压 基平面位错 C/Si比 双界面调制缓冲层 少子寿命
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基于QST衬底的厚GaN外延材料生长研究
4
作者 韩颖 高爽 +3 位作者 房玉龙 王波 高楠 张志荣 《微纳电子技术》 2025年第4期108-113,共6页
在QST复合衬底上生长出厚度超过12μm的GaN外延层。测试结果表明外延片表面平整、无裂纹;原子力显微镜(AFM)分析表明样品表面为良好的台阶流形貌,样品表面中心的均方根表面粗糙度为0.224 nm;外延片的弯曲度仅为6.086μm,这对于维持器件... 在QST复合衬底上生长出厚度超过12μm的GaN外延层。测试结果表明外延片表面平整、无裂纹;原子力显微镜(AFM)分析表明样品表面为良好的台阶流形貌,样品表面中心的均方根表面粗糙度为0.224 nm;外延片的弯曲度仅为6.086μm,这对于维持器件应用中的结构完整性至关重要;GaN的(002)和(102)晶面半高全宽(FWHM)分别为131和272 arcsec,表明材料具有较高程度的结晶取向和晶格有序性;外延片的方块电阻为276.5Ω/□,二维电子气(2DEG)密度为1.05×10^(13)cm^(-2),载流子迁移率为2150 cm^(2)/(V·s),表明材料具有良好的电学性能。本研究在QST衬底上成功制备了低弯曲度、厚GaN外延片,为在更大直径QST衬底上生长更厚的GaN外延层提供了参考,对未来高压GaN在电力电子领域的应用具有指导意义。 展开更多
关键词 QST衬底 热膨胀系数(CTE) 厚外延 二维电子气(2DEG) 异质外延
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硅溶胶的制备条件对粒径和分散性的影响规律
5
作者 宋绍富 张艳妮 +2 位作者 黄云峰 吴宝阳 刘菊荣 《微纳电子技术》 2025年第2期159-164,共6页
以水玻璃为原料,采用离子交换法制备碱性硅溶胶,考察了搅拌速度、反应温度、滴加速率以及硅酸质量分数对产物粒径和分散性的影响。利用激光粒度仪、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)仪、透射电子显微镜(TEM)对硅溶胶粒径、结构和形貌进行表征... 以水玻璃为原料,采用离子交换法制备碱性硅溶胶,考察了搅拌速度、反应温度、滴加速率以及硅酸质量分数对产物粒径和分散性的影响。利用激光粒度仪、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)仪、透射电子显微镜(TEM)对硅溶胶粒径、结构和形貌进行表征。结果表明,硅溶胶制备的最佳条件:搅拌速度为800 r/min,反应温度为95℃,滴加速率为1 mL/min,硅酸质量分数为5%。得到了平均粒径为18 nm、多分散指数为0.293的SiO_(2)球形颗粒,大小均匀且粒径分布窄,稳定性良好,不易凝胶。 展开更多
关键词 离子交换法 硅溶胶 粒径 分散性 粒径分布
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基于通信光缆振动监测的轨道病害实时预警技术研究
6
作者 王建军 邹聪聪 +2 位作者 李杨 吴宇 时瑾 《微纳电子技术》 2025年第1期118-126,共9页
铁路轨道病害的实时监测对于维护铁路基础设施、保障列车运行安全至关重要。采用光纤分布式声波传感(DAS)技术对列车作用于轨道伴行光缆的声振信号进行特征提取,利用贝叶斯优化的支持向量机(SVM)模型建立空吊伤、鱼鳞伤病害数据库,实现... 铁路轨道病害的实时监测对于维护铁路基础设施、保障列车运行安全至关重要。采用光纤分布式声波传感(DAS)技术对列车作用于轨道伴行光缆的声振信号进行特征提取,利用贝叶斯优化的支持向量机(SVM)模型建立空吊伤、鱼鳞伤病害数据库,实现对铁路轨道病害在线识别及预警。现场测试结果表明,普速铁路焦柳线王庄站至洛阳北站鱼鳞伤检出准确率为83.33%,空吊伤检出准确率为50%;重载铁路侯月线盘古寺站至磨滩站鱼鳞伤检出准确率为100%,空吊伤检出准确率为72.7%。现场测试结果显示出DAS技术在轨道病害识别方面具有一定的应用及指导意义。 展开更多
关键词 铁路轨道病害监测 信号特征提取 支持向量机(SVM) 空吊伤 鱼鳞伤
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电离式雾霾颗粒传感器的超声波清灰研究
7
作者 张勇 解靓 +3 位作者 李小玉 王春祺 陈麒宇 孙金荣 《微纳电子技术》 2025年第1期73-83,共11页
雾霾检测是环境治理的重要环节,但雾霾检测传感器存在颗粒物附着后不能运行的问题。为解决这一问题,提出了一种基于声凝并原理的超声波清洁技术。常用的机械式除尘法对微米级颗粒去除效果不显著,湿式除尘法会增加设备被腐蚀的风险,静电... 雾霾检测是环境治理的重要环节,但雾霾检测传感器存在颗粒物附着后不能运行的问题。为解决这一问题,提出了一种基于声凝并原理的超声波清洁技术。常用的机械式除尘法对微米级颗粒去除效果不显著,湿式除尘法会增加设备被腐蚀的风险,静电除尘法存在供电电压高、功耗大等缺点。与以上除尘法相比,该技术具有非接触、非损伤等特点,适用于清洁传感器。计算了极板与颗粒物的粘附力和超声波发生器的频率与功率;仿真确定了超声波换能器的声波传导范围、固定背板的结构和放置位置;通过分析超声波在空间的传导状况,优化了超声波的传播频率和声压,确定了声强变化范围。实验结果表明,清灰后传感器的质量减小,且最小电流与清灰前初始电流仅相差1.9%,除尘效率高达98%,优于常用的基于气旋原理的气体流量传感器除尘装置,表明了超声波清灰技术的高效性。 展开更多
关键词 雾霾检测传感器 声凝并原理 超声波清灰技术 非接触 超声波换能器
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石墨烯材料在人体感知监测领域的研究进展 被引量：1
8
作者 李佳文 时凯 +3 位作者 苏俊宏 吴慎将 李宏光 王元博 《微纳电子技术》 2025年第2期55-65,共11页
石墨烯材料作为一种柔性导电材料,已广泛应用于人体感知领域的研究。因其优异的物理性能和导电性能,研究人员通常将石墨烯材料与其他材料相结合,或对石墨烯材料进行结构设计,将石墨烯材料作为柔性传感器发展的研究重点。基于石墨烯材料... 石墨烯材料作为一种柔性导电材料,已广泛应用于人体感知领域的研究。因其优异的物理性能和导电性能,研究人员通常将石墨烯材料与其他材料相结合,或对石墨烯材料进行结构设计,将石墨烯材料作为柔性传感器发展的研究重点。基于石墨烯材料在人体感知监测领域的研究进展,对常见的含石墨烯材料柔性传感器在人体脉搏监测、人体运动监测和人体疾病标志物监测三方面的监测能力进行综述。对石墨烯材料柔性传感器在不同人体感知监测领域的发展情况进行总结和分析,为未来石墨烯材料在人体感知监测领域的研究提供了参考。 展开更多
关键词 石墨烯 柔性传感器 运动 脉搏 疾病免疫
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界面停顿对生长量子级联激光器InGaAs/InAlAs超晶格晶体质量的影响
9
作者 王祎玮 房玉龙 +3 位作者 张曦 商耀辉 赵辉 师巨亮 《微纳电子技术》 2025年第5期63-68,共6页
量子级联激光器(QCL)界面质量对材料质量和器件性能的影响很大,通过分子束外延(MBE)设备生长了高微分增益结构的QCL。研究了界面停顿对InGaAs/InAlAs超晶格质量的影响。改变超晶格层与层之间的中断时间(10、15、25、35、40s)后,发现界... 量子级联激光器(QCL)界面质量对材料质量和器件性能的影响很大,通过分子束外延(MBE)设备生长了高微分增益结构的QCL。研究了界面停顿对InGaAs/InAlAs超晶格质量的影响。改变超晶格层与层之间的中断时间(10、15、25、35、40s)后,发现界面停顿会使QCL超晶格生长质量变好。使用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)测量超晶格层的组成成分和生长速率。采用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)研究了超晶格的直线特征和界面结构变化。HRTEM图像表明采用界面停顿的InGaAs/InAlAs层与层之间不存在位错,材料质量和均匀性良好,界面清晰平直。在生长过程中引入的停顿,其实质是生长退火的等效过程,它有助于原子有序排列,并减轻界面处晶格失配带来的不良影响。本研究有望为QCL工艺优化提供参考。 展开更多
关键词 超晶格 应变补偿 量子级联激光器(QCL) 外延 界面停顿
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复合衬底薄膜砷化镓太阳电池技术研究
10
作者 郭哲俊 施祥蕾 +7 位作者 周丽华 张占飞 钱勇 吴敏 李彬 王波 孙利杰 王训春 《微纳电子技术》 2025年第1期48-54,共7页
针对薄膜砷化镓(GaAs)太阳电池,提出了一种复合衬底结构及其一体化制备方法。采用微加工方法使该薄膜砷化镓太阳电池的复合式柔性衬底的厚度降低至15μm,薄膜GaAs太阳电池整体面密度低至95 g/m^(2),光刻形成的金属微孔使砷化镓与衬底背... 针对薄膜砷化镓(GaAs)太阳电池,提出了一种复合衬底结构及其一体化制备方法。采用微加工方法使该薄膜砷化镓太阳电池的复合式柔性衬底的厚度降低至15μm,薄膜GaAs太阳电池整体面密度低至95 g/m^(2),光刻形成的金属微孔使砷化镓与衬底背面底电极电学导通。此外,提出的复合衬底一体化制备方法可避免传统薄膜GaAs电池键合过程对砷化镓外延层造成的影响,提高太阳电池工艺可靠性。薄膜GaAs太阳电池电性能测试及疲劳测试结果均表明该一体化制备方法在提高工艺可行性、降低工艺复杂度的同时其电池电性能无明显降低。该复合衬底的薄膜GaAs太阳电池及其一体化制备方法在未来有着广阔的应用前景。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 复合衬底 砷化镓(GaAs) 柔性薄膜电池 面密度
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基于光谱椭偏的开放型膜厚样板测量方法
11
作者 张晓东 韩志国 +3 位作者 赵琳 许晓青 李锁印 吴爱华 《微纳电子技术》 2025年第6期122-128,共7页
作为表征晶圆薄膜厚度的精密测量仪器,光谱型椭偏仪通过计算薄膜参数与偏振态的关系,实现薄膜厚度的高精度测量。为验证光谱型椭偏仪测量微米级薄膜厚度的准确性,对基于半导体工艺的开放型膜厚样板制备技术进行了研究。通过优化工艺参... 作为表征晶圆薄膜厚度的精密测量仪器,光谱型椭偏仪通过计算薄膜参数与偏振态的关系,实现薄膜厚度的高精度测量。为验证光谱型椭偏仪测量微米级薄膜厚度的准确性,对基于半导体工艺的开放型膜厚样板制备技术进行了研究。通过优化工艺参数实现对膜厚均匀性、粗糙度的精准化控制,研制出了1~3μm开放型膜厚样板。样板测量结果显示:提出的制备技术可将膜厚均匀性控制在1 nm以内。此外,为简化测量模型复杂度并提高计算效率,将四相结构模型简化为等效结构模型,即将硅衬底上的多层结构整合为单一等效层进行表征。通过对比四相结构模型和等效结构模型的差异性,建立了基于光谱椭偏的微米级薄膜厚度测量方案。采用两种测量模型对1~3μm膜厚样板分别进行测量,结果表明:两种测量模型的测量偏差在0.8 nm以内。最后,进行计量型原子力显微镜和光谱型椭偏仪的测量对比实验,测量结果具有很好的一致性,进而证明开放型膜厚样板通过计量型原子力显微镜测量台阶高度的方式溯源到激光波长的方案有效。 展开更多
关键词 光谱型椭偏仪 开放型膜厚样板 椭偏分析 量值溯源 薄膜测量
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面向CMUT的驱动电路设计和激励信号优化
12
作者 孙帅文 何常德 +4 位作者 吴帅琦 张文栋 张国军 杨玉华 王任鑫 《微纳电子技术》 2025年第4期82-89,共8页
电容式微机械超声换能器(CMUT)具有微型化、易与电子产品集成、与人体组织阻抗匹配良好、机电转换效率高、灵敏度高、频带宽和成本低等优点。CMUT在医学成像、无损检测和流速测量等领域展现出极大应用潜力。针对CMUT,设计了一套高压脉... 电容式微机械超声换能器(CMUT)具有微型化、易与电子产品集成、与人体组织阻抗匹配良好、机电转换效率高、灵敏度高、频带宽和成本低等优点。CMUT在医学成像、无损检测和流速测量等领域展现出极大应用潜力。针对CMUT,设计了一套高压脉冲激励系统,可以用于激励CMUT发送超声波。使用该系统对CMUT进行不同发射波形的测试对比。实验结果显示:在正极性偏置电压下,对上电极施加峰峰值相同的负极性脉冲方波、双极性脉冲方波和正极性脉冲方波时,负极性脉冲方波发射声压最大,双极性脉冲方波次之,正极性脉冲方波发射声压最低。在负极性偏置电压下,对上电极施加峰峰值相同的负极性脉冲方波、双极性脉冲方波和正极性脉冲方波时,正极性脉冲方波发射声压最大,双极性脉冲方波次之,负极性脉冲方波发射声压最低。 展开更多
关键词 电容式微机械超声换能器(CMUT) 驱动电路 激励信号 电压极性 发射声压
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不锈钢纳米多孔材料制备研究进展
13
作者 王永嘉 马文豪 +4 位作者 田荣 何石轩 方绍熙 谢婉谊 王德强 《微纳电子技术》 2025年第4期34-48,共15页
纳米多孔金属材料是一种具有纳米级精细结构的新型金属材料。结构和功能的双重属性使纳米多孔金属薄膜表现出独特的表面效应和纳米尺寸效应,使其在光学、催化、生物技术和分离科学相关应用中至关重要。目前,大多数市售的多孔金属由不锈... 纳米多孔金属材料是一种具有纳米级精细结构的新型金属材料。结构和功能的双重属性使纳米多孔金属薄膜表现出独特的表面效应和纳米尺寸效应,使其在光学、催化、生物技术和分离科学相关应用中至关重要。目前,大多数市售的多孔金属由不锈钢或基于不锈钢制成。因此,研究人员使用不同的制备技术来开发简单、通用的不锈钢纳米多孔材料,通过控制金属薄膜上纳米级多孔的精细结构,以实现实际应用。总结了不锈钢纳米多孔材料的当前研究进展,重点介绍了使用烧结和脱合金等方法制备无序不锈钢纳米多孔材料原理,以及使用阳极氧化制备有序不锈钢纳米多孔结构的影响因素和技术发展,以期为不锈钢纳米多孔材料的制备提供参考。 展开更多
关键词 不锈钢 纳米多孔 烧结 脱合金 阳极氧化
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基于细分插值技术的光栅干涉MOEMS加速度计
14
作者 杨鹏 金丽 +1 位作者 解琨阳 李孟委 《微纳电子技术》 2025年第3期135-141,共7页
为了解决光栅加速度计信号全量程线性化的问题,提出了一种基于细分插值技术的光栅干涉微光机电系统(MOEMS)加速度计。首先阐述了光栅干涉式加速度计的敏感机理,即通过两束衍射光之间的光程差变化引起的干涉光强变化实现加速度检测,然后... 为了解决光栅加速度计信号全量程线性化的问题,提出了一种基于细分插值技术的光栅干涉微光机电系统(MOEMS)加速度计。首先阐述了光栅干涉式加速度计的敏感机理,即通过两束衍射光之间的光程差变化引起的干涉光强变化实现加速度检测,然后利用仿真对所设计的加速度计结构进行优化设计。由于光栅干涉式加速度计输出信号为单路正弦信号,因此采用细分插值电路技术,结合90°相移和高精度直流偏置电压技术,将具有正弦特性的模拟信号转换为线性变化的标准增量数字信号输出,大大抑制了细分插值过程中两路正交信号的相位、幅值和偏置误差。实验结果表明,所设计光栅干涉MOEMS加速度计灵敏度可达591.484 V/g,结合83倍的细分插值因子,将分辨率提升至39.18μg。该设计为实现高分辨率MOEMS加速度计提供了一种新的途径。 展开更多
关键词 加速度计 微光机电系统(MOEMS) 光栅干涉 细分插值 线性化
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一种小体积MEMS传感器数据记录仪
15
作者 尚义航 赵凯明 +1 位作者 段俊萍 张斌珍 《微纳电子技术》 2025年第1期110-117,共8页
对飞行器发射航行阶段的数据测试是目前研究的重要方向。数据记录仪作为一种可装载的数据采集装置,具有重要的研究价值。针对小型飞行器的数据采集工作,提出了一种具有小体积、低功耗、高性能以及高抗过载能力的微电子机械系统(MEMS)传... 对飞行器发射航行阶段的数据测试是目前研究的重要方向。数据记录仪作为一种可装载的数据采集装置,具有重要的研究价值。针对小型飞行器的数据采集工作,提出了一种具有小体积、低功耗、高性能以及高抗过载能力的微电子机械系统(MEMS)传感器数据记录仪。它能够对三轴角速度、加速度以及磁场数据进行同步测量。数据计算和实验测试结果表明,记录仪总体积为22.4 cm^(3),工作状态下的功耗仅为0.68 W。通过抗过载工艺使系统抗过载能力达到了18000g,实现了对于小体积、低功耗和高抗过载能力的特性要求。通过Labview软件对磁场数据进行测量及误差分析,得到线性度误差最大值仅为-1.14%,满足HMC1053三轴磁传感器线性度误差优于±1.8%的指标要求,能够实现对于小型飞行器发射航行过程中的数据采集,具有很高的可行性。 展开更多
关键词 传感器数据记录仪 微电子机械系统(MEMS) 小体积 高抗过载 低功耗
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TiO_(2)掺杂对β″-Al_(2)O_(3)微观组织及阳极键合性能的影响
16
作者 许兆麒 刘翠荣 +3 位作者 阴旭 于秀秀 王强 刘淑文 《微纳电子技术》 2025年第5期69-74,共6页
β″-Al_(2)O_(3)是一种常用于阳极键合的固体电解质材料,通过掺杂质量分数1.0%TiO_(2)的固相反应法制备β″-Al_(2)O_(3),改善其微观结构。对比未掺杂和掺杂TiO_(2)的样品,通过X射线衍射(XRD)发现TiO_(2)的加入有效抑制了β″-Al_(2)O_... β″-Al_(2)O_(3)是一种常用于阳极键合的固体电解质材料,通过掺杂质量分数1.0%TiO_(2)的固相反应法制备β″-Al_(2)O_(3),改善其微观结构。对比未掺杂和掺杂TiO_(2)的样品,通过X射线衍射(XRD)发现TiO_(2)的加入有效抑制了β″-Al_(2)O_(3)烧结样品的结晶度,使用扫描电子显微镜(SEM)发现TiO_(2)的加入使得显微结构更致密且晶粒尺寸细化,并减少了材料内部的孔隙。在与Al的阳极键合实验中,掺杂TiO_(2)的样品表现出更高的电流峰值(10 mA),能谱仪(EDS)分析结果显示形成了约7μm厚度的连续致密界面过渡层。此外经过力学性能测试,其剪切强度达到3.8 MPa,显著高于未掺杂组(1.6 MPa)。表明TiO_(2)的掺杂不仅改善了材料的致密性和离子导电性,还增强了界面结合的力学性能。 展开更多
关键词 β″-Al_(2)O_(3) 微观结构 TiO_(2)掺杂 阳极键合 键合界面
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碳化硅-玻璃-碳化硅阳极键合界面性能分析
17
作者 刘淑文 阴旭 +3 位作者 刘翠荣 许兆麒 于秀秀 王强 《微纳电子技术》 2025年第4期152-159,共8页
碳化硅(SiC)因其优异的高温性能和稳定性,被广泛认为是新一代高温半导体器件封装的理想材料。利用两步阳极键合工艺实现了碳化硅-玻璃-碳化硅的可靠连接。两步键合过程中,第一步和第二步中的峰值电流存在较大差异,尤其在第二步键合过程... 碳化硅(SiC)因其优异的高温性能和稳定性,被广泛认为是新一代高温半导体器件封装的理想材料。利用两步阳极键合工艺实现了碳化硅-玻璃-碳化硅的可靠连接。两步键合过程中,第一步和第二步中的峰值电流存在较大差异,尤其在第二步键合过程中电流出现二次峰值特征。采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对样品键合界面进行分析。研究结果表明:当电压过大时,在第二步键合界面处会产生富碳层,从而影响键合效果。使用万能试验机对键合样品进行拉伸测试,发现键合强度随着键合温度和电压的升高而增大,断裂面沿第二步键合界面延伸到玻璃内部。 展开更多
关键词 阳极键合 微电子机械系统(MEMS)封装 碳化硅-玻璃-碳化硅 富碳层 键合强度
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高深宽比梳齿结构刻蚀工艺
18
作者 康建波 商庆杰 宋洁晶 《微纳电子技术》 2025年第1期137-143,共7页
梳齿结构刻蚀是制备电容加速度计芯片的重要工序步骤。在梳齿结构刻蚀过程中,采用快速切换阀代替质量流量控制器(MFC)开关气体解决了梳齿侧壁弯曲问题;将Bosch工艺中物理轰击步骤和化学刻蚀步骤移到沉积步骤之前解决了梳齿顶部损伤问题... 梳齿结构刻蚀是制备电容加速度计芯片的重要工序步骤。在梳齿结构刻蚀过程中,采用快速切换阀代替质量流量控制器(MFC)开关气体解决了梳齿侧壁弯曲问题;将Bosch工艺中物理轰击步骤和化学刻蚀步骤移到沉积步骤之前解决了梳齿顶部损伤问题;研究了沉积时间、物理轰击偏置电极功率、化学刻蚀压力与刻蚀选择比的关系。实验结果表明:增加化学刻蚀压力能够显著提升刻蚀选择比,但齿间隙也会随着化学刻蚀压力的增加而展宽,优化后的Bosch工艺配方为沉积时间1.3 s,物理轰击偏置电极功率70 W,化学刻蚀压力60 mTorr(1 mTorr≈0.133 Pa)。制备的梳齿结构齿间隙宽度3.19μm,深度86.3μm,侧壁倾角89.9°,侧壁粗糙度79 nm,深宽比达到27∶1,刻蚀选择比达到32∶1,并成功应用于电容加速度计芯片生产。 展开更多
关键词 梳齿结构 电容加速度计 Bosch工艺 选择比 深宽比 侧壁倾角
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压敏电阻排布对压力传感器输出特性的影响
19
作者 王旦旦 雷程 +2 位作者 闫施锦 冀鹏飞 梁庭 《微纳电子技术》 2025年第6期60-67,共8页
通过有限元仿真分析,研究了压敏电阻排布对压力传感器输出特性的影响。使用COMSOL软件对传感器芯片进行了力电耦合分析,重点对比了在相同形状的膜片上将压敏电阻位置按常规排布和经过改进后排布时的输出特性差异,同时对比了不同形状膜片... 通过有限元仿真分析,研究了压敏电阻排布对压力传感器输出特性的影响。使用COMSOL软件对传感器芯片进行了力电耦合分析,重点对比了在相同形状的膜片上将压敏电阻位置按常规排布和经过改进后排布时的输出特性差异,同时对比了不同形状膜片(方形膜、圆形膜、E型膜)上压敏电阻位置优化的趋势及其对输出特性的改善效果。通过对比分析发现,压敏电阻位置的优化能够显著提高传感器的输出电压和灵敏度,最小提升达到29.07%,最大提升可达到45.92%。此外,仿真结果还表明,压敏电阻位置的优化趋势普遍指向应力集中区域,特别是膜片的边缘和固支连接处,将压敏电阻布置于应力集中的区域能够显著改善传感器的响应性能。这项研究为进一步提升压力传感器的输出特性提供了理论依据和设计参考。 展开更多
关键词 压敏电阻 压力传感器 力电耦合 膜片形状 输出电压 应力集中区
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一种高稳定性带过流保护的LDO电路设计
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作者 韩富璇 何庆国 +1 位作者 王鑫 马琳 《微纳电子技术》 2025年第5期46-53,共8页
采用0.25μm CMOS工艺设计了一种高稳定性带过流保护功能的低压差线性稳压器(LDO)。该LDO包括带隙基准电路、误差放大器、过流保护电路等。过流保护电路可以在LDO负载超过设定值时关闭LDO电路。误差放大器主环路采用负载电容等效串联电... 采用0.25μm CMOS工艺设计了一种高稳定性带过流保护功能的低压差线性稳压器(LDO)。该LDO包括带隙基准电路、误差放大器、过流保护电路等。过流保护电路可以在LDO负载超过设定值时关闭LDO电路。误差放大器主环路采用负载电容等效串联电阻(ESR)和密勒电容倍增补偿进行频率补偿,保证全负载条件下电路的稳定性。仿真结果表明,设计的LDO实现了7~15 V的输入电压范围,输出电压典型值为5 V,带载能力为0~20 mA,过流保护开启阈值为24 mA,全负载范围内最差相位裕度为76°。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 过流保护 高稳定性 频率补偿 误差放大器(EA)
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