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基于改进Frangi滤波的芯片表面缺陷检测算法
1
作者 何钢 朱峰 +1 位作者 邹华涛 姚远 《计算机集成制造系统》 北大核心 2025年第10期3785-3793,共9页
针对复杂纹理芯片表面缺陷检测困难的问题,提出一种基于改进Frangi滤波的芯片表面缺陷检测算法。改进算法突破了传统Frangi滤波仅能有效增强线状缺陷的限制,在原算法模型的基础上,先将圆形结构抑制项去除,再采用优化后的频率调谐(FT)显... 针对复杂纹理芯片表面缺陷检测困难的问题,提出一种基于改进Frangi滤波的芯片表面缺陷检测算法。改进算法突破了传统Frangi滤波仅能有效增强线状缺陷的限制,在原算法模型的基础上,先将圆形结构抑制项去除,再采用优化后的频率调谐(FT)显著性检测算法对背景判定条件进行改进,最后加入所构建的块状缺陷响应项,得到新型多特征响应函数。实验结果表明,改进算法能够有效增强芯片表面各类缺陷,平均检测率达到97.3%,较原算法提升46%。与同类检测算法相比,改进算法在弱划痕检测方面优势明显,划痕检测率达到90%。此外,算法平均耗时仅0.08 s,满足实时检测需求。 展开更多
关键词 芯片缺陷检测 Frangi滤波 多特征响应 HESSIAN矩阵 显著性检测
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气体放电与等离子体在芯片制造领域中的应用
2
作者 付洋洋 王新新 +11 位作者 邹晓兵 韩星 陈佳毅 张东荷雨 陈健东 林楚彬 杨栋 贾鸿宇 王倩 郑博聪 赵凯 肖舒 《高电压技术》 北大核心 2025年第8期4458-4477,共20页
放电等离子体广泛应用于半导体芯片制造,包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、等离子体清洗等,其技术总成占据集成电路产业份额1/3以上,已发展成为芯片制造工艺与装备领域的关键核心技术。该文对气体放电与等离子体在芯片制造领域的典... 放电等离子体广泛应用于半导体芯片制造,包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、等离子体清洗等,其技术总成占据集成电路产业份额1/3以上,已发展成为芯片制造工艺与装备领域的关键核心技术。该文对气体放电与等离子体在芯片制造领域的典型应用进行了概述。首先,针对光刻光源系统,介绍了气体放电泵浦准分子激光、激光产生等离子体辐射极紫外光的基本原理,其本质都是利用等离子体产生的光辐射;其次,针对刻蚀用射频等离子体,介绍了低气压射频放电的产生、特性、调控及相关工艺技术;再次,对薄膜工艺、离子注入装备原理及相关放电等离子体技术原理进行了介绍与讨论;随后,在量测与检测方面,分别介绍了光学检测与电子束检测的特点,阐述了激光维持等离子体实现宽谱强辐射光源的基本原理与特性;最后,介绍了基于辉光放电的等离子体清洗技术,以及其在去除刻蚀残留物中的应用。通过总结梳理气体放电与等离子体在半导体制造领域中的应用及相关核心技术,明晰放电等离子体科学基础研究方向,助力解决半导体装备国产化过程中的等离子体技术瓶颈。 展开更多
关键词 气体放电 等离子体 芯片制造 气体激光 等离子体辐射 射频放电 等离子体刻蚀 激光维持等离子体 辉光放电清洗
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集成电路制造装备发展态势及关键技术分析
3
作者 张慧婧 胡思思 +1 位作者 盖爽 王洪燕 《机械设计与制造》 北大核心 2025年第10期103-110,116,共9页
集成电路制造装备作为集成电路技术不断迭代升级的基石,对集成电路产业的发展至关重要。以集成电路核心制造装备以及光刻机、刻蚀机、离子注入机细分领域为研究对象,综合运用文献调研、专家咨询和专利分析等方法,从技术发展趋势、地域... 集成电路制造装备作为集成电路技术不断迭代升级的基石,对集成电路产业的发展至关重要。以集成电路核心制造装备以及光刻机、刻蚀机、离子注入机细分领域为研究对象,综合运用文献调研、专家咨询和专利分析等方法,从技术发展趋势、地域分布、重要机构、主要技术布局、关键技术领域分布等方面梳理了集成电路核心制造装备技术发展现状。研究发现,美国、日本集成电路核心制造装备技术全球领先;我国相关专利申请数量虽然处于上游水平,但迫切需要在关键技术领域布局上进一步提升自主可控能力。在此基础上,对我国集成电路制造装备领域的发展提出了建议,为我国集成电路核心制造装备领域的关键技术突破、科技创新等提供决策支撑。 展开更多
关键词 集成电路 集成电路制造 核心制造装备 专利分析 技术趋势 技术识别
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自由基刻蚀多晶硅及氟原子密度检测的研究
4
作者 高远 李筝 +3 位作者 曹勇 桑利军 刘博文 刘忠伟 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第7期584-591,共8页
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,传统刻蚀技术在选择性和物理损伤控制等方面面临挑战。自由基刻蚀技术具有高精度、低刻蚀损伤等优点,在微纳加工中具有重要应用价值与广阔的应用前景。研究利用自由基刻蚀技术,以CF_(4)/O_(2)/He混合气... 随着集成电路特征尺寸的不断缩小,传统刻蚀技术在选择性和物理损伤控制等方面面临挑战。自由基刻蚀技术具有高精度、低刻蚀损伤等优点,在微纳加工中具有重要应用价值与广阔的应用前景。研究利用自由基刻蚀技术,以CF_(4)/O_(2)/He混合气体为放电气体,系统研究了放电参数,如输入功率与气体流量对多晶硅刻蚀速率和F原子密度的影响。使用Ar作为标定气体定量测定刻蚀过程中的F原子密度。结果表明,F原子密度和刻蚀速率均随功率或CF_(4)流量的增加呈现先上升后趋于平稳的趋势;适当增加He或O_(2)比例可以提高刻蚀速率,但过高的He或O_(2)流量会导致F原子密度减少和刻蚀速率下降。研究揭示了自由基刻蚀过程中的关键参数,为优化刻蚀工艺提供了理论指导。 展开更多
关键词 多晶硅 自由基刻蚀 刻蚀速率 F 原子密度
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金-铝键合界面空洞生长动力学研究
5
作者 陈柏雨 王波 +3 位作者 可帅 黄伟 刘岗岗 潘开林 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期633-640,共8页
为探究金-铝键合界面处空洞的演化与焊盘厚度的关系,通过实验、仿真模拟和理论分析相结合的方法对金丝和铝焊盘键合点空洞的生长进行了研究。实验结果表明,2~3μm厚Al/0.5%Cu铝焊盘上采用99.99%金丝键合的样品在300℃下贮存24 h后,键合... 为探究金-铝键合界面处空洞的演化与焊盘厚度的关系,通过实验、仿真模拟和理论分析相结合的方法对金丝和铝焊盘键合点空洞的生长进行了研究。实验结果表明,2~3μm厚Al/0.5%Cu铝焊盘上采用99.99%金丝键合的样品在300℃下贮存24 h后,键合界面处产生的空洞数量与铝焊盘厚度呈正相关关系,该结果与基于编程软件的元胞自动机仿真预测结果高度一致。空洞的形成规律符合引入浓度梯度后的金属扩散理论,即空洞的半径随焊盘厚度的增大而增大,随着时间步长的推移,空洞的形成速率先增大后减小。本研究结果为高温贮存后金-铝键合界面断裂失效提供了理论支持。 展开更多
关键词 空洞生长 元胞自动机 金-铝键合 焊盘厚度 高温贮存
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钼铜载体与铝合金外壳的无压纳米银胶低温烧结强度 被引量：1
6
作者 陈澄 尹红波 +3 位作者 王成 倪大海 谢璐 曾超林 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期95-100,共6页
纳米银胶的烧结温度一般为250℃及以上,而在功率模块装配过程中,多温度梯度装配工艺要求纳米银胶的烧结温度不得超过217℃。使用800HT2V纳米银胶烧结钼铜载体与铝合金外壳,观察了不同烧结温度下纳米银胶装配后的微观形貌,测试了其装配... 纳米银胶的烧结温度一般为250℃及以上,而在功率模块装配过程中,多温度梯度装配工艺要求纳米银胶的烧结温度不得超过217℃。使用800HT2V纳米银胶烧结钼铜载体与铝合金外壳,观察了不同烧结温度下纳米银胶装配后的微观形貌,测试了其装配后剪切强度、热导率的变化,并进行了温度冲击试验。测试结果表明,烧结样品剪切强度均符合标准要求,随着烧结温度的升高,纳米银胶热导率及剪切强度明显提升,且在最高温度200℃下烧结充分,并形成致密的烧结体。在温度冲击试验后烧结样品的剪切强度均有一定程度的下降,最高温度150℃和175℃烧结的纳米银胶烧结样品剪切强度下降超过40%,而最高温度200℃烧结的样品剪切强度只下降21.2%。考虑到功率模块的长期可靠性,纳米银胶推荐使用最高温度200℃烧结。 展开更多
关键词 无压纳米银胶烧结 钼铜载体 铝合金外壳 剪切强度 热导率 可靠性
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粗化预电镀引线框架的可靠性研究 被引量：1
7
作者 张德良 朱林 +2 位作者 郑浩帅 杨永学 黄伟 《电镀与精饰》 北大核心 2025年第3期67-72,共6页
使用自主研发的电镀粗镍用电镀液,制备了粗化预电镀引线框架产品,并对产品粗化度的影响因素进行了研究,最终量化了粗化度与可靠性之间的关系。研究结果表明,电镀液中的主盐及微结构剂含量、电流密度、镀镍层厚度是影响预电镀引线框架表... 使用自主研发的电镀粗镍用电镀液,制备了粗化预电镀引线框架产品,并对产品粗化度的影响因素进行了研究,最终量化了粗化度与可靠性之间的关系。研究结果表明,电镀液中的主盐及微结构剂含量、电流密度、镀镍层厚度是影响预电镀引线框架表面粗化度的关键因素,将框架表面粗化度S-ratio控制在≥1.2,能够保证粗化预电镀引线框架的可靠性,该研究有望推动实现该类产品的国产化替代。 展开更多
关键词 电镀粗镍 电镀液 引线框架 粗化度 可靠性
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反演光刻技术的研究进展
8
作者 艾飞 苏晓菁 韦亚一 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第1期22-34,共13页
反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实... 反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实现方法;其次,调研了当前反演光刻技术应用在光刻掩模优化问题上的研究进展,分析了反演光刻技术的优势和存在的问题。以希望为计算光刻及相关研究领域的研究人员提供参考,为我国先进集成电路产业的发展提供技术支持。 展开更多
关键词 先进集成电路技术 反演光刻技术 光学临近效应修正 掩模优化 研究进展
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埋入式晶圆级封装芯片翘曲有限元仿真及参数敏感性分析
9
作者 吴道伟 李贺超 +3 位作者 李逵 张雨婷 代岩伟 秦飞 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期399-406,共8页
作为系统级封装(SiP)的关键技术之一,芯片埋置技术在提高I/O接口数量方面发挥着重要作用。伴随加工工艺温度变化,埋置芯片产生一定程度的翘曲,导致后续铺层的破损,使产品良率降低。针对埋入式晶圆级封装芯片在加工过程中的翘曲行为进行... 作为系统级封装(SiP)的关键技术之一,芯片埋置技术在提高I/O接口数量方面发挥着重要作用。伴随加工工艺温度变化,埋置芯片产生一定程度的翘曲,导致后续铺层的破损,使产品良率降低。针对埋入式晶圆级封装芯片在加工过程中的翘曲行为进行了模拟和研究。采用均匀化等效建模进行了有限元模拟,并结合输入参数变化和正交实验分析,研究了材料的弹性模量对芯片翘曲的影响。研究结果表明,芯片粘结薄膜(DAF)和钝化层(PL)的弹性模量对埋置芯片的翘曲起主要作用,为降低埋入式晶圆级封装芯片翘曲提供了参考。 展开更多
关键词 芯片埋置 翘曲 均匀化等效 正交实验 有限元分析
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固化技术对OLED微型显示器玻璃封装可靠性影响
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作者 周芳 王光华 +7 位作者 周允红 段谦 谢虹忆 杨炜平 金景一 孙伟杰 左俐娜 施梅 《红外技术》 北大核心 2025年第6期779-784,共6页
本文以硅基有机电致发光OLED微型显示器生产中的玻璃片封装技术为研究对象,研究了热固化和紫外光固化两种固化技术对玻璃片封装技术可靠性的影响,并从玻璃片封装的效率、对齐精度、粘接强度、环境老化缺陷,光电性能等方面对两种封装技... 本文以硅基有机电致发光OLED微型显示器生产中的玻璃片封装技术为研究对象,研究了热固化和紫外光固化两种固化技术对玻璃片封装技术可靠性的影响,并从玻璃片封装的效率、对齐精度、粘接强度、环境老化缺陷,光电性能等方面对两种封装技术进行了对比。结果表明:紫外光固化玻璃片封装技术在生产效率、对齐精度、粘接强度、环境老化缺陷方面均优于热固化方式,而在光电性能方面差别较小。 展开更多
关键词 OLED显示器 玻璃封装 热固化 紫外光固化 可靠性
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基于Box-Behnken响应面法优化SC1清洗热氧化膜工艺
11
作者 王玉超 吴彬斌 +5 位作者 贾丽丽 管冯林 李虎 李芳 张瑜 李涛 《华东理工大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第5期589-595,共7页
为控制SC1清洗导致的热氧化膜损失以及晶圆内不均匀性增加的问题,采用Box-Behnken设计法设计实验,并结合响应面法对SC1清洗工艺的3个关键参数(即药液温度、药液配比(V_(NH_(4)OH)∶V_(H_(2)O_(2))∶V_(H_(2)O),下同)和工艺时间)进行优... 为控制SC1清洗导致的热氧化膜损失以及晶圆内不均匀性增加的问题,采用Box-Behnken设计法设计实验,并结合响应面法对SC1清洗工艺的3个关键参数(即药液温度、药液配比(V_(NH_(4)OH)∶V_(H_(2)O_(2))∶V_(H_(2)O),下同)和工艺时间)进行优化。同时,探讨了各因素及其交互作用对清洗效果的影响。结果表明:当清洗时间固定为90 s且待清洗的热氧化膜厚度为3 nm时,药液温度为30℃、药液配比为1∶9.0∶50的SC1化学液对氧化膜表面的影响最小;当药液温度为60℃、药液配比为1∶3.0∶50时,热氧化膜的最大损失厚度为0.065 nm,且晶圆内不均匀性增量控制在1.00%以内;当药液温度为60℃、药液配比为1∶6.5∶50时,热氧化膜的最大损失厚度为0.043 nm,且晶圆内不均匀性增量控制在0.50%以内;当药液温度为55℃、药液配比为1∶8.0∶50时,热氧化膜损失厚度可维持在0.020 nm,且表面不均匀性增量控制在0.24%以内。本研究为集成电路制造中SC1清洗工艺的参数选择提供了参考。 展开更多
关键词 响应面优化 单片湿法工艺 SC1 热氧化膜损失 表面均匀性
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高掺钪AlN压电薄膜HBAR器件及工艺研究 被引量：2
12
作者 赵佳 姜文铮 +1 位作者 周琮泉 母志强 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第1期76-79,共4页
本文研究了高掺钪氮化铝(Al_(x) Sc_(1-x) N)压电薄膜高次谐波体声波谐振器(HBAR)的设计仿真与关键制备工艺。仿真研究了钪掺杂对压电材料和HBAR器件性能影响,研究表明:30%钪组分的Al_(0.7) Sc_(0.3) N薄膜能够提升谐振器近5倍的有效机... 本文研究了高掺钪氮化铝(Al_(x) Sc_(1-x) N)压电薄膜高次谐波体声波谐振器(HBAR)的设计仿真与关键制备工艺。仿真研究了钪掺杂对压电材料和HBAR器件性能影响,研究表明:30%钪组分的Al_(0.7) Sc_(0.3) N薄膜能够提升谐振器近5倍的有效机电耦合系数(k_(eff)^(2))。研究了电感耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀工艺对Mo电极斜坡角度的影响,通过调控工艺参数可以实现侧壁倾角10°~90°大范围调节。研发了Cl_(2)/BCl_(3)/Ar混合气体作为反应气体的Al_(0.7) Sc_(0.3) N薄膜ICP刻蚀工艺,刻蚀速率高达100 nm/min并获得垂直的侧壁形貌。在此基础上成功制备出Al_(0.7) Sc_(0.3) N压电薄膜HBAR谐振器,k_(eff)^(2)达到0.24%,与纯氮化铝(AlN)相比具有显著的提升效果。 展开更多
关键词 掺钪氮化铝 高钪掺杂 压电薄膜 电感耦合等离子体刻蚀 高次谐波体声波谐振器
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人工智能驱动集成电路下一代互连材料设计:进展与挑战
13
作者 崔国祥 李瑞 +2 位作者 袁昌驰 吴蕴雯 鞠生宏 《中国材料进展》 北大核心 2025年第5期436-450,共15页
随着芯片在通信、汽车电子与高性能计算等领域的深入应用,低功耗、高性能的芯片需求持续上升。在摩尔定律推动下,器件微型化带来量子隧穿效应和布线电阻增加等挑战,尤其在5 nm及以下工艺节点,芯片互连成为性能瓶颈。Cu互连面临尺寸效应... 随着芯片在通信、汽车电子与高性能计算等领域的深入应用,低功耗、高性能的芯片需求持续上升。在摩尔定律推动下,器件微型化带来量子隧穿效应和布线电阻增加等挑战,尤其在5 nm及以下工艺节点,芯片互连成为性能瓶颈。Cu互连面临尺寸效应导致的电阻激增,推动对新型低电阻材料的探索。综述了集成电路互连在先进节点下的核心挑战,分析Co、Ru等替代金属及二元合金、拓扑半金属、二维材料的发展前景,并探讨人工智能在互连材料设计中的应用,为工业界开发新一代互连材料提供参考路径。 展开更多
关键词 互连材料 二元合金 拓扑半金属 二维材料 人工智能
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基于多尺度特征提取和注意力机制的轻量化晶圆缺陷检测方法
14
作者 任杰 迟荣华 李红旭 《电子测量与仪器学报》 北大核心 2025年第8期13-21,共9页
在半导体制造中,晶圆图缺陷检测至关重要,能够对缺陷进行快速定位,实现对缺陷的识别,对于提升晶圆产品质量和生产效率具有意义。然而,现有方法存在局限性,如模型过于庞大,网络模型深度过深,难以充分利用多层次特征进行精确分类。为了解... 在半导体制造中,晶圆图缺陷检测至关重要,能够对缺陷进行快速定位,实现对缺陷的识别,对于提升晶圆产品质量和生产效率具有意义。然而,现有方法存在局限性,如模型过于庞大,网络模型深度过深,难以充分利用多层次特征进行精确分类。为了解决这些问题,结合了Stem-Dense特征提取模块和多尺度注意力特征融合结构,提出了一种新型网络结构——MSDDFE。MSD-DFE通过Stem-Dense的密集连接结构和多尺度注意力特征融合技术,有效提取丰富的浅层特征信息,同时显著降低模型的参数量和计算复杂度。多尺度特征提取模块融合了不同尺度下的晶圆图信息,增强了模型对不同层次缺陷特征的提取能力。此外,引入的注意力机制使得模型能够更关注晶圆图存在缺陷区域,从而提升分类精度。实验结果表明,在减少参数量和计算量的前提下,MSD-DFE在WM-811K数据集上达到了97.4%的平均准确率,优于现有主流方法,表明其在实际生产环境中具有较高的应用潜力。 展开更多
关键词 晶圆缺陷 多尺度特征提取 注意力机制 深度学习
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高温下W金属互连线电迁移失效驱动机制
15
作者 李金航 纪旭明 +4 位作者 李佳隆 顾祥 张庆东 谢儒彬 徐大为 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期965-971,共7页
在航空航天、油气勘探等领域,对集成电路的高温耐受能力提出了日益增长的需求。基于原子密度积分算法建立了W金属互连线多物理场金属电迁移仿真模型,研究高温下W互连线电迁移失效的主要驱动机制(电流密度、温度梯度、应力梯度)及其变化... 在航空航天、油气勘探等领域,对集成电路的高温耐受能力提出了日益增长的需求。基于原子密度积分算法建立了W金属互连线多物理场金属电迁移仿真模型,研究高温下W互连线电迁移失效的主要驱动机制(电流密度、温度梯度、应力梯度)及其变化。采用0.15μm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺进行W互连线加工,结合实际W迁移测试结果对模型边界条件进行修正。研究发现低温(<200℃)下W互连线电迁移失效的主要驱动机制为应力梯度,随着温度升高(>200℃),电流密度成为主要驱动机制。针对不同温度下主要驱动机制的不同,可通过调整金属互连线加工温度及尺寸来提升金属互连线的可靠性。 展开更多
关键词 电迁移 高温 W互连线 驱动机制 原子密度积分算法
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电-热-力耦合下扇出型晶圆级封装RDL导电层热-力可靠性分析
16
作者 武瑞康 臧柯 +2 位作者 范超 王蒙军 吴建飞 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期955-964,共10页
为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-... 为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-力分布中,导电层起主导作用。与材料和厚度相比,导电层结构的过渡角度对RDL可靠性的影响相对较小。过渡角度在130°~160°范围内时,温度与应力极值波动小于1%;0.8~15 GHz频段内,RDL的温度与应力极值会随频率升高而递增且上升速率逐渐减缓。正交试验结果表明,导电层材料对温度和应力极值的影响最为显著。经优化后,导电层最佳参数为:银材料,厚度10μm,过渡角度140°。该研究成果可为先进封装领域中RDL的结构设计与优化提供参考。 展开更多
关键词 扇出型晶圆级封装(FOWLP) 导电层 重分布层(RDL) 多物理场 正交试验
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高频下器件引脚布局对柔性PCB热应力的影响
17
作者 薛宜春 王蒙军 +1 位作者 范超 吴建飞 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期860-868,共9页
为了优化高频微波下柔性电子器件的引脚布局设计,提出了一种高频微波作用下的柔性印制电路板(PCB)多物理场有限元仿真方法。在全波电磁分析体系中考虑电磁-热-应力多物理场耦合对柔性电子可靠性的影响。对柔性PCB互连结构的两种缺陷形... 为了优化高频微波下柔性电子器件的引脚布局设计,提出了一种高频微波作用下的柔性印制电路板(PCB)多物理场有限元仿真方法。在全波电磁分析体系中考虑电磁-热-应力多物理场耦合对柔性电子可靠性的影响。对柔性PCB互连结构的两种缺陷形式建模仿真,仿真与实验结果相吻合,验证了仿真方法的有效性。采用该方法模拟柔性PCB表面贴装器件,结果表明,在0.45~15 GHz频率范围内,减小导通引脚间距会使柔性PCB的温度升高、von Mises应力分布改变;随着工作频率的提高,导通引脚靠近芯片中心的柔性PCB温度上升速度变慢,其所受von Mises应力降低,展现出更高的可靠性。该研究结果为优化柔性电子热管理和提高其结构可靠性提供了新思路。 展开更多
关键词 柔性印制电路板(PCB) 互连结构 高频微波 多物理场 有限元仿真
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基于空频特征融合的双流晶圆缺陷分类网络 被引量：1
18
作者 陈晓雷 温润玉 +2 位作者 杨富龙 李正成 沈星阳 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2024年第8期56-67,共12页
晶圆缺陷模式分类在晶圆制造过程中扮演着至关重要的角色,准确识别晶圆缺陷能够确定缺陷产生的根本原因,进而定位生产流程中的问题。然而,现有深度学习晶圆缺陷分类方法仅从空间域或者频率域出发进行网络设计,未能实现空频信息的相互补... 晶圆缺陷模式分类在晶圆制造过程中扮演着至关重要的角色,准确识别晶圆缺陷能够确定缺陷产生的根本原因,进而定位生产流程中的问题。然而,现有深度学习晶圆缺陷分类方法仅从空间域或者频率域出发进行网络设计,未能实现空频信息的相互补充与融合,限制了晶圆缺陷分类准确性的进一步提高。针对这一问题,提出了一种基于空间域和频率域特征融合的双流晶圆缺陷分类网络—SFWD-Net。该网络利用提出的多尺度特征提取卷积模块和多视角注意力模块构成空间流分支提取晶圆图的空间信息,利用离散小波变换构成频率流分支提取晶圆图的频率信息,空频信息融合后再进行缺陷分类。在大规模半导体晶圆图数据集WM-811K的实验证明,SFWD-Net由于同时从空间域和频率域出发进行网络设计,其分类准确度达到99.2992%,优于其他5种先进方法,能够显著提高晶圆缺陷分类的精度。 展开更多
关键词 晶圆缺陷分类 双流网络 小波变换 注意力机制 卷积神经网络
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基于单弯引线互连的CQFP射频传输性能
19
作者 杨振涛 余希猛 +2 位作者 于斐 任昊迪 刘林杰 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期948-954,共7页
为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求,提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接,相较于传统的翼型引线互连结构,其可将引线焊盘长度由1.00 m... 为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求,提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接,相较于传统的翼型引线互连结构,其可将引线焊盘长度由1.00 mm缩短至0.50 mm,有效改善了焊盘的阻抗匹配效果。通过仿真分析了信号线中心距、焊盘尺寸、垂直通孔直径和焊料量对射频传输性能的影响,确定最优参数分别为:信号线中心距0.65 mm、焊盘尺寸0.28 mm×0.50 mm、垂直通孔直径为0.05 mm、焊料量为0.35 mm×0.20 mm×0.10 mm。仿真分析与样品测试结果表明,采用单弯引线互连结构可以将射频传输带宽由35 GHz提高至50 GHz,有效拓宽了CQFP在高频领域中的应用范围,为高性能陶瓷封装结构的优化设计提供了参考。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 陶瓷四边扁平封装(CQFP) 单弯引线 阻抗匹配 射频(RF)性能
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一种Ka波段多通道RF集成微系统封装
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作者 杨振涛 余希猛 +3 位作者 于斐 刘莹玉 段强 刘林杰 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期723-729,共7页
随着各类信息载荷集成系统性能的提升,射频(RF)集成微系统向多通道、高集成、高频率、低噪声、多功能、小型化的方向发展。基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,提出了一种应用于Ka波段的多通道RF集成微系统封装,多通道RF模块通过直径0.60 mm的... 随着各类信息载荷集成系统性能的提升,射频(RF)集成微系统向多通道、高集成、高频率、低噪声、多功能、小型化的方向发展。基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,提出了一种应用于Ka波段的多通道RF集成微系统封装,多通道RF模块通过直径0.60 mm的焊球与数字处理模块连接,以实现三维堆叠。结合理论计算和仿真优化,合理设计屏蔽层和接地层,以实现低损耗、高屏蔽的带状线传输结构。测试结果表明,在DC~40 GHz频段,多通道RF模块的传输路径回波损耗≤-10 dB、插入损耗≥-1.5 dB。理论计算与实测结果的均方根误差为0.0027,二者具有较好的一致性。本研究结果可为RF集成微系统陶瓷封装设计提供参考。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 倒装芯片 射频(RF)集成微系统 三维堆叠 传输损耗
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