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基于改进RT-DETR的织物疵点检测方法
1
作者 李敏 周双 +2 位作者 朱萍 崔树芹 颜小运 《电子测量技术》 北大核心 2025年第14期176-184,共9页
针对织物疵点种类有限、尺度变化大以及模型检测精度低等问题,提出了一种基于RT-DETR的织物疵点检测方法DHR-DETR。首先,创新性地设计了多路径坐标注意力机制模块(MPCA),并将其与可变形卷积模块(DCNv2)深度融合,构建动态可变形卷积模块... 针对织物疵点种类有限、尺度变化大以及模型检测精度低等问题,提出了一种基于RT-DETR的织物疵点检测方法DHR-DETR。首先,创新性地设计了多路径坐标注意力机制模块(MPCA),并将其与可变形卷积模块(DCNv2)深度融合,构建动态可变形卷积模块,以应对复杂多样的疵点形状。其次,采用高水平筛选特征金字塔(HS-FPN)替换跨尺度特征融合模块(CCFM),实现多层次特征的高效融合并有效降低了模型复杂度。最后,构建了兼具轻量化和特征增强能力的RetBlockC3模块,并集成至HS-FPN网络,进一步强化模型对局部信息的捕捉能力,同时显著提升模型的轻量化性能。试验结果表明,DHR-DETR方法在公开和自制织物数据集上的mAP@0.5分别达到了50.9%和97.5%,相较原模型提高了2.9%和0.6%,参数量仅为17.9 M,计算量降低了37%,显著提升了模型的检测性能和部署效率,具备在实际工业检测任务中的应用潜力。 展开更多
关键词 RT-DETR 疵点检测 动态可变形卷积 高水平筛选特征金字塔 轻量化
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基于GaN HEMT太赫兹探测器的单光源多通道区截测速研究
2
作者 陈彪 张金峰 +1 位作者 孙建东 秦华 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第8期190-199,共10页
高速弹丸初速与运动姿态的精确测量是火炮、电磁炮等武器系统效能评估的关键技术。然而,复杂测试环境下的火光、烟雾及等离子体干扰导致传统光电测速技术信噪比急剧下降。为此,文中提出基于太赫兹波的新型测速方案,其兼具等离子体穿透... 高速弹丸初速与运动姿态的精确测量是火炮、电磁炮等武器系统效能评估的关键技术。然而,复杂测试环境下的火光、烟雾及等离子体干扰导致传统光电测速技术信噪比急剧下降。为此,文中提出基于太赫兹波的新型测速方案,其兼具等离子体穿透、火光烟雾透射与电磁抗干扰特性。结合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)探测器的高速响应优势,构建单光源多通道区截测速系统,采用高斯准光-泊松点定位联合建模方法,有效解决太赫兹波衍射问题。所构建系统通过单光源多通道架构设计,光学元件相比传统装置减少50%以上,结合锂电池供电与硅透镜耦合技术,实现了系统小型化与环境适应性提升。在3000 m/s弹速模拟测试中,基于线列探测器局部极大值提取与远场扩散模型修正,测速误差由>10%降低至0.83%,且在3.5~4.5 m物距范围内保持稳定。通过理论建模、数值仿真与实验验证的全链路研究,证实了该方案为电磁炮初速测量等复杂环境下高速目标的精准测速提供了新型技术方案,未来将通过高密度阵列开发、动态模型建立及真实环境实测,进一步提升系统的实时性与鲁棒性。 展开更多
关键词 区截测速 高斯光束 太赫兹探测器 氮化镓HEMT
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MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管 被引量：1
3
作者 郁鑫鑫 沈睿 +11 位作者 于含 张钊 赛青林 陈端阳 杨珍妮 谯兵 周立坤 李忠辉 董鑫 张洪良 齐红基 陈堂胜 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期312-318,共7页
本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分... 本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分别为2×10^(18) cm^(-3)和55 cm^(2)/(V·s),相应的沟道方阻为10.3 kΩ/sq。研制的栅漏间距2和16μm的Ga_(2)O_(3)MOSFET器件的比导通电阻分别为2.3和40.0 mΩ·cm^(2),对应的击穿电压分别达到458和2324 V。为了进一步提升器件的击穿电压,采用p型NiO制备栅电极,研制的Ga_(2)O_(3)JFET器件导通电阻显著增大,但击穿电压分别提升至755和3000 V以上。计算了不同栅漏间距器件的功率优值(P-FOM),发现其随栅漏间距的增加先增大后减小,其中栅漏间距为8μm的Ga_(2)O_(3)MOSFET器件获得了最高的P-FOM,达到了192 MW/cm^(2),表明MOCVD外延技术在Ga_(2)O_(3)功率器件上具有重要的应用前景。 展开更多
关键词 氧化镓 MOCVD外延 掺杂 比导通电阻 击穿电压 功率优值
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14 nm体硅FinFET工艺标准单元的总剂量效应 被引量：1
4
作者 李海松 王斌 +3 位作者 杨博 蒋轶虎 高利军 杨靓 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期619-624,647,共7页
随着鳍式场效应晶体管(FinFET)在高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量(TID)效应下的可靠性成为研究重点。基于14 nm体硅互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺FinFET标准单元,设计了一款TID效应实验验证电路。利用^(60)Co产生的γ射线研究了该... 随着鳍式场效应晶体管(FinFET)在高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量(TID)效应下的可靠性成为研究重点。基于14 nm体硅互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺FinFET标准单元,设计了一款TID效应实验验证电路。利用^(60)Co产生的γ射线研究了该验证电路的静态电流以及环振电路的环振频率和触发器电路的时序特性随辐照总剂量变化的情况,表征了FinFET工艺的本征抗辐射能力。实验结果表明,当辐照总剂量达到1000 krad(Si)时,验证电路静态电流增大了121%,且整个过程基本呈线性趋势增长,增长斜率约为3.14μA/krad(Si);组合逻辑单元时序参数变化绝对值小于0.6%,时序逻辑单元CK到输出端的延迟时间变化绝对值小于1%。这主要归因于TID效应对FinFET的阈值电压和饱和电流影响较小,而对器件的亚阈值漏电流影响较大。该研究结果为先进工艺超大规模集成电路在空间辐射环境中的应用提供了一定的理论指导。 展开更多
关键词 14 nm 鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺 组合逻辑 时序逻辑 总剂量(TID)效应 标准单元
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基于CS-PVP K30复合物薄膜基的QCM湿度传感器 被引量：1
5
作者 王艳 陶金 +4 位作者 罗健 陈思毅 彭宏 王云霄 尹泽宇 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期190-195,共6页
石英晶体微天平(QCM)作为纳克级精度传感器,通过在敏感区添加湿敏材料,能够在气相条件下高精度检测湿度,具有检测范围广、成本低和制作简单的优点。为提升湿敏材料的性能,扩展基于QCM的湿度传感器的应用,构建了基于壳聚糖(CS)基底,聚乙... 石英晶体微天平(QCM)作为纳克级精度传感器,通过在敏感区添加湿敏材料,能够在气相条件下高精度检测湿度,具有检测范围广、成本低和制作简单的优点。为提升湿敏材料的性能,扩展基于QCM的湿度传感器的应用,构建了基于壳聚糖(CS)基底,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)成膜机理的复合物薄膜基的QCM湿度传感器。实验证明该传感器响应、恢复时间分别为13 s、14 s,在相对湿度11%~97%检测范围内的灵敏度达到57.84 Hz/%RH,在30天稳定性重复实验中最大频率波动小于10 Hz。 展开更多
关键词 湿度传感器 石英晶体微天平(QCM) 壳聚糖(CS) 聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 灵敏度
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不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性
6
作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期32-38,共7页
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。 展开更多
关键词 SiC MOS电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷
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半球谐振陀螺关键技术及其发展趋势
7
作者 卜继军 方海斌 +4 位作者 雷霆 杨峰 周闯 方仲祺 谭品恒 《压电与声光》 北大核心 2025年第4期609-621,共13页
半球谐振陀螺(HRG)具备高精度、高可靠、长寿命等优点,产品已在海、陆、空、天各领域成功应用,相关制造、控制等技术成为振动陀螺领域的热点研究方向,但高精度、工程化HRG的研制依然面临较大技术挑战。结合多年研究基础,首先从理论基础... 半球谐振陀螺(HRG)具备高精度、高可靠、长寿命等优点,产品已在海、陆、空、天各领域成功应用,相关制造、控制等技术成为振动陀螺领域的热点研究方向,但高精度、工程化HRG的研制依然面临较大技术挑战。结合多年研究基础,首先从理论基础、关键技术及其发展等方面,对HRG的动力学模型、结构设计、材料与工艺、控制及误差补偿等技术的现阶段研究成果及存在问题展开了分析和讨论,总结了陀螺制造过程误差辨识及控制方法,提出了性能提升方案。然后介绍了国内外HRG典型产品的性能指标及应用情况,最后展望了HRG的未来发展趋势。 展开更多
关键词 半球谐振陀螺 动力学模型 误差机理 控制技术及误差补偿
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改进肖特基二极管高频电路模型的微波整流电路效率预测
8
作者 卢伟国 王晓桐 +2 位作者 李滨彬 王轲 张淮清 《电工技术学报》 北大核心 2025年第17期5379-5388,共10页
目前肖特基二极管在ADS软件自带的模型及数据表的等效模型中均没有考虑高频环境下衬底结构引起的寄生效应影响,模型不准确会导致整流电路效率预测存在偏差,不能有效地支持整流电路的优化设计。为此,该文提出了考虑衬底寄生效应影响的改... 目前肖特基二极管在ADS软件自带的模型及数据表的等效模型中均没有考虑高频环境下衬底结构引起的寄生效应影响,模型不准确会导致整流电路效率预测存在偏差,不能有效地支持整流电路的优化设计。为此,该文提出了考虑衬底寄生效应影响的改进肖特基二极管高频电路模型,以准确地表征肖特基二极管的高频特性,实现微波整流电路的效率预测和优化设计。首先,采用π型CLC网络表征衬底效应的影响,通过实测I-V和C-V特性曲线测取肖特基二极管非线性SPICE模型参数;其次,自制肖特基二极管测试支架及TRL校准件测取散射参数(S参数)并完成去嵌,进一步提取改进肖特基二极管高频电路模型中的线性寄生参数;最后,在所得改进肖特基二极管高频电路模型基础上优化设计了工作频率为2.45 GHz的整流电路,并进行整流电路的效率预测。仿真与实验数据表明,应用改进肖特基二极管高频电路模型的整流电路仿真得到的S11参数与应用实际二极管的整流电路实测得到的S11参数两者的闭合曲线面积差仅为0.90。在输入功率为30 dBm时,应用改进肖特基二极管高频电路模型的整流电路效率为73.48%,与实测效率72.29%相比,最大误差仅为1.65%。 展开更多
关键词 微波整流电路 改进高频电路模型 肖特基二极管 效率预测 衬底 去嵌
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集成化微型半球陀螺技术研究
9
作者 魏琦 周斌 +3 位作者 张益楠 杨峰 王涵 林丙涛 《压电与声光》 北大核心 2025年第4期622-627,共6页
针对微型半球陀螺测控电路的小型化使用需求,通过高精度载波调制与Σ-Δ模数转换技术实现高精度电容检测,通过多级Σ-Δ调制和动态权重平均技术实现高精度力反馈,采用CPU结合硬件加速器实现闭环控制、正交误差抑制、温度补偿的软件算法... 针对微型半球陀螺测控电路的小型化使用需求,通过高精度载波调制与Σ-Δ模数转换技术实现高精度电容检测,通过多级Σ-Δ调制和动态权重平均技术实现高精度力反馈,采用CPU结合硬件加速器实现闭环控制、正交误差抑制、温度补偿的软件算法,解决了微型半球陀螺高精度、集成化、小型化测控难题,研制出了高精度的微型半球陀螺力反馈测控应用特定集成电路(ASIC)。在室温条件下,对采用该ASIC的微型半球陀螺进行了性能测试,实测陀螺零偏稳定性达到0.06(°)/h,量程为±5(°)/s,带宽为5 Hz。较传统的分立测控电路,陀螺的SWaP性能有明显提升。 展开更多
关键词 微型半球陀螺 力反馈 测控技术 ASIC
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基于纳米器件低能质子数据预测重离子单粒子翻转阈值和截面
10
作者 罗尹虹 张凤祁 +2 位作者 王坦 丁李利 江新帅 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第8期1734-1741,共8页
为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面... 为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面峰上下限能量的提取,通过对应的硅中射程以及到达器件灵敏体积内质子能量、质子LET值和有效质子数占比的计算,在无需对器件进行纵切和开展重离子单粒子效应实验的情况下,即可准确获取器件灵敏体积上方等效硅层厚度、单粒子翻转LET阈值以及低LET值时器件单粒子翻转截面,基于实际的器件金属布线层信息和重离子单粒子效应实验数据验证了预测结果的准确性,在此基础上,进一步给出了基于余下射程的简化预测方法。 展开更多
关键词 低能质子 重离子 等效硅层厚度 单粒子翻转截面峰 LET阈值
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多层PZT陶瓷自热温度影响因素分析
11
作者 宜亚丽 旷庆文 +4 位作者 陈美宇 秦越 韩雪艳 褚祥诚 金贺荣 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期121-128,共8页
多层PZT陶瓷作为压电驱动器的核心组件,其压电性能受自热温度影响,在高交变电压作用下易发生失效。该文从交变电压特性、陶瓷多层结构角度对PZT陶瓷自热温度作用规律展开研究。首先基于扫描电镜下陶瓷断面结构形貌,建立了多层PZT陶瓷细... 多层PZT陶瓷作为压电驱动器的核心组件,其压电性能受自热温度影响,在高交变电压作用下易发生失效。该文从交变电压特性、陶瓷多层结构角度对PZT陶瓷自热温度作用规律展开研究。首先基于扫描电镜下陶瓷断面结构形貌,建立了多层PZT陶瓷细观结构仿真模型;然后搭建了温度测量实验平台,开展陶瓷表面自热温度测量实验进行验证;最后分析了交变电压幅值、频率特性和陶瓷压电层、死层厚度对陶瓷表面自热温度的作用机理。结果表明,陶瓷表面自热温度与交变电压幅值、频率呈近似线性增长;自热温度极值分布在陶瓷表面中心区域和边缘区域,温度差值小于3℃;压电层越厚,陶瓷表面自热温度越低;表面自热温度随死层厚度的增加呈先降后增趋势,且在死层厚度约300μm时达到最低值。该结论为多层PZT陶瓷自热温度调控与工程应用提供了理论依据和实验基础。 展开更多
关键词 自热温度 交变电压 多层结构 热模拟 PZT陶瓷
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锂掺杂对高钠KNN基陶瓷相转变与压电性能温度稳定性影响研究
12
作者 王海燕 黄家伟 +1 位作者 燕小斌 刘沁昕 《压电与声光》 北大核心 2025年第5期865-871,共7页
采用固相合成反应结合常压烧结工艺制备了K_(0.2)Na_(0.8)NbO_(3-x )LiNbO_(3)(K2N8-x LN)陶瓷,系统研究了锂掺杂对高钠含量KNN陶瓷的相结构、相转变行为及电学性能的影响规律。结果表明,高钠含量的KNN陶瓷可有效抑制K_(3)Li_(2)Nb_(5)O... 采用固相合成反应结合常压烧结工艺制备了K_(0.2)Na_(0.8)NbO_(3-x )LiNbO_(3)(K2N8-x LN)陶瓷,系统研究了锂掺杂对高钠含量KNN陶瓷的相结构、相转变行为及电学性能的影响规律。结果表明,高钠含量的KNN陶瓷可有效抑制K_(3)Li_(2)Nb_(5)O_(15)第二相生成,促进锂的固溶。锂掺杂会同时提升K2N8陶瓷的TR-O和TC,当锂的掺杂量(摩尔分数)为8%时,陶瓷的三方-正交相转变温度接近室温,增强了陶瓷的电学性能。依据拉曼光谱分析提出了LN掺杂诱导NbO_(6)八面体沿[001]收缩及(110)面弯曲诱导相转变的微观机制。当LN掺杂量(摩尔分数)为30%时,陶瓷的居里温度增加至538℃,比纯K_(0.5)Na_(0.5)NbO_(3)陶瓷的TC提升了约130℃。经过530℃热处理后,该组分陶瓷仍存在压电性能,极大地拓宽了KNN基陶瓷的使用温度区间范围。该研究为开发宽温域的高性能无铅压电陶瓷提供了新的材料设计策略。 展开更多
关键词 铌酸钾钠 锂掺杂 相转变 居里温度 压电性能温度稳定性
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石英半球谐振子亚表面损伤层在腐蚀中的演化分析
13
作者 贺海平 杨彬彬 +2 位作者 彭凯 周倩 刘建琼 《压电与声光》 北大核心 2025年第4期644-651,共8页
亚表面损伤层是半球谐振子最主要的振动损耗来源,为评价损伤深度并揭示损伤层在腐蚀过程中的演化特征规律,利用差动腐蚀法处理石英玻璃样品的亚表面损伤层。通过对腐蚀过程中的检测数据进行拓展分析和修正,能较准确地评价亚表面损伤层... 亚表面损伤层是半球谐振子最主要的振动损耗来源,为评价损伤深度并揭示损伤层在腐蚀过程中的演化特征规律,利用差动腐蚀法处理石英玻璃样品的亚表面损伤层。通过对腐蚀过程中的检测数据进行拓展分析和修正,能较准确地评价亚表面损伤层深度。采用共聚焦扫描的方法记录了腐蚀过程中样品表面形貌的演化全过程。结果显示样品的缺陷形态与所提理论模型较为吻合,样品的损伤层演化趋势相同,但具体形貌和损伤深度却有较大差异,其演化规律受到加工条件的直接影响。 展开更多
关键词 石英玻璃 半球谐振子 亚表面损伤 BOE 形貌演化
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B/N掺杂单栅GFET的自洽模型研究
14
作者 刘杰 王军 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第2期57-61,66,共6页
建立了B/N掺杂单栅石墨烯场效应管(GFET)全工作区域下的漏极电流模型。利用自洽方法获取精确的电势-电荷关系,解决了建模过程中的多重对数问题。该模型明确捕捉到产生非零带隙和狄拉克(Dirac)点偏移对载流子片电荷密度和迁移率等参数的... 建立了B/N掺杂单栅石墨烯场效应管(GFET)全工作区域下的漏极电流模型。利用自洽方法获取精确的电势-电荷关系,解决了建模过程中的多重对数问题。该模型明确捕捉到产生非零带隙和狄拉克(Dirac)点偏移对载流子片电荷密度和迁移率等参数的影响。此外,通过考虑相互作用参数和杂质浓度建立了一种半经典扩散迁移率模型。所提出的漏极电流模型和扩散迁移率模型的模拟数据与7.5%B-掺杂单栅GFET的实验数据具有良好的一致性,验证了方法的有效性。在不同掺杂浓度下,B/N掺杂单栅GFET漏极电流模型所预测的转移特性曲线与输出特性曲线表明,通过掺杂能够完全抑制单栅GFET的双极性行为,增强了输出饱和性,并提高了开关比。因此,B/N掺杂单栅GFET能够同时满足模拟/射频电路和数字电路的应用条件。 展开更多
关键词 石墨烯场效应管 B/N掺杂 自洽方法 半经典扩散迁移率
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压电谐振式音叉陀螺结构设计与仿真
15
作者 陈光伟 张一飞 +1 位作者 赵前程 曲发义 《仪表技术与传感器》 北大核心 2025年第4期45-49,共5页
针对静电陀螺需刻蚀亚微米电容间隙和大直流偏置电压的问题,提出了一种采用压电薄膜换能的谐振式音叉陀螺结构。理论分析了该结构的差分驱动原理、压电检测原理以及陀螺所受冲击载荷特性,并且使用有限元软件COMSOL对该压电陀螺结构进行... 针对静电陀螺需刻蚀亚微米电容间隙和大直流偏置电压的问题,提出了一种采用压电薄膜换能的谐振式音叉陀螺结构。理论分析了该结构的差分驱动原理、压电检测原理以及陀螺所受冲击载荷特性,并且使用有限元软件COMSOL对该压电陀螺结构进行了仿真分析。模态仿真结果表明:陀螺的驱动模态和检测模态的谐振频率分别为263.9 kHz和263.4 kHz,两者频差为0.5 kHz;标度系数仿真结果显示陀螺的电流灵敏度约为5.87 pA/[(°)·s^(-1)];根据冲击仿真结果,陀螺结构的最大应力约为57.3 MPa、最大位移量约为1.3μm,证明该结构有较好的抗冲击性能。此外,在300 K温度下仿真了该陀螺在不同真空度下的品质因数,结果表明其在压力为0.001 Pa时的品质因数约为100 721,在1atm压力时的品质因数约为6 531。 展开更多
关键词 压电传感器 压电陀螺 COMSOL仿真
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一种新型阶梯栅多沟道SiC MOSFET结构
16
作者 谭会生 刘帅 戴小平 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1114-1121,1127,共9页
为了提升SiC MOSFET的综合性能,提出了一种新型阶梯栅多沟道SiC MOSFET结构,并进行了工艺仿真和器件特性仿真。新结构的阶梯栅极既能通过多导通沟道机制和扩宽p阱间距来减小比导通电阻,又能通过上、下方的p阱来缓解器件正向阻断时在栅... 为了提升SiC MOSFET的综合性能,提出了一种新型阶梯栅多沟道SiC MOSFET结构,并进行了工艺仿真和器件特性仿真。新结构的阶梯栅极既能通过多导通沟道机制和扩宽p阱间距来减小比导通电阻,又能通过上、下方的p阱来缓解器件正向阻断时在栅氧拐角聚集的高电场;同时其分离栅结构和栅极下方的p阱能有效减小栅漏电容,削弱密勒效应,进而减小器件的开关延迟和损耗。仿真结果表明,相比平面栅SiC MOSFET和双沟槽SiC MOSFET,新型器件的巴利加优值(BFOM)分别提升了9.89%和19.60%,栅氧电场强度分别降低了37.69%和38.79%,栅漏电容分别降低了44.6%和66%,栅漏电荷分别降低了28.8%和66.7%,栅极电荷分别降低了7.7%和29.4%,其具有较好的综合性能。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 阶梯栅极 巴利加优值(BFOM) 静态特性 动态特性
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基于SMA驱动的压电旋转俘能器性能研究
17
作者 田晓超 牛德峰 +4 位作者 韩城泽 李响 杜泽磊 李沈芳 刘夏 《压电与声光》 北大核心 2025年第4期732-738,共7页
针对工业废热回收问题,设计了一种基于形状记忆合金(SMA)弹簧驱动的压电旋转俘能器。利用SMA吸收热能驱动压电振子振动转化为电能,从而实现废热回收利用。构建机械结构模型并阐述其工作原理,建立系统发电模型并进行仿真分析,探究压电振... 针对工业废热回收问题,设计了一种基于形状记忆合金(SMA)弹簧驱动的压电旋转俘能器。利用SMA吸收热能驱动压电振子振动转化为电能,从而实现废热回收利用。构建机械结构模型并阐述其工作原理,建立系统发电模型并进行仿真分析,探究压电振子参数对发电性能的影响,最终制作实验样机进行测试。试验结果表明,在水温100℃下,当压电振子长60 mm,输出电压最大为6.005 V;当压电振子厚度比为0.4时,发电性能最好,输出电压为6.174 V;当压电旋转俘能器啮合距离为3 mm、发电单元组数设置为4组时,达到了输出功率为0.174 mW的发电效果,验证了基于SMA驱动的压电旋转俘能器实现热能转化电能的可行性。 展开更多
关键词 压电俘能 旋转俘能器 形状记忆合金 压电振子 能量转换
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传递矩阵法分析平面椭圆柔顺机构的动态性能
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作者 胡俊峰 廖弘 +1 位作者 徐旺 张俊 《机械设计与制造》 北大核心 2025年第11期215-221,共7页
为了分析平面串并联椭圆柔顺机构的动态性能和力学传递关系,提出一种新型的基于传递矩阵法的振动力学模型。将平面椭圆柔顺机构分解成许多易于用矩阵形式表达的简单力学特征元件,采用传递矩阵法描述其力学状态量的传递关系。将椭圆型柔... 为了分析平面串并联椭圆柔顺机构的动态性能和力学传递关系,提出一种新型的基于传递矩阵法的振动力学模型。将平面椭圆柔顺机构分解成许多易于用矩阵形式表达的简单力学特征元件,采用传递矩阵法描述其力学状态量的传递关系。将椭圆型柔性铰链视为拉伸和弯曲变形的变截面梁,应用材料力学理论建立反映其自振性能的传递矩阵。将杆件视为刚体,运用动量矩定理建立其动力学模型,得到描述平面振动刚体的传递矩阵。依据柔顺机构特征元件的联接特点,将结构元件的传递矩阵进行拼装并得到总体传递矩阵。总传递方程以椭圆柔顺机构的输入、输出端状态矢量为未知变量,矩阵中的元素为机构结构参数和频率的函数,应用边界条件,可得平面串并联柔顺机构的特征方程,通过求解齐次方程可得系统的固有频率。将外力纳入传递矩阵,建立反映外力激励与系统的关系的扩展传递矩阵以求解系统的频率响应。通过平面串联椭圆柔性铰链机构及3RRR并联柔顺机构的动态性能分析,结果表明所建立模型的正确性,能精确描述平面椭圆柔顺机构力学性能。 展开更多
关键词 传递矩阵法 椭圆柔顺机构 固有频率 频率响应
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混合SAM改善钙钛矿太阳能电池空穴传输能力
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作者 张琳 关雪峰 +2 位作者 方兴 林梦豪 林杰 《电子测量技术》 北大核心 2025年第16期132-141,共10页
针对反式钙钛矿太阳能电池中MeO-2PACz自组装单分子层因HOMO能级失配导致界面空穴传输势垒等问题,本研究提出一种混合SAM界面工程策略,通过将MeO-2PACz与偶极矩更大的Me-4PACz以特定比例复合,优化氧化镍空穴传输层的能级排列与缺陷钝化... 针对反式钙钛矿太阳能电池中MeO-2PACz自组装单分子层因HOMO能级失配导致界面空穴传输势垒等问题,本研究提出一种混合SAM界面工程策略,通过将MeO-2PACz与偶极矩更大的Me-4PACz以特定比例复合,优化氧化镍空穴传输层的能级排列与缺陷钝化能力。实验表明,当Me-4PACz体积占比为10%时,M-SAM/NiO_(x)复合层可显著提升界面电荷提取效率,并诱导钙钛矿薄膜形成致密晶体结构。基于此,所制备的p-i-n结构PSCs实现了1.079 V的开路电压、24.23 mA/cm^(2)的短路电流密度及0.79的填充因子,光电转换效率从18.7%提升至20.76%。 展开更多
关键词 MeO-2PACz 混合SAM 钙钛矿太阳能电池
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基于同步辐射的SGT MOSFET失效无损检测技术 被引量：1
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作者 万荣桂 郑理 +3 位作者 王丁 周学通 沈玲燕 程新红 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期181-186,共6页
屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损... 屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损坏器件的前提下,将烧毁点定位在元胞区域的漂移区。采用开盖检测方式验证了烧毁点位置的准确性,并且通过扫描电子显微镜(SEM)表征烧毁点的微观形貌。最后,通过仿真软件模拟芯片表面的三维图形,并利用TCAD仿真揭示了UIS的失效机理,即电流集中所产生的高温致使漂移区的硅融化。失效机理与实验结果相吻合。 展开更多
关键词 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET 雪崩失效 同步辐射 无损检测 截面拓扑
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