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GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究
被引量：
4
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作者
范国华
刘晓平
+3 位作者
金毓铨
吴亚洁
颀世惠
李祖华
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期173-177,共5页
为了使GaAs微波功率FET更可靠地应用于重要微波系统，选取高可靠器件生产线生产的CS0531型器件进行加速寿命试验，并研制了专用试验设备。观察到器件n因子随着试验时间有增大的趋势，初始低频噪声值与器件突然烧毁有一定的相关性。这一...
为了使GaAs微波功率FET更可靠地应用于重要微波系统，选取高可靠器件生产线生产的CS0531型器件进行加速寿命试验，并研制了专用试验设备。观察到器件n因子随着试验时间有增大的趋势，初始低频噪声值与器件突然烧毁有一定的相关性。这一结果表明低频噪声有可能成为未来评价GaAs器件可靠性的一种方法。该器件失效机构激活能2．45eV，为道温度110℃时，10年平均失效率4Fit，平均寿命75137×1011h。
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关键词
可靠性
功率FET
砷化镓
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职称材料
砷化镓高电子迁移率晶体管的贮存试验与失效分析
2
作者
I.De Munari
刘涌
《电子产品可靠性与环境试验》
1996年第1期32-35,共4页
高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关键器件.今天,这些器件已成功地用于卫星接收器、微波振荡器、混频器和多路转换器中.文献中描述过的限制HEMT...
高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关键器件.今天,这些器件已成功地用于卫星接收器、微波振荡器、混频器和多路转换器中.文献中描述过的限制HEMT可靠性的失效机理包括:界面和陷阱相关效应、2度泄漏、欧姆与肖特基接点退化、ESD和紫斑.本文的目的是介绍通过商用晶格匹配的AlGaAs/GaAs低噪声HEMT的无偏压贮存试验来鉴别的失效机理。
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关键词
砷化镓
电子迁移率
晶体管
贮存试验
失效
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职称材料
题名
GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究
被引量：
4
1
作者
范国华
刘晓平
金毓铨
吴亚洁
颀世惠
李祖华
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期173-177,共5页
文摘
为了使GaAs微波功率FET更可靠地应用于重要微波系统，选取高可靠器件生产线生产的CS0531型器件进行加速寿命试验，并研制了专用试验设备。观察到器件n因子随着试验时间有增大的趋势，初始低频噪声值与器件突然烧毁有一定的相关性。这一结果表明低频噪声有可能成为未来评价GaAs器件可靠性的一种方法。该器件失效机构激活能2．45eV，为道温度110℃时，10年平均失效率4Fit，平均寿命75137×1011h。
关键词
可靠性
功率FET
砷化镓
Keywords
Reliability
GaAs
Power FET
Low-frequency Noise
n Factor
分类号
TN325.306 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
砷化镓高电子迁移率晶体管的贮存试验与失效分析
2
作者
I.De Munari
刘涌
机构
意大利巴马大学
电子部五所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1996年第1期32-35,共4页
文摘
高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关键器件.今天,这些器件已成功地用于卫星接收器、微波振荡器、混频器和多路转换器中.文献中描述过的限制HEMT可靠性的失效机理包括:界面和陷阱相关效应、2度泄漏、欧姆与肖特基接点退化、ESD和紫斑.本文的目的是介绍通过商用晶格匹配的AlGaAs/GaAs低噪声HEMT的无偏压贮存试验来鉴别的失效机理。
关键词
砷化镓
电子迁移率
晶体管
贮存试验
失效
分类号
TN325.306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究
范国华
刘晓平
金毓铨
吴亚洁
颀世惠
李祖华
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1997
4
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职称材料
2
砷化镓高电子迁移率晶体管的贮存试验与失效分析
I.De Munari
刘涌
《电子产品可靠性与环境试验》
1996
0
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职称材料
已选择
0
条
导出题录
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参考文献
引证文献
统计分析
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