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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
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作者 曾祥余 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期624-628,共5页
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面
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拓展作用光范围的纳米TiO_(2-X)N_X制备和表征 被引量:16
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作者 谢晓峰 陆文璐 +2 位作者 张剑平 方建慧 施利毅 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期212-215,共4页
以廉价的工业偏钛酸为原料 ,采用特殊的酸解工艺制得纳米级水合二氧化钛粉体 ,再利用高温管式炉对前驱体 -TiO2 ·nH2 O进行掺氮 ,制得纳米TiO2 -XNX 粉体 ,研究了不同掺氮气体和反应工艺对TiO2 -XNX 粉体吸光特性、形态结构的影响... 以廉价的工业偏钛酸为原料 ,采用特殊的酸解工艺制得纳米级水合二氧化钛粉体 ,再利用高温管式炉对前驱体 -TiO2 ·nH2 O进行掺氮 ,制得纳米TiO2 -XNX 粉体 ,研究了不同掺氮气体和反应工艺对TiO2 -XNX 粉体吸光特性、形态结构的影响。结果表明水合TiO2 粉体与氨气在 6 0 0℃下反应 5h ,制得的粉体为锐钛矿型结构 ,粒径约为 2 0nm ,光吸收阀值由 387nm红移至 5 2 0nm左右。 展开更多
关键词 纳米TiO2-xNx 制备工艺 偏钛酸 二氧化钛 光吸收效率 热稳定性 结构表征 半导体材料
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半导体TiO_2光催化剂及其有机光敏化研究进展 被引量:26
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作者 唐培松 王民权 +1 位作者 王智宇 洪樟连 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第10期33-36,共4页
半导体TiO_2光催化研究是当今化学、材料和环境科学等学科研究的一个热点领域。比较评述了通过掺杂改性、结构修饰和有机光敏化拓宽TiO_2可见光波长响应范围和提高光催化量子效率等的研究进展、面临的主要问题和发展趋势。
关键词 半导体TiO2光催化剂 有机光敏化 二氧化钛 量子效率
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粉末溅射平面薄膜型SnO_2/CeO_2酒敏传感器 被引量:15
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作者 李建明 刘文利 +1 位作者 裘南畹 吕红浪 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期114-116,共3页
介绍粉末溅射研制的SnO2/CeO2酒敏薄膜的性能与膜厚、温度和掺杂量等关系的研究结果,并根据此结果对平面薄膜型酒敏传感器的工艺和结构进行的设计;介绍所研制器件的一些性能,并对有关问题进行讨论。
关键词 粉末溅射 薄膜 传感器 酒敏 二氧化锡 二氧化铈
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蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究 被引量:18
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作者 赵之雯 牛新环 +2 位作者 檀柏梅 袁育杰 刘玉岭 《微纳电子技术》 CAS 2006年第1期16-19,46,共5页
介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,... 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,加入有机碱及活性剂,能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。 展开更多
关键词 蓝宝石 化学机械抛光 影响因素 表面状态
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TiO_2-V_2O_5纳米复合薄膜的溶胶-凝胶制备及性能研究 被引量:10
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作者 夏长生 吴广明 +4 位作者 沈军 张志华 杜开放 黄耀东 王珏 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期184-188,共5页
采用溶胶 凝胶技术 ,以钛酸丁脂、V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2 V2 O5复合薄膜。使用XRD、FTIR、AFM、UV VIS NIR分光光度计等方法研究了复合薄膜的特性。实验结果表明 :复合薄膜具有纳米孔洞结构 ;随V2 O5含量的增加 ,TiO2... 采用溶胶 凝胶技术 ,以钛酸丁脂、V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2 V2 O5复合薄膜。使用XRD、FTIR、AFM、UV VIS NIR分光光度计等方法研究了复合薄膜的特性。实验结果表明 :复合薄膜具有纳米孔洞结构 ;随V2 O5含量的增加 ,TiO2 晶相由锐钛矿向金红石的转变率大大提高 ,从 5 0 0℃时纯TiO2 的 0 4 2 %增加到含 30 %V2 O5时的 80 5 % ;复合薄膜在紫外区域的吸收显著增强 。 展开更多
关键词 TiO2-V2O5纳米复合薄膜 溶胶-凝胶法 钛酸丁脂 二氧化钛 五氧化二钒 半导体
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基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 被引量:11
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作者 李颖弢 刘明 +7 位作者 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的... 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 展开更多
关键词 阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理
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SnO_2压敏材料势垒电压的测量 被引量:17
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作者 王勇军 王矜奉 +4 位作者 陈洪存 董火民 张沛霖 钟维烈 赵连义 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第3期197-199,共3页
依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。选取的 4个测量温度得到的结果是相同的 ,保证了实验结果的正... 依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。选取的 4个测量温度得到的结果是相同的 ,保证了实验结果的正确性。 展开更多
关键词 压敏电阻 势垒电压 氧化锡
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p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望 被引量:9
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作者 王新胜 杨天鹏 +4 位作者 刘维峰 徐艺滨 梁红伟 常玉春 杜国同 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期104-108,共5页
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多说异的的光电性能。但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂。ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题。目前在p型,ZnO的掺杂理论和实验方面... ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多说异的的光电性能。但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂。ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题。目前在p型,ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 P型掺杂 第一性原理 MOCVD MBE
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氧化锌薄膜研究的新进展 被引量:12
10
作者 贾晓林 张海军 谭伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第F09期207-209,213,共4页
ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料。ZnO薄膜的制备方法多样,薄膜的性质取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关。简述了ZnO薄膜的制备方法与基本性质与应用,分析了ZnO薄膜研究、应用与开发现状,展望了产... ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料。ZnO薄膜的制备方法多样,薄膜的性质取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关。简述了ZnO薄膜的制备方法与基本性质与应用,分析了ZnO薄膜研究、应用与开发现状,展望了产业化发展前景。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 制备方法 压电性 透明导电性 光电性 气敏性 压敏性 晶格结构 半导体
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二氧化锡气敏材料的研究进展 被引量:17
11
作者 李泉 曾广赋 席时权 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期1-6,共6页
采用纳米技术及对纳米级粉体材料的掺杂,可实现对二氧化锡本体材料的改性,很大程度上提高二氧化锡气敏材料的灵敏度和选择性,本文综述二氧化锡气敏材料的制备及应用进展。
关键词 二氧化锡 制备 掺杂剂 气敏材料 纲米技术
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ZnO薄膜及ZnO-TFT的性能研究 被引量:7
12
作者 马仙梅 荆海 +2 位作者 马凯 王龙彦 王中健 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期393-395,共3页
采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量。其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势。制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表... 采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量。其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势。制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜晶体管 氧化锌薄膜 X射线衍射 光致发光
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ZnO薄膜的研究与开发应用进展 被引量:13
13
作者 吕建国 陈汉鸿 叶志镇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期463-467,共5页
ZnO是一种新型的 - 族半导体材料。该文介绍了ZnO薄膜的晶格、光学以及电学特性,对其生长技术和开发应用等方面的进展也作了综述,并展望了ZnO薄膜的发展前景。
关键词 ZNO薄膜 生长技术 开发应用 氧化锌 半导体材料 薄膜特性
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纳米晶Sb掺杂SnO_2(ATO)粉体的合成与表征 被引量:22
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作者 张建荣 高濂 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1544-1547,共4页
以Sn粉和Sb_2O_3为原料.采用共沉淀法制备了纳米ATO粉.TG-DSC及FTIR结果表明.450℃以前前驱体已失去全部水分.并完全转化为氧化物.XRD测量结果表明.所得ATO粉具有四方金红石结构.500℃焙烧后粉体的粒径为12 nm.随着焙烧温度的升高.粉体... 以Sn粉和Sb_2O_3为原料.采用共沉淀法制备了纳米ATO粉.TG-DSC及FTIR结果表明.450℃以前前驱体已失去全部水分.并完全转化为氧化物.XRD测量结果表明.所得ATO粉具有四方金红石结构.500℃焙烧后粉体的粒径为12 nm.随着焙烧温度的升高.粉体的粒径增加.TEM测定结果表明,粉体的分散性很好.团聚很少.粉体的烧结性能良好,950℃时烧结5 h即达到理论密度的97.3%.用霍尔系数法测定粉体的导电行为.表明该粉体具有良好的导电性能. 展开更多
关键词 纳米晶 Sb掺杂 Sn02粉体 合成 表征 纳米粉体 半导体 制备 二氧化锡
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Pt/TiO_2膜光催化氧化降解高聚物的研究 被引量:9
15
作者 孙振世 陈英旭 杨晔 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期87-90,共4页
以 2 5 0W高压汞灯为光源 ,通过光化学沉积法在TiO2 表面上担载 1%Pt制备的催化剂对难降解高聚物PVA具有很好的光催化活性 ,固定相活性提高后的该类催化剂在用量为 30g/m2 时 ,光照 6 0min ,PVA的光解率可达78 3%。研究发现 ,PVA的光催... 以 2 5 0W高压汞灯为光源 ,通过光化学沉积法在TiO2 表面上担载 1%Pt制备的催化剂对难降解高聚物PVA具有很好的光催化活性 ,固定相活性提高后的该类催化剂在用量为 30g/m2 时 ,光照 6 0min ,PVA的光解率可达78 3%。研究发现 ,PVA的光催化氧化可分为两个阶段 ,前一阶段PVA主要生成中间产物 ,后一阶段 ,PVA被彻底氧化分解 ,1%Pt/TiO2 可以明显地缩短前阶段反应时间 ,增强后阶段PVA的矿化作用 ,增加矿化阶段反应级数与反应速度常数。 展开更多
关键词 光催化氧化 二氧化钛 催化剂活性 高聚物降解 薄膜 汞灯 光化学沉积法
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湿法和溶脱法的亚微米ZnO:Al光栅制备 被引量:5
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作者 刘仁臣 吴永刚 +3 位作者 夏子奂 王振华 唐平林 梁钊铭 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2613-2617,共5页
以激光干涉法得到的光刻胶图案为掩模,采用湿法刻蚀和溶脱-剥离法制备了具有良好减反射特性的亚微米掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)光栅。表面形貌特征和反射光谱测试结果表明,湿法刻蚀较溶脱-剥离法得到的AZO光栅表面更为粗糙,两者均方根粗糙... 以激光干涉法得到的光刻胶图案为掩模,采用湿法刻蚀和溶脱-剥离法制备了具有良好减反射特性的亚微米掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)光栅。表面形貌特征和反射光谱测试结果表明,湿法刻蚀较溶脱-剥离法得到的AZO光栅表面更为粗糙,两者均方根粗糙度分别为25.4,7.6nm。在400~900nm波段,两种方法制备的周期和高度相同的光栅,平均总反射率分别由AZO薄膜的12.5%下降到8.3%和10.2%。两者的平均镜面反射率分别为6.2%和6.6%,平均漫反射率分别为2.1%和3.6%。湿法刻蚀得到的表面较为粗糙AZO光栅的漫反射明显减弱,从而导致总的减反特性优于溶脱-剥离法得到的表面起伏相对较小的AZO光栅。 展开更多
关键词 亚微米光栅 掺铝氧化锌 激光干涉法 湿法刻蚀 溶脱-剥离法
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半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展 被引量:10
17
作者 巩锋 臧竞存 杨敏飞 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第2期35-37,75,共4页
ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件。对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述。
关键词 ZNO 晶体生长 性能 直接宽带隙材料 半导体材料 氧化锌
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表面敏化改性纳米晶TiO_2的光谱响应特性研究及其应用进展 被引量:7
18
作者 李明 方亚男 +1 位作者 洪樟连 陈胡星 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期15-18,共4页
介绍了各类敏化剂对纳米晶TiO2的敏化作用机制,并从能带匹配角度分析了敏化剂选择的原则,综述了近期国内外敏化改性纳米晶TiO2在拓宽光谱响应范围、提高TiO2光谱响应性能的研究成果,简要概述了敏化TiO2在太阳能电池、环境净化、光解水... 介绍了各类敏化剂对纳米晶TiO2的敏化作用机制,并从能带匹配角度分析了敏化剂选择的原则,综述了近期国内外敏化改性纳米晶TiO2在拓宽光谱响应范围、提高TiO2光谱响应性能的研究成果,简要概述了敏化TiO2在太阳能电池、环境净化、光解水制备氢等方面的应用,最后对敏化法改性TiO2的研究方向与材料应用前景进行了探讨。 展开更多
关键词 二氧化钛 纳米晶 光谱响应 敏化剂 可见光
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纳米SnO_2及分子筛封装纳米SnO_2簇的湿敏性能研究 被引量:11
19
作者 蔡晔 葛忠华 +1 位作者 陈银飞 柴振林 《材料科学与工程》 CAS CSCD 1998年第1期60-63,共4页
本文以液相法制备的纳米SnO2微粉和分子筛封装的纳米SnO2簇微粉为原料,采用涂膜法制作成湿敏元件,并且分别对这两种元件进行了湿敏性能的测试。研究表明纳米SnO2微粉和分子筛封装的纳米SnO2簇微粉,其湿敏元件灵敏度... 本文以液相法制备的纳米SnO2微粉和分子筛封装的纳米SnO2簇微粉为原料,采用涂膜法制作成湿敏元件,并且分别对这两种元件进行了湿敏性能的测试。研究表明纳米SnO2微粉和分子筛封装的纳米SnO2簇微粉,其湿敏元件灵敏度明显高于普通SnO2微粉,阻湿线性关系良好,具有较好的湿敏性能。 展开更多
关键词 分子筛 半导体 二氧化锡 纳米微粉 封装
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氧化钨薄膜电致变色状态下物相组份及表面形貌变化的研究 被引量:5
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作者 王晓光 江月山 +2 位作者 杨乃恒 袁磊 庞世瑾 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期46-50,共5页
通过对直流磁控溅射方法得到WOx膜层的电化学和光学性能测试,以及XRD和STM的物相、形貌分析,发现该WOx膜层具有良好的电致变色性能,原始沉积态WOx膜层为非晶态,其着退色状态仍为非晶特性,而晶态WOx膜层在着色态... 通过对直流磁控溅射方法得到WOx膜层的电化学和光学性能测试,以及XRD和STM的物相、形貌分析,发现该WOx膜层具有良好的电致变色性能,原始沉积态WOx膜层为非晶态,其着退色状态仍为非晶特性,而晶态WOx膜层在着色态和退色态之间发生物相组份的可逆变化,且表面形貌有很大差异。 展开更多
关键词 电致变色 物相组份 表面形貌 薄膜 氧化钨
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