期刊文献+
共找到162篇文章
< 1 2 9 >
每页显示 20 50 100
太赫兹光谱技术在表征双相无机钙钛矿材料特性中的应用
1
作者 常青 程士嘉 +1 位作者 侯文鑫 王引书 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期682-688,共7页
钙钛矿材料制备过程中的成分监控与表征对材料科学与钙钛矿技术的发展至关重要。采用时间分辨太赫兹光谱(TRTS)技术对双相CsPbBr3-CsPb2Br5薄膜材料在光泵浦作用下的光致电导特性进行了详细分析。通过观察和区分不同成分的Cs-Pb-Br三元... 钙钛矿材料制备过程中的成分监控与表征对材料科学与钙钛矿技术的发展至关重要。采用时间分辨太赫兹光谱(TRTS)技术对双相CsPbBr3-CsPb2Br5薄膜材料在光泵浦作用下的光致电导特性进行了详细分析。通过观察和区分不同成分的Cs-Pb-Br三元钙钛矿材料的光谱特征,确认了不同声子模式的来源。使用Drude-Smith模型的延伸模型对样品的光致电导进行拟合分析,进一步探究了薄膜材料的载流子动力学过程以及晶体结构的变化过程。本实验为太赫兹时域光谱技术在钙钛矿鉴别中的应用提供了新的视角,也为钙钛矿材料在光伏领域的潜在应用提供了坚实的理论依据。 展开更多
关键词 钙钛矿 时间分辨太赫兹光谱(TRTS) 载流子动力学 光学声子 光伏特性
在线阅读 下载PDF
四探针技术测量薄层电阻的原理及应用 被引量:54
2
作者 刘新福 孙以材 刘东升 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期48-52,共5页
对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)... 对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考。 展开更多
关键词 四探针 薄层电阻 Rymaszewski法 范德堡法
在线阅读 下载PDF
化学染色法测量B,Al及P扩散结深 被引量:7
3
作者 佟丽英 赵权 +2 位作者 史继祥 王聪 李亚光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1213-1215,共3页
采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比... 采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。 展开更多
关键词 扩散结深 染色液 扩展电阻探针法
在线阅读 下载PDF
电感耦合等离子体光谱法测定高纯镓中的痕量元素 被引量:4
4
作者 朱连德 刘杰 +1 位作者 李瑛琇 陈杭亭 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期25-28,共4页
比较了乙醚和甲基异丁基酮 ( MIBK)两种萃取剂对高纯镓中基体与杂质的分离效果。选择 MIBK作为萃取剂 ,将高纯镓中的基体元素镓萃入有机相 ,绝大多数金属杂质则留在水相中 ,用电感耦合等离子体发射光谱法测定了水溶液中的 1 4种痕量元... 比较了乙醚和甲基异丁基酮 ( MIBK)两种萃取剂对高纯镓中基体与杂质的分离效果。选择 MIBK作为萃取剂 ,将高纯镓中的基体元素镓萃入有机相 ,绝大多数金属杂质则留在水相中 ,用电感耦合等离子体发射光谱法测定了水溶液中的 1 4种痕量元素。方法的加标回收率为 80 %~ 1 1 0 % ,检出限在 0 .0 0 1~ 0 .0 75μg/m 展开更多
关键词 电感耦合等离子体发射光谱 溶剂萃取 高纯镓 痕量元素 测定方法 半导体材料
在线阅读 下载PDF
低维纳米材料的力学性能测试技术研究进展 被引量:6
5
作者 张段芹 刘建秀 褚金奎 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第7期451-457,共7页
低维纳米材料作为纳机电系统(NEMS)中重要的结构层材料,其力学性能与变形失效机理的研究直接影响NEMS的功能实现、可靠性分析与寿命预测。首先,介绍了现有低维纳米材料力学性能测试技术,如纳米压痕法、基于原子力显微镜(AFM)的纳米力学... 低维纳米材料作为纳机电系统(NEMS)中重要的结构层材料,其力学性能与变形失效机理的研究直接影响NEMS的功能实现、可靠性分析与寿命预测。首先,介绍了现有低维纳米材料力学性能测试技术,如纳米压痕法、基于原子力显微镜(AFM)的纳米力学测试法、基于电子显微镜(EM)的原位纳米力学测试法与基于微机电系统(MEMS)技术的片上纳米力学测试法,并讨论了各种测试方法的优缺点与存在的挑战性。然后,详细介绍了低维纳米材料力学测试,特别是片上纳米力学测试中的关键技术,如低维微纳米试样的拾取、操纵与固定技术、片上微驱动技术、片上微位移与微力检测技术。最后,得出基于MEMS技术的片上力学测试方法有望成为低维纳米材料力学测试的发展方向,并指出此方法中存在的问题。 展开更多
关键词 低维纳米材料 力学性能 测试技术 片上测试 纳机电系统(NEMS)
在线阅读 下载PDF
电容式微机械陀螺品质因子测试方法研究 被引量:6
6
作者 李锦明 张文栋 李林 《中北大学学报(自然科学版)》 EI CAS 2006年第4期357-360,共4页
品质因子是判断微结构加工质量的重要标准,特别是经过真空封装的微机械结构,它的品质因子大小可从几百到几万,具有很大的散布范围,因此对真空封装微机械陀螺品质因子的测试就显得格外重要.本文详细阐述了电容式微机械陀螺品质因子测试... 品质因子是判断微结构加工质量的重要标准,特别是经过真空封装的微机械结构,它的品质因子大小可从几百到几万,具有很大的散布范围,因此对真空封装微机械陀螺品质因子的测试就显得格外重要.本文详细阐述了电容式微机械陀螺品质因子测试的基本原理,提出对静电激励-电容检测陀螺和机械激励-电容检测陀螺品质因子测试的具体方法,并对这两种方法的测试结果进行了对比分析. 展开更多
关键词 微机械陀螺 品质因子 静电激励-电容检测 机械激励-电容检测
在线阅读 下载PDF
分布布喇格反射镜的反射特性 被引量:3
7
作者 李林 钟景昌 +5 位作者 苏伟 晏长岭 张永明 郝永琴 刘文莉 赵英杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期501-504,共4页
采用等效法布里 珀罗(F P)腔方法对分布布喇格反射镜(DBR)的特性进行了研究,计算并讨论了上下两层DBR结构非对称模型反射率的变化。设计了DBR反射镜的反射谱中心波长为850nm的结构。随着DBR周期数的增加,腔反射率峰值逐渐增加。上下两层... 采用等效法布里 珀罗(F P)腔方法对分布布喇格反射镜(DBR)的特性进行了研究,计算并讨论了上下两层DBR结构非对称模型反射率的变化。设计了DBR反射镜的反射谱中心波长为850nm的结构。随着DBR周期数的增加,腔反射率峰值逐渐增加。上下两层DBR反射镜的厚度由反射率和中心波长决定。实验表明,下DBR的周期数为30对左右,上DBR的周期数为20对左右,易实现激光输出。非对称的双层DBR的反射特性表明理论计算与实验结果基本一致。 展开更多
关键词 分布布喇格反射 F-P腔 反射特性
在线阅读 下载PDF
Kelvin四线连接电阻测试技术及应用 被引量:20
8
作者 赵英伟 庞克俭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期43-45,50,共4页
介绍了开尔文(Kelvin)四线连接方式测试电阻的原理,针对复杂电阻网络提出电阻隔离测 试技术。分析了采用全开尔文更精确测量极小电阻的方法,介绍了在特殊情况下使用分离开尔文连接测试 电阻的方法和用途。
关键词 开尔文 电阻隔离测试 分离开尔文连接
在线阅读 下载PDF
电阻率两种测试方法间几何效应修正的相关性 被引量:10
9
作者 孙以材 范兆书 +1 位作者 孙新宇 宁秋凤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期38-41,共4页
根据有限厚度样品体电阻率和薄层电阻两种测试方法间的厚度修正系数的相关性,论证了其边缘效应修正系数具有一一对应的严格的相等性。通过实验予以证明,并可将这一结论应用于非圆心点测试。
关键词 电阻率测量 几何效应修正 半导体材料 测试
在线阅读 下载PDF
硅中微体缺陷激光测试技术的理论与实验研究 被引量:2
10
作者 陈军 尤政 +1 位作者 周兆英 刘兴占 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期174-178,共5页
提出了一种基于广义洛伦兹-米氏理论(GeneralizedLorenz&MieTheory)的硅中μm/nm级体缺陷的激光无损检测新途径.叙述了有关的理论基础,进行了系统的计算机仿真与特征提取的研究,实现了系统的模拟... 提出了一种基于广义洛伦兹-米氏理论(GeneralizedLorenz&MieTheory)的硅中μm/nm级体缺陷的激光无损检测新途径.叙述了有关的理论基础,进行了系统的计算机仿真与特征提取的研究,实现了系统的模拟实验,验证了理论的正确性及方案的可行性. 展开更多
关键词 激光 无损检测 微体缺陷 L-M散射理论
在线阅读 下载PDF
测量计算金属-半导体接触电阻率的方法 被引量:13
11
作者 李鸿渐 石瑛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期155-159,共5页
如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。... 如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法。 展开更多
关键词 金属-半导体接触 接触电阻率 传输线模型
在线阅读 下载PDF
基于单片机的半导体激光器应用控制技术 被引量:2
12
作者 张运春 肖文 +2 位作者 伊小素 韩艳玲 刘德文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z3期198-202,共5页
针对半导体激光器(LD)应用领域十分广泛的特点,提出了一种新型 LD 功率(P)-电流(I)-电压(V)的自动测试方法。该方案采用华邦51系列单片机(SCM)W78E58BP 作为控制核心,实现了高稳定度的 LD连续及脉冲驱动、恒流控制及功率、电压采集。LD... 针对半导体激光器(LD)应用领域十分广泛的特点,提出了一种新型 LD 功率(P)-电流(I)-电压(V)的自动测试方法。该方案采用华邦51系列单片机(SCM)W78E58BP 作为控制核心,实现了高稳定度的 LD连续及脉冲驱动、恒流控制及功率、电压采集。LD 控制单元中,应用负反馈技术实现注入电流 I_f、驱动电压 V_f和光功率 P_O 的高稳定控制,电流控制精度为±0.1%;单片机控制电信号的放大、保持和采集,模拟、数字相结合,提高了信号处理的精度。最后,给出了通过 RS-232接口对 LD 进行 PIV 测试的曲线及相关参数的测试结果,并给出了误差分析。该测试方法已得到广泛应用。 展开更多
关键词 半导体激光器 单片机 PIV 信号处理
在线阅读 下载PDF
氮化硅薄膜的应力与性能控制 被引量:4
13
作者 周东 许向东 +2 位作者 王志 王晓梅 蒋亚东 《电子器件》 CAS 2010年第4期407-411,共5页
提出一种通过构建特殊的多层膜结构的方法,降低SiNx薄膜的残余应力。曲率和拉曼两种测量结果都表明,通过引入一层240nmSiO2薄膜,可以使SiNx薄膜的残余应力从高的张应力(+358MPa)明显地降低到低的压应力(-57MPa)。重要的是,这种应力的改... 提出一种通过构建特殊的多层膜结构的方法,降低SiNx薄膜的残余应力。曲率和拉曼两种测量结果都表明,通过引入一层240nmSiO2薄膜,可以使SiNx薄膜的残余应力从高的张应力(+358MPa)明显地降低到低的压应力(-57MPa)。重要的是,这种应力的改变能够使薄膜在光学带隙保持不变的情况下,SiNx薄膜的折射率发生增大,取得常规方法难以达到的效果。遗憾的是,该过程同时使SiNx薄膜的杨氏模量和硬度等力学性能减弱。此外,还把相关结果与常规方法调控SiNx薄膜应力的结果相比较。证明了通过改变SiN薄膜的应力可以调控薄膜的其它物理性能。 展开更多
关键词 残余应力 光学带隙 折射率
在线阅读 下载PDF
欧姆接触中接触电阻率的计算 被引量:8
14
作者 甄聪棉 李秀玲 +2 位作者 潘成福 聂向富 王印月 《大学物理》 北大核心 2005年第6期10-13,共4页
从欧姆接触电阻率的定义出发,先从理论上介绍了热离子发射、热离子场发射和场发射三种不同情况下欧姆接触电阻率的计算公式,然后详细地从实验上综合各种测试方法,并讨论了其利弊.
关键词 欧姆接触 接触电阻率 传输线模型
在线阅读 下载PDF
电化学C-V法测量化合物半导体载流子浓度的研究进展 被引量:5
15
作者 李晓云 牛萍娟 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2007年第2期106-110,共5页
电化学C-V(ECV)法是当前测量化合物半导体载流子浓度分布的非常重要的方法。从ECV法的原理、设备、电解液的选择以及测量精度的保证四个方面对ECV法进行了分析和总结,对于不同材料电解液的选择提供了参考。
关键词 电化学C-V法 载流子浓度 电解液
在线阅读 下载PDF
特征提取在近红外激光检测半导体内微缺陷中的应用 被引量:2
16
作者 尤政 李颖鹏 李滨 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期23-26,共4页
提出了利用近红外激光散射光强分布分析来检测半导体材料内部微体缺陷的检测方法。在研究广义洛仑兹 米氏理论 (GeneralizedLorenz MieTheory)的基础上 ,通过对理论上散射光强分布的分析 ,近红外激光散射光强分布空间FFT的截止频率被提... 提出了利用近红外激光散射光强分布分析来检测半导体材料内部微体缺陷的检测方法。在研究广义洛仑兹 米氏理论 (GeneralizedLorenz MieTheory)的基础上 ,通过对理论上散射光强分布的分析 ,近红外激光散射光强分布空间FFT的截止频率被提取为判定半导体材料缺陷大小的判据 ,依据这一判据 ,可以快速的判定微体缺陷的大小。并通过对GaAs样品进行了实验研究 ,证明了该方法和判据的有效性。 展开更多
关键词 近红外激光 缺陷检测 散射 光强分布分析 特征提取 半导体材料
在线阅读 下载PDF
SiC MESFET工艺在片检测技术 被引量:1
17
作者 商庆杰 潘宏菽 +3 位作者 陈昊 李亮 杨霏 霍玉柱 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1095-1099,共5页
介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测... 介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测表面均匀性以及扫描电镜观察形貌以及组分分析。干法刻蚀的监测主要通过台阶仪结合椭偏仪实现,即保证了干法刻蚀按预想的深度刻蚀也验证了材料结构的参数。通过TLM图形测试的比接触电阻值可以确保良好的欧姆接触,减小器件的串联电阻,提高器件的电流处理能力,为实现高功率输出奠定基础。通过台阶仪测量和显微镜观察实现的等平面工艺大大提高了器件的性能,微波功率提高30%左右,增益提高1.5 dB以上,功率附加效率提高接近10%。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 检测 干法刻蚀 比接触电阻率
在线阅读 下载PDF
Cd扩散对InSb晶体质量的影响 被引量:2
18
作者 刘豫东 邹红英 +3 位作者 杜红燕 董硕 朱继满 马莒生 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期114-116,共3页
InSb材料在Cd扩散后于表面产生了密度较高的小浅坑 ,对小坑的成分进行了分析 ,并根据结果对小坑的成因作了初步的推断。实验发现坑中Cd浓度约 4 4%。
关键词 InSb材料 Cd扩散 缺陷 电性能
在线阅读 下载PDF
PVT生长掺V SiC单晶的扫描电镜二次电子像衬度 被引量:1
19
作者 王香泉 洪颖 +3 位作者 章安辉 冯玢 郝建民 严如岳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期317-319,共3页
在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺V SiC晶片时,发现其二次电子像存在衬度。表现为先生长部分较明亮,后生长部分较暗淡,中间存在明显突变。在用PVT生长掺V SiC单晶时,SiC单晶中同时含有浅施主N和深受主杂质V是补偿半导体。从补偿半导体... 在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺V SiC晶片时,发现其二次电子像存在衬度。表现为先生长部分较明亮,后生长部分较暗淡,中间存在明显突变。在用PVT生长掺V SiC单晶时,SiC单晶中同时含有浅施主N和深受主杂质V是补偿半导体。从补偿半导体载流子浓度计算出发,建立了二次电子像衬度与载流子浓度的对应关系,很好解释了这一实验现象。结果表明,SiC单晶生长过程中随着浅施主N的减少,n型载流子的浓度逐步减少;当其浓度与V相当时,载流子浓度突变,可瞬间减少10个量级,此后又缓慢减少。正是这种载流子的突变引发了扫描电镜二次电子像衬度。 展开更多
关键词 碳化硅 二次电子像衬度 载流子浓度 扫描电镜 物理气相传输法
在线阅读 下载PDF
边界扫描SRAM簇板级互连测试研究 被引量:1
20
作者 李桂祥 刘明云 +1 位作者 杨江平 项建涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期61-66,共6页
由于边界扫描结构的复杂与费用的关系,在现代电子电路中广泛使用的静态随机存取存储器还很少包含边界扫描结构。本文提出了一种能完全实现SRAM簇互连测试的方法,该方法能检测SRAM簇控制线、数据线和地址线的板级互连故障,且测试长度较短。
关键词 边界扫描 SRAM簇 板级互连 静态随机存取存储器 测试
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 9 下一页 到第
使用帮助 返回顶部