利用浸涂法将Cr_(2)O_(3)涂覆于Al_(2)O_(3)陶瓷表面,通过高温烧结获得涂层陶瓷,并系统性地研究了Cr_(2)O_(3)涂层对样品的物质成分、微观形貌、二次电子发射系数、表面电阻率和真空沿面耐压性能的影响。结果表明:涂层陶瓷表面呈红黑色...利用浸涂法将Cr_(2)O_(3)涂覆于Al_(2)O_(3)陶瓷表面,通过高温烧结获得涂层陶瓷,并系统性地研究了Cr_(2)O_(3)涂层对样品的物质成分、微观形貌、二次电子发射系数、表面电阻率和真空沿面耐压性能的影响。结果表明:涂层陶瓷表面呈红黑色,其为Al_(2)O_(3)-Cr_(2)O_(3)固溶体、Mg Al_(2)O_(4)和Cr_(2)O_(3)三种物质的混合物。相较于Al_(2)O_(3)陶瓷,涂层表面晶粒和孔洞的尺寸均较小,其晶粒尺寸均匀性也有明显提升。高温烧结后,Al、Cr两种元素相互扩散,并且涂层中有少量从陶瓷基体迁移而来的玻璃相。高温烧结的Cr_(2)O_(3)涂层将Al_(2)O_(3)陶瓷的二次电子发射系数减小至3.22,将表面电阻率减小至4.52×10^(11)Ω,将真空沿面耐压强度增大至34.44 k V/cm,此值较Al_(2)O_(3)陶瓷提高了约108%。展开更多
以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT...以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。展开更多
研究了尖晶石型Cu Al2O4掺杂对Ca Cu3Ti4O12陶瓷显微结构、介电性能以及松弛特征和缺陷结构的影响。在频率为10-1～107 Hz、温度为153～453 K的条件下测量了样品的介电性能。研究表明,适量添加Cu Al2O4,使样品晶粒尺寸减小并趋于均匀,...研究了尖晶石型Cu Al2O4掺杂对Ca Cu3Ti4O12陶瓷显微结构、介电性能以及松弛特征和缺陷结构的影响。在频率为10-1～107 Hz、温度为153～453 K的条件下测量了样品的介电性能。研究表明,适量添加Cu Al2O4,使样品晶粒尺寸减小并趋于均匀,击穿场强从Ca Cu3Ti4O12陶瓷样品的3.0 k V/cm提高到13.0 k V/cm,低频介电损耗减小。介电松弛中的高频松弛过程起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程,其活化能～0.10 e V基本不变;随着Cu Al2O4含量增加,与界面相关的松弛活化能从0.50 e V减小到0.22 e V,可能与Cu Al2O4在样品中引入杂质及更复杂的界面有关;电导活化能从0.66 e V增至0.86 e V,归因于Cu Al2O4第二相抑制了晶界处的载流子跳跃,提高了Schottky势垒高度。Cu Al2O4掺杂量大于100mol%,过量Cu Al2O4会导致样品晶界势垒崩塌,样品失去非欧姆特性和巨介电性能。展开更多
文摘利用浸涂法将Cr_(2)O_(3)涂覆于Al_(2)O_(3)陶瓷表面,通过高温烧结获得涂层陶瓷,并系统性地研究了Cr_(2)O_(3)涂层对样品的物质成分、微观形貌、二次电子发射系数、表面电阻率和真空沿面耐压性能的影响。结果表明:涂层陶瓷表面呈红黑色,其为Al_(2)O_(3)-Cr_(2)O_(3)固溶体、Mg Al_(2)O_(4)和Cr_(2)O_(3)三种物质的混合物。相较于Al_(2)O_(3)陶瓷,涂层表面晶粒和孔洞的尺寸均较小,其晶粒尺寸均匀性也有明显提升。高温烧结后,Al、Cr两种元素相互扩散,并且涂层中有少量从陶瓷基体迁移而来的玻璃相。高温烧结的Cr_(2)O_(3)涂层将Al_(2)O_(3)陶瓷的二次电子发射系数减小至3.22,将表面电阻率减小至4.52×10^(11)Ω,将真空沿面耐压强度增大至34.44 k V/cm,此值较Al_(2)O_(3)陶瓷提高了约108%。
文摘以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。
文摘研究了尖晶石型Cu Al2O4掺杂对Ca Cu3Ti4O12陶瓷显微结构、介电性能以及松弛特征和缺陷结构的影响。在频率为10-1～107 Hz、温度为153～453 K的条件下测量了样品的介电性能。研究表明,适量添加Cu Al2O4,使样品晶粒尺寸减小并趋于均匀,击穿场强从Ca Cu3Ti4O12陶瓷样品的3.0 k V/cm提高到13.0 k V/cm,低频介电损耗减小。介电松弛中的高频松弛过程起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程,其活化能～0.10 e V基本不变;随着Cu Al2O4含量增加,与界面相关的松弛活化能从0.50 e V减小到0.22 e V,可能与Cu Al2O4在样品中引入杂质及更复杂的界面有关;电导活化能从0.66 e V增至0.86 e V,归因于Cu Al2O4第二相抑制了晶界处的载流子跳跃,提高了Schottky势垒高度。Cu Al2O4掺杂量大于100mol%,过量Cu Al2O4会导致样品晶界势垒崩塌,样品失去非欧姆特性和巨介电性能。
