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TGG晶体偏心生长研究 被引量:8
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作者 龙勇 徐扬 +3 位作者 石自彬 丁雨憧 王佳 付昌禄 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第2期277-279,共3页
目前高功率全固态激光器急需使用大尺寸、高质量的铽镓石榴石晶体(Tb3Ga5O12,TGG)。采用提拉法生长(111)方向TGG晶体时,极易发生偏心生长,影响晶体质量与使用效率。针对偏心生长,通过分析TGG晶体组分挥发和熔体特性,解释了其形成机理,... 目前高功率全固态激光器急需使用大尺寸、高质量的铽镓石榴石晶体(Tb3Ga5O12,TGG)。采用提拉法生长(111)方向TGG晶体时,极易发生偏心生长,影响晶体质量与使用效率。针对偏心生长,通过分析TGG晶体组分挥发和熔体特性,解释了其形成机理,并提出了相应的解决方法,最后成功生长出外观完整(44 mm×70mm)的TGG晶体。通过对比圆柱状和螺旋状晶体透过率的不同,进一步解释了偏心生长的原因。 展开更多
关键词 铽镓石榴石(Tb3Ga5O12 TGG)晶体 偏心生长 Ga2O3挥发 热辐射 提拉法
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大直径高质量锑化铟单晶的生长研究 被引量:5
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作者 王燕华 程鹏 +3 位作者 王志芳 程波 陈元瑞 徐鹏艳 《红外》 CAS 2009年第8期9-13,共5页
锑化铟单晶是制备3μm~5μm红外探测器的重要材料。为了适应红外焦平面探测器大规模化发展的趋势,我们开展了高质量3in锑化铟单晶的生长研究。本文解决了大直径锑化铟单晶生长的关键技术,讨论了3in锑化铟单晶生长过程中的多晶原料提纯... 锑化铟单晶是制备3μm~5μm红外探测器的重要材料。为了适应红外焦平面探测器大规模化发展的趋势,我们开展了高质量3in锑化铟单晶的生长研究。本文解决了大直径锑化铟单晶生长的关键技术,讨论了3in锑化铟单晶生长过程中的多晶原料提纯问题,以及单晶电性能参数控制、位错密度控制和直径控制问题,并采用Czochralski法成功地在国内首次生长出直径为3in的锑化铟单晶。其中,直径大于3in的单晶长度超过100mm,单晶的位错密度小于100cm^(-2)。试验结果表明:相对于其他半导体单晶生长位错密度沿晶棒增大的分布规律,我们得到的锑化铟单晶位错密度沿晶棒从头至尾递减,单晶尾部位错密度可小于50cm^(-2);同时单晶的电子迁移率、载流子浓度均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。 展开更多
关键词 锑化铟 大直径 单晶 位错密度
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新型闪烁晶体 NaBi(WO_4)_2 的研制及闪烁性能的研究 被引量:1
3
作者 赵业权 杨春晖 +3 位作者 徐悟生 徐玉恒 陈刚 李孝恩 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1998年第5期48-51,共4页
报道了新型闪烁晶体NaBi(WO4)2的生长。测试了晶体的透过率、抗辐照损伤能力和发光效率。NaBi(WO4)2晶体的衰减时间为3ns,是闪烁晶体中最短者之一。
关键词 闪烁晶体 晶体 发光效率 晶体生长
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大尺寸Bi_(12)S_iO_(20)单晶生长的研究 被引量:1
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作者 张尚安 魏世道 +1 位作者 韩奇阳 胡卫东 《量子电子学》 CSCD 1994年第1期71-76,共6页
本文介绍了BSO单晶的若干主要性能。报导了用电阻加热提拉法,从φ80×60mm铂金坩埚中生长出φ40×60mm重达800克左右的优质BSO大单晶。研究并确定了生长大尺寸BSO晶体的工艺条件,并对晶体中若干主要... 本文介绍了BSO单晶的若干主要性能。报导了用电阻加热提拉法,从φ80×60mm铂金坩埚中生长出φ40×60mm重达800克左右的优质BSO大单晶。研究并确定了生长大尺寸BSO晶体的工艺条件,并对晶体中若干主要缺陷进行了观察分析,讨论了它们与生长工艺条件的关系,以及提高晶体质量的主要途经。 展开更多
关键词 晶体生长 提拉法 温度 晶体缺陷
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Ag:ZnWO_4晶体的生长及其闪烁性能
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作者 徐崇泉 徐玉恒 +6 位作者 王春生 陈刚 龙新滨 朱国义 何景棠 顾以藩 钱忠敏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1990年第1期41-44,共4页
采用分析纯WO_3和ZnO为原料,掺进Ag_2O,生长Ag:ZnWO_4晶体.测试了晶体的发光效率、能量分辨率、透过率、吸收光谱,并探讨了ZnWO_4晶体的着色和消色机理.
关键词 Ag:ZnWo4 晶体生长 闪烁性能
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直拉法生长Si_(1-x)Ge_x单晶的数值模拟
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作者 韩焕鹏 刘锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期989-993,共5页
利用数值模拟技术对Si1-xGex单晶生长过程中的热传输和温度分布情况进行了模拟分析,并以此为条件对晶体生长过程中不同阶段下,不同埚转速度对晶体生长稳定性的影响进行了对比分析,获得了相应的数据。对优化晶体生长条件参数、提高晶体... 利用数值模拟技术对Si1-xGex单晶生长过程中的热传输和温度分布情况进行了模拟分析,并以此为条件对晶体生长过程中不同阶段下,不同埚转速度对晶体生长稳定性的影响进行了对比分析,获得了相应的数据。对优化晶体生长条件参数、提高晶体生长稳定性和晶体质量具有较好的指导意义。 展开更多
关键词 数值模拟 Si1-xGex单晶 直拉法 湍流
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浮秤实验仪的研制
7
作者 张德贤 范志新 吴建海 《河北工业大学学报》 CAS 1996年第4期39-44,共6页
浮秤实验是一项传感器应用性大学物理实验,模拟提拉法晶体生长中等径自动控制工艺过程,设计试制一种应用应变片传感器的浮秤实验教学装置.
关键词 单晶 提拉法 浮科 物理实验 晶体生长
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Lu_2Si_2O_)7∶Ce晶体的闪烁性能 被引量:2
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作者 李焕英 秦来顺 +2 位作者 姚冬敏 陆晟 任国浩 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期729-734,共6页
用提拉法生长了Lu2Si2O7∶Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7∶Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5∶Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在37... 用提拉法生长了Lu2Si2O7∶Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7∶Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5∶Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8~34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。 展开更多
关键词 闪烁性能 LPS:Ce晶体 透射光谱 衰减特性
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AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶体生长及结构性能研究 被引量:1
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作者 黄毅 赵北君 +5 位作者 朱世富 赵国栋 朱伟林 徐承福 万书权 何知宇 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期107-110,共4页
采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的Ag... 采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭的结晶状态好。对晶锭沿自然显露面解理取样后经X射线衍射发现晶体的自然显露面为(101)面,并观测到{101}晶面族的四级衍射峰,其回摆峰尖锐且半峰宽窄,表明晶体的结晶性完好并且结构完整,同时证实沿(101)晶面自然显露是AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体生长习性的一种体现。DSC-TG分析表明晶体的熔点和凝固点分别为822.67℃和801.58℃,总失重约为2.027%。 展开更多
关键词 硒铟镓银 红外非线性光学晶体 单晶锭 黄铜矿
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高质量镁铝尖晶石单晶生长的研究 被引量:3
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作者 陈淑芬 胡少勤 +1 位作者 赵鹏 冯杰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1995年第6期19-23,共5页
对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究。采用原料配比为MgO:Al_2O_3=1:1(mol),通过化学反应间接合成MgAl_2O_4多晶料。使用铱坩埚盛料,选用中频感应加热,在氢气中用提拉法以及合适的温场和... 对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究。采用原料配比为MgO:Al_2O_3=1:1(mol),通过化学反应间接合成MgAl_2O_4多晶料。使用铱坩埚盛料,选用中频感应加热,在氢气中用提拉法以及合适的温场和最佳工艺参数,生长出了高质量的镁铝尖晶石单晶,其性能达到微波器件使用要求。 展开更多
关键词 镁铝尖晶石单晶 单晶生长 相图 中频感应 提拉法
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直拉法硅单晶生长时晃动的分析及控制 被引量:3
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作者 李巨晓 孙新利 +1 位作者 王飞尧 何国君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1083-1086,共4页
晃动是直拉法硅单晶生长中的常见现象。晃动会导致晶体生长控制系统出现异常,提拉速度波动幅度大,同时还引起熔体对流的不稳定以及杂质微观扩散的紊乱。这不仅对硅单晶的无位错生长造成一定的困难,而且对硅单晶的品质有十分不利的影响... 晃动是直拉法硅单晶生长中的常见现象。晃动会导致晶体生长控制系统出现异常,提拉速度波动幅度大,同时还引起熔体对流的不稳定以及杂质微观扩散的紊乱。这不仅对硅单晶的无位错生长造成一定的困难,而且对硅单晶的品质有十分不利的影响。分析了直拉硅单晶生长时晃动的影响因素。利用MATLAB软件及现有振动激励下的单摆动力学模型对CG6000型单晶炉进行单晶晃动的理论计算,理论上分析了各参数变化对单晶晃动的影响。在此基础上提出了改变晶体转速的工艺来控制单晶晃动及晶体形变的方法,并总结了若干减少晶体晃动的措施。 展开更多
关键词 硅单晶 晃动 单摆 晶转 直拉法
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对提拉法红宝石中光致离化导致光损伤的讨论
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作者 李光晓 杨林 《激光杂志》 CAS 1986年第6期310-313,共4页
本文讨论了红宝石晶体光损伤的机理。在实验的基础上提出了提拉法红宝石的损伤阈值比火焰法红宝石低的主要原因是激光场加速了晶体中的自由电子并使周围的粒子产生碰撞电离所致。
关键词 红宝石晶体 光损伤 提拉法 光致离化 碰撞电离 粒子产生 自由电子 激光场 火焰法 阈值比
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Structural and photoluminescence studies on europium-doped lithium tetraborate(Eu:Li2B4O7)single crystal grown by microtube Czochralski(μT-Cz)technique
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作者 A Kumaresh R Arun Kumar +4 位作者 N Ravikumar U Madhusoodanan B S Panigrahi K Marimuthu M Anuradha 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第5期429-433,共5页
Rare earth europium(Eu(3+))-doped lithium tetraborate(Eu:Li_2B_4O_7) crystal is grown from its stoichiometric melt by microtube Czochralski pulling technique(μT-Cz) for the first time. The grown crystals ar... Rare earth europium(Eu(3+))-doped lithium tetraborate(Eu:Li_2B_4O_7) crystal is grown from its stoichiometric melt by microtube Czochralski pulling technique(μT-Cz) for the first time. The grown crystals are subjected to powder x-ray diffraction(PXRD) analysis which reveals the tetragonal crystal structure of the crystals. UV–vis–NIR spectral analysis is carried out to study the optical characteristics of the grown crystals. The crystal is transparent in the entire visible region, and the lower cutoff is observed to be at 304 nm. The existence of BO_3 and BO_4 bonding structure and the molecular associations are analyzed by Fourier transform infrared(FTIR) spectroscopy. The results of excitation and emission-photoluminescence spectra of europium ion incorporated in lithium tetraborate(LTB) single crystal reveal that the observations of peaks at 258,297, and 318 nm in the excitation spectra and peaks at 579, 591, 597, 613, and 651 nm are observed in the emission spectra.The chromaticity coordinates are calculated from the emission spectra, and the emission intensity of the grown crystal is characterized through a CIE 1931(Commission International d'Eclairage) color chromaticity diagram. 展开更多
关键词 crystal growth optical material growth from melt photoluminescence study
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