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MBE同质外延生长Sn掺杂β-Ga_(2)O_(3)(010)薄膜的电子输运性质研究 被引量：1
1
作者 张子琦 杨珍妮 +5 位作者 况思良 魏盛龙 徐文静 陈端阳 齐红基 张洪良 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期244-254,共11页
本文研究了利用分子束外延技术生长的非故意掺杂(UID)和锡掺杂的β-Ga_(2)O_(3)同质外延薄膜的电子输运性质。薄膜载流子浓度范围为3.2×10^(16)至2.9×10^(19) cm^(-3),载流子浓度为3.2×10^(16) cm^(-3)的非故意掺杂薄膜... 本文研究了利用分子束外延技术生长的非故意掺杂(UID)和锡掺杂的β-Ga_(2)O_(3)同质外延薄膜的电子输运性质。薄膜载流子浓度范围为3.2×10^(16)至2.9×10^(19) cm^(-3),载流子浓度为3.2×10^(16) cm^(-3)的非故意掺杂薄膜显示出优异的室温迁移率,为125 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),在80 K时的峰值迁移率为875 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),达到了当前MBE生长的Ga_(2)O_(3)薄膜的先进水平。利用温度相关霍尔测试表征同质外延薄膜的电子输运性质,计算得到锡掺杂剂的激活能为76.2 meV。通过散射模型的拟合计算,分析了这一系列同质外延薄膜的电子散射性质,在低温到高温过程中,来自本征缺陷的电离杂质散射及晶体中阴阳离子库仑力的极性光学声子(POP)散射限制了迁移率的增长。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 外延薄膜 掺杂 激活能 迁移率 输运性质
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压电尼龙的研究进展
2
作者 马小鹏 郑毅 +1 位作者 侯春曰 汪晓东 《功能材料》 北大核心 2025年第10期10039-10050,共12页
压电尼龙材料具有优异的柔韧性、机械稳定性能和高温稳定性,其在换能器、传感器、能量收集装置等多个领域具有广阔的应用前景。然而,尼龙材料压电系数相对较低,且其压电机理尚不明确,这限制了其大规模应用。目前有很多方法来调控尼龙的... 压电尼龙材料具有优异的柔韧性、机械稳定性能和高温稳定性,其在换能器、传感器、能量收集装置等多个领域具有广阔的应用前景。然而,尼龙材料压电系数相对较低,且其压电机理尚不明确,这限制了其大规模应用。目前有很多方法来调控尼龙的压电系数,进而阐明尼龙的压电机理。首先分析了压电尼龙的机理,接着归纳了不同类型的调控压电尼龙结构和性能的方法,其中静电纺丝方法研究比较广泛。最后,总结了压电尼龙材料的应用领域,并对其未来研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 压电 尼龙 研究进展 制备方法
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全无机锡钙钛矿CsSnBr_(3)晶体的生长和电学、光学性能研究
3
作者 萧岱桢 高荣 +1 位作者 陈怡 米启兮 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第7期1245-1255,共11页
使用布里奇曼法成功制备了φ12 mm×35 mm的掺杂1%Sn(Ⅳ)与未掺杂的CsSnBr_(3)晶体,并以溶液法生长的CsSnBr_(3)晶体作为对照,对全部晶体样品进行了物相、电学和光学性质研究。CsSnBr_(3)晶体属于立方晶系,空间群Pm3m。未掺杂的CsSn... 使用布里奇曼法成功制备了φ12 mm×35 mm的掺杂1%Sn(Ⅳ)与未掺杂的CsSnBr_(3)晶体,并以溶液法生长的CsSnBr_(3)晶体作为对照,对全部晶体样品进行了物相、电学和光学性质研究。CsSnBr_(3)晶体属于立方晶系,空间群Pm3m。未掺杂的CsSnBr_(3)的禁带宽度为1.79 eV,掺杂1%的Sn(Ⅳ)可以显著提升CsSnBr_(3)晶体的载流子浓度及迁移率,其中载流子浓度从6.1×10^(16)cm^(-3)提升至1.0×10^(18)cm^(-3),迁移率从5.7 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)提升至36 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),迁移率达到和溶液法晶体相当的水平。CsSnBr_(3)在约680 nm处存在荧光发射峰,Sn(Ⅳ)能抑制载流子的非辐射复合过程,减小非辐射复合概率,提高荧光强度,但不影响荧光寿命。经计算后发现在掺杂1%的Sn(Ⅳ)后,CsSnBr_(3)晶体的少数载流子扩散长度达到了未掺杂时的近三倍。CsSnBr_(3)晶体对化学计量比的偏离具有一定的容忍度,在±1%的偏离范围内,晶体性能不会受到显著影响,多余组分会以特定形式析出于晶体表面。本文认为少量的Sn(Ⅳ)可以增加锡钙钛矿材料的导电性,并可能保护晶界,削弱晶界处载流子的散射及非辐射复合。化学计量比容忍度的发现可以为制备锡钙钛矿材料提供原料配比的灵活性,加深对CsSnBr_(3)晶体生长机制的理解,降低工艺难度。 展开更多
关键词 CsSnBr_(3) 锡钙钛矿 光电材料 半导体晶体 坩埚下降法 载流子浓度 迁移率
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硅酸钛钡高温压电晶体及其传感器件研究进展
4
作者 李亚楠 彭向康 +2 位作者 姜超 赵显 于法鹏 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1-10,共10页
压电材料作为重要的功能材料,由其制备的结构健康检测器件已被广泛应用于国民经济的诸多领域。随着现代工业技术特别是航空航天、核电能源和智能制造等的发展,各类高温工况环境对压电材料的性能提出了更高的要求,因此研制综合性能优异... 压电材料作为重要的功能材料,由其制备的结构健康检测器件已被广泛应用于国民经济的诸多领域。随着现代工业技术特别是航空航天、核电能源和智能制造等的发展,各类高温工况环境对压电材料的性能提出了更高的要求,因此研制综合性能优异的高温压电材料并将其应用到具有更高服役温度的传感器件中受到了研究者的广泛关注。硅酸钛钡(Ba_(2)TiSi_(2)O_(8),BTS)晶体具有较高的电阻率、较低的介电损耗和优良的压电性能,是一种具有良好应用前景的高温压电单晶材料。本文主要介绍了BTS晶体的提拉法生长制备工艺、单晶电弹性能表征、材料相变调控以及采用该晶体为核心元件研制的声表面波传感器和高温振动传感器的研究进展,最后对新型高温压电晶体及其传感器件的研发进行了总结和展望。 展开更多
关键词 硅酸钛钡晶体 提拉法 晶体生长 相变调控 高温压电传感器
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CsPbBr_(3)晶体生长及变温霍尔效应研究
5
作者 王杰 金致远 +3 位作者 彭静 张绍卿 黄巍 何知宇 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期5101-5105,5113,共6页
以定向凝固法提纯的CsPbBr_(3)多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸为∅30 mm×70 mm的CsPbBr_(3)单晶。采用ICP-OES对提纯后的多晶测试表明,提纯后的CsPbBr_(3)多晶中杂质含量减少了28.7%。经XRD和EDS对切割得到的晶片分析发现... 以定向凝固法提纯的CsPbBr_(3)多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸为∅30 mm×70 mm的CsPbBr_(3)单晶。采用ICP-OES对提纯后的多晶测试表明,提纯后的CsPbBr_(3)多晶中杂质含量减少了28.7%。经XRD和EDS对切割得到的晶片分析发现,晶片的晶面方向属{210}晶面族,晶体中Cs、Pb、Br_(3)种元素分布均匀,原子百分含量符合化学计量比。采用傅里叶红外光谱仪和紫外-可见分光光度计对晶体的透过率测试显示,生长晶体在500~4000 cm^(-1)波数范围内的红外透过率超过75%,紫外短波截止边为552 nm,拟合计算出对应的禁带宽度为2.246 eV。选取7个不同温度点对CsPbBr_(3)单晶进行变温霍尔效应测试发现,生长晶体为P型导电,在250~300 K和300~350 K之间晶体中主要的载流子散射机制分别为声学波散射和电离杂质散射,在150~250 K温度范围内,更符合多种散射机构共同作用的散射机制。进一步拟合载流子浓度p与1/T的关系,计算获得晶体中杂质电离能ΔE_(A)=0.3042 eV。 展开更多
关键词 晶体生长 CsPbBr_(3)单晶 垂直布里奇曼法 变温霍尔 散射机制
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极化调控PIN-PMN-PT铁电单晶压电性能的均匀性
6
作者 梁敏 熊瑞彬 +5 位作者 陈淑丽 王祖建 苏榕冰 苏彬 刘颖 何超 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第6期953-958,共6页
弛豫铁电单晶具有优异的压电性能,在医学超声换能器、水声器件等领域有重要应用。坩埚下降法生长的弛豫铁电单晶不可避免地存在组分偏析,导致材料利用率极低。本工作测试了0.24PIN-0.46PMN-0.30PT铁电单晶沿生长方向压电系数(d_(33))和... 弛豫铁电单晶具有优异的压电性能,在医学超声换能器、水声器件等领域有重要应用。坩埚下降法生长的弛豫铁电单晶不可避免地存在组分偏析,导致材料利用率极低。本工作测试了0.24PIN-0.46PMN-0.30PT铁电单晶沿生长方向压电系数(d_(33))和介电常数(ε_(33)^(T)/ε_(0))的变化,结果显示d_(33)和ε_(33)^(T)/ε_(0)沿着生长方向变化极大,能保持性能接近的区域不足20 mm。通过针对不同区域的极化设计,对铁电-铁电相变温度接近的区域进行极化调控,使超过60%晶体部分的d_(33)和ε_(33)^(T)/ε_(0)分别维持在(1500±140)pC·N-1和4900±350。为了验证极化调控后的晶体谐振区域是否一致,测试了两端区域的k_(33)振子的谐振谱,结果显示两者的机电耦合系数接近,谐振和反谐振的峰位置也接近,而且不存在额外的寄生振动,说明采用极化调控PIN-PMN-PT铁电单晶沿生长方向的均匀性是可行的。本工作为提高PIN-PMN-PT铁电单晶的利用率提供了一种参考方案。 展开更多
关键词 PIN-PMN-PT 铁电单晶 极化调控 组分分凝 压电系数
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铌酸锂导电畴壁及其应用 被引量：1
7
作者 张煜晨 李三兵 +1 位作者 许京军 张国权 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期395-409,共15页
铌酸锂(LiNbO3,LN)是一种多功能的单轴铁电材料,广泛应用于光学调制器、光学频率梳、光波导等领域。导电畴壁(DW)作为镶嵌在绝缘材料中纳米尺度的导电通道,在非易失性存储器、逻辑门、晶体管等领域展现出重要的应用前景,促进了铌酸锂在... 铌酸锂(LiNbO3,LN)是一种多功能的单轴铁电材料,广泛应用于光学调制器、光学频率梳、光波导等领域。导电畴壁(DW)作为镶嵌在绝缘材料中纳米尺度的导电通道,在非易失性存储器、逻辑门、晶体管等领域展现出重要的应用前景,促进了铌酸锂在纳米光电子学领域的应用。绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)畴壁p-n结的实现有望进一步促进铌酸锂基光电一体化芯片的发展进程。本文简要回顾了铌酸锂导电畴壁的研究进展,介绍了畴壁的制备、导电机制、导电类型和畴壁的应用,重点介绍了铌酸锂畴壁p-n结的研究,进一步结合应用热点概述了铌酸锂畴壁光电子器件开发进程中的关键问题、机遇和挑战。 展开更多
关键词 铌酸锂 导电畴壁 P-N结 薄膜 铁电 纳米光电子学
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极性晶体电气石颗粒的电极性观察 被引量：49
8
作者 冀志江 金宗哲 +2 位作者 梁金生 王静 颜学武 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期503-508,共6页
利用扫描电子显微镜 (SEM)、电子探针 (EPA)、浮选烘干等手段研究了黑色电气石粉体的带电性质。从电气石粉体的扫描电镜照片中发现 ,电气石颗粒间存在吸引与排斥 ;在电子探针研究中 ,首次直接观察到了电气石颗粒的自发极化产生的电极性... 利用扫描电子显微镜 (SEM)、电子探针 (EPA)、浮选烘干等手段研究了黑色电气石粉体的带电性质。从电气石粉体的扫描电镜照片中发现 ,电气石颗粒间存在吸引与排斥 ;在电子探针研究中 ,首次直接观察到了电气石颗粒的自发极化产生的电极性。电子束轰击电气石微米颗粒后的显微照片中 ,轰击区域呈现半明半暗形貌 ,这种形貌反映了电气石颗粒自发极化的存在。并讨论了电气石颗粒表面电场。 展开更多
关键词 极性晶体 电气石 颗粒 电极性 自发极化 电偶极子
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近化学计量比掺镁铌酸锂晶体周期极化特性研究 被引量：8
9
作者 姚江宏 陈亚辉 +3 位作者 邓浩亮 陈绍林 许京军 张光寅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期35-39,共5页
采用汽相输运平衡技术制备出了高质量近化学计量比掺镁铌酸锂晶体 ,系统研究了晶体中的 [Li]/ [Nb]比含量对其畴极化电场的影响 .实验结果表明 :随着晶体中 [Li]/ [Nb]比的提高 ,畴极化反转电场呈明显下降趋势 ,使用近化学计量比掺镁铌... 采用汽相输运平衡技术制备出了高质量近化学计量比掺镁铌酸锂晶体 ,系统研究了晶体中的 [Li]/ [Nb]比含量对其畴极化电场的影响 .实验结果表明 :随着晶体中 [Li]/ [Nb]比的提高 ,畴极化反转电场呈明显下降趋势 ,使用近化学计量比掺镁铌酸锂晶体 ,我们在 3.5± 0 .1kV/mm大小的外加极化电场条件下 ,成功地实现了 1.0mm厚度的周期极化畴反转 .我们用铌酸锂晶体的缺陷模型对实验结果给出了合理的解释 . 展开更多
关键词 近化学计量比 掺镁 铌酸锂晶体 周期极化 准相位匹配 畴反转 光电性能 铁电晶体
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弛豫型铁电体PZNT制备与性能研究的进展 被引量：10
10
作者 许桂生 罗豪 +2 位作者 齐振一 徐海清 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-11,共11页
本文综述了近年来国际上弛豫型铁电体PZNT的制备与介电、压电及电致伸缩性能研究的进展．PZNT单晶体的制备方法以高温PbO熔剂法为主，其尺寸已达40mm．随PT含量的变化，PZNT的顺电一铁电相交由弥散性、混合型变为一级相变；其铁电-铁电... 本文综述了近年来国际上弛豫型铁电体PZNT的制备与介电、压电及电致伸缩性能研究的进展．PZNT单晶体的制备方法以高温PbO熔剂法为主，其尺寸已达40mm．随PT含量的变化，PZNT的顺电一铁电相交由弥散性、混合型变为一级相变；其铁电-铁电相变可由组份或电场诱导，由介电性能表征．压电性能在MPB处及偏向三方相一侧达到最佳，＜001＞切向的三方相与四方相单晶可分别作为频带宽、分辨率高、且阻抗匹配好的新一代声阵列与单个器件传感器．＜001＞向的PZNT单晶具有巨大的电致伸缩应变，可望成为高性能的固体驱动器． 展开更多
关键词 PZNT 单晶 压电性 电致伸缩应变 铁电体 驰豫型
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压电双晶片执行器驱动位移模型研究 被引量：15
11
作者 李东明 孙宝元 +1 位作者 董维杰 张化岚 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第17期1499-1501,共3页
通过对压电双晶片执行器的受力分析 ,推导出弹性梁双面对称粘贴和单面粘贴压电片驱动位移模型的计算公式。通过计算机数值模拟 ,分析了弹性梁厚度及材料特性对驱动位移的影响。实验研究证明了所建模型的正确性 ,为双晶片结构中压电片和... 通过对压电双晶片执行器的受力分析 ,推导出弹性梁双面对称粘贴和单面粘贴压电片驱动位移模型的计算公式。通过计算机数值模拟 ,分析了弹性梁厚度及材料特性对驱动位移的影响。实验研究证明了所建模型的正确性 ,为双晶片结构中压电片和弹性梁的选择提供了理论依据。 展开更多
关键词 压电双晶片执行器 位移模型 弹性梁 数值模拟
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不同淀积温度多晶硅纳米薄膜的压阻特性 被引量：8
12
作者 揣荣岩 刘晓为 +2 位作者 潘慧艳 王蔚 张颍 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1810-1814,共5页
重掺杂多晶硅纳米薄膜具有较大的应变系数和良好的温度特性,是制作力学量传感器的理想压阻材料.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻特性,就淀积温度对低压化学气相淀积多晶硅纳米薄膜的压阻特性的影响进行了实验研究.在扫描电镜观测和X射线衍... 重掺杂多晶硅纳米薄膜具有较大的应变系数和良好的温度特性,是制作力学量传感器的理想压阻材料.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻特性,就淀积温度对低压化学气相淀积多晶硅纳米薄膜的压阻特性的影响进行了实验研究.在扫描电镜观测和X射线衍射实验基础上,利用隧道压阻模型分析了薄膜结构和压阻特性的关系.结果表明薄膜结构对应变系数的影响非常显著,但对应变系数的温度特性影响却很小.综合淀积温度对压阻特性和电导特性的影响,多晶硅纳米薄膜的最佳淀积温度在620℃左右. 展开更多
关键词 多晶硅 纳米薄膜 压阻特性 淀积温度 应变系数
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对电泳液中颜料粒子运动性能的研究 被引量：5
13
作者 张延芬 滕枫 +3 位作者 徐征 段晓霞 梁春军 邴秀华 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期302-306,共5页
详细介绍了胶体悬浮液作为一种显示用电泳液时的电学性能,分析了电泳颗粒的运动特征;针对目前有些文献中提到的介电泳现象以及利用介电泳现象制成的无源矩阵驱动方式,从理论角度进行了分析。指出介电泳现象在理论上确实存在,但是绝大多... 详细介绍了胶体悬浮液作为一种显示用电泳液时的电学性能,分析了电泳颗粒的运动特征;针对目前有些文献中提到的介电泳现象以及利用介电泳现象制成的无源矩阵驱动方式,从理论角度进行了分析。指出介电泳现象在理论上确实存在,但是绝大多数的电泳液在显示时介电泳现象都很微弱,很难实现廉价、大面积的无源矩阵驱动;最后以一种电泳液为例测试了其反射谱,从实验角度验证了此结论,并给出了最佳的驱动参数。 展开更多
关键词 电泳 大面积 实验 分析 角度 文献 验证 无源矩阵 反射谱 驱动
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石英晶体谐振器电参模型及其对测量精度的影响 被引量：21
14
作者 李东 刘桂礼 赵双琦 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1999年第6期781-784,共4页
使用通用的阻抗计法测量石英晶体谐振器的谐振频率和其它电参数，由于分布参数的存在，其实际电参数模型不同于理论模型，这种差别是造成测量误差的主要原因之一，分析两模型间的差别及其对测量结果影响的函数关系，并据此采用改进的测... 使用通用的阻抗计法测量石英晶体谐振器的谐振频率和其它电参数，由于分布参数的存在，其实际电参数模型不同于理论模型，这种差别是造成测量误差的主要原因之一，分析两模型间的差别及其对测量结果影响的函数关系，并据此采用改进的测量方法。 展开更多
关键词 阻抗计 石英晶体谐振器 电参模型 测量精度
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电气石微粒的自迁移研究 被引量：6
15
作者 丁燕 梁金生 +3 位作者 冯艳文 孟军平 王静 冀志江 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期428-431,共4页
用扫描电子显微分析手段研究电气石微粒的运动行为、影响因素 ,为评价电气石自发电极性提供新方法。结果表明 ,在SEM下用二次电子 (SE)电子束轰击电气石微粒 ,电气石微粒产生自迁移现象 ,迁移距离与自发极化强度、微粒粒径、极性轴方向... 用扫描电子显微分析手段研究电气石微粒的运动行为、影响因素 ,为评价电气石自发电极性提供新方法。结果表明 ,在SEM下用二次电子 (SE)电子束轰击电气石微粒 ,电气石微粒产生自迁移现象 ,迁移距离与自发极化强度、微粒粒径、极性轴方向等因素密切相关。提出通过测量自迁移距离评价电气石电极性强弱的新方法。 展开更多
关键词 矿物材料 粉体 电气石 自迁移现象 二次电子 SE 天然硅酸盐矿物 静电场
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高性能铌镁酸铅-钛酸铅定向压电陶瓷的研究 被引量：8
16
作者 王评初 孙士文 +5 位作者 潘晓明 朱丽慧 李东林 温保松 黄清伟 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1195-1198,共4页
用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0.70Pb(Mg1/3Nb2/3)03-0.30PbTiO3高性能定向压电陶瓷.该陶瓷[112]方向的取向度约为35％,准静态压电常数d33约为1500-1600pC/N,耦合系数kt-0.51,k33-0.82,22kV/cm时的场致应变约为0.23％.
关键词 定向陶瓷 PMN—PT 介电和压电性能
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四方相铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)铁电单晶的弹性、介电、压电和机电性能 被引量：7
17
作者 曹虎 方必军 +1 位作者 徐海清 罗豪甦 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期465-469,共5页
研究了四方相弛豫铁电单晶Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-38％PbTiO3(PMNT62/38)的介温特性,并利用HP4192A阻抗分析仪测量了PMNT62/38单晶完整的一套弹性、介电、压电和机电耦合系数,为理论研究和器件设计提供了参考,其居里点Tc～174℃;压电应变常量... 研究了四方相弛豫铁电单晶Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-38％PbTiO3(PMNT62/38)的介温特性,并利用HP4192A阻抗分析仪测量了PMNT62/38单晶完整的一套弹性、介电、压电和机电耦合系数,为理论研究和器件设计提供了参考,其居里点Tc～174℃;压电应变常量d33～300pC/N;介电常数C33～734,ε11～4301;机电耦合因数k33～84.6％,kt～60.8％,k31～44.5％,k15～45.9％. 展开更多
关键词 PMN-PT单晶 弹性 介电 压电和机电耦合系数 谐振-反谐振法
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双掺杂Zn,Fe:LiNbO_3晶体的二波耦合效应的研究 被引量：8
18
作者 李铭华 刘彩霞 +1 位作者 徐玉恒 孙尚文 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第4期262-264,281,共4页
在固液同成分ＬｉＮｂＯ３中，同时掺入６％ＺｎＯ（摩尔比）和０．０５％Ｆｅ２Ｏ３（摩尔比），用提拉法生长了双掺杂Ｚｎ，Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体，这是一种性能优良的光折变晶体材料。文章用二波耦合技术研究了晶体的耦合增益和衍... 在固液同成分ＬｉＮｂＯ３中，同时掺入６％ＺｎＯ（摩尔比）和０．０５％Ｆｅ２Ｏ３（摩尔比），用提拉法生长了双掺杂Ｚｎ，Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体，这是一种性能优良的光折变晶体材料。文章用二波耦合技术研究了晶体的耦合增益和衍射效率，Ｚｎ，Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３的光致折射率变化值达１０－５，且响应速度达到秒量级，这是双掺Ｚｎ、Ｆｅ两种杂质共同作用的结果。 展开更多
关键词 二波耦合 增益系数 衍射效率 光折变晶体 晶体
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机电耦合大于等于二次感生效应探析 被引量：10
19
作者 孙宝元 钱敏 张军 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期268-273,共6页
提出晶体四维状态效应新模型．重点分析了机电耦合效应与电磁效应的相似性．从而提出机电耦合二次、三次…感生效应的概念，以压电效应为例，从定性与定量两方面分析其变化规律，并通过静态下的实验给予证明．机电耦合大于等于二次感生... 提出晶体四维状态效应新模型．重点分析了机电耦合效应与电磁效应的相似性．从而提出机电耦合二次、三次…感生效应的概念，以压电效应为例，从定性与定量两方面分析其变化规律，并通过静态下的实验给予证明．机电耦合大于等于二次感生效应的存在与应用，对研究与开发新型可逆变换型传感器、实现传感器与执行器集成化与－体化均具有理论指导意义． 展开更多
关键词 晶体 传感器 机电耦合 感生效应 电磁效应
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高温高压下Z轴水晶的电导率实验研究 被引量：6
20
作者 代立东 李和平 +2 位作者 单双明 杨昌君 刘庆友 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期403-407,共5页
电导率测量的过程历经了从直流交流阻抗谱的过程,已经为地球物理学家借助于高温高压手段研究固体深部物质电学性质所广泛认同的。本文首先介绍了阻抗谱法测定水晶电导率的实验原理,进而采用该方法在10-1～106Hz的频率范围以及1.0～4.0GP... 电导率测量的过程历经了从直流交流阻抗谱的过程,已经为地球物理学家借助于高温高压手段研究固体深部物质电学性质所广泛认同的。本文首先介绍了阻抗谱法测定水晶电导率的实验原理,进而采用该方法在10-1～106Hz的频率范围以及1.0～4.0GPa和823～1073K条件下,借助于YJ 3000t紧装式六面顶高压设备对沿Z轴方向生长的水晶进行了的电导率实验就位测量。实验结果表明:在选择的频率范围,样品的复阻抗的模和相角都对频率具有很强的依赖性;随着温度的升高,电阻迅速降低,电阻率降低,电导率增大;在压力1.0～4.0GPa,其活化焓分别为:0.8548eV、0.8320eV、0.8172eV、0.7834eV,独立于温度的指前因子分别为:1.003S/m、1.778S/m、3.082S/ m、6.987S/m,活化焓随着压力的升高而降低,指前因子随着压力的升高而增大。 展开更多
关键词 水晶 高温高压 阻抗谱 活化焓 指前因子
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