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深紫外KBBF薄片晶体的连续波激光倍频器设计
1
作者 王晓洋 刘丽娟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第10期1732-1739,共8页
深紫外激光(波长<200nm)在光刻、角分辨光电子能谱、激光精密加工等前沿领域具有不可替代的应用价值。为实现实用化、高精度的深紫外激光输出,基于非线性光学晶体的多级倍频技术已成为最具可行性的方案,其极限性能由终端深紫外倍频... 深紫外激光(波长<200nm)在光刻、角分辨光电子能谱、激光精密加工等前沿领域具有不可替代的应用价值。为实现实用化、高精度的深紫外激光输出,基于非线性光学晶体的多级倍频技术已成为最具可行性的方案,其极限性能由终端深紫外倍频晶体决定。然而,目前见诸报道的深紫外非线性晶体仅有KBBF(KBe_(2)BO_(3)F_(2))和RBBF(RbBe_(2)BO_(3)F_(2))两种,且二者均受层状生长习性限制,仅能获得毫米级厚度的薄片状晶体。针对薄片状非线性光学晶体制作倍频器件的技术挑战,传统解决方案采用在晶体两面光胶两个异质材料棱镜的耦合技术。但该方案存在固有缺陷,形成的两个异质界面引入了额外光损耗,也成为激光损伤的薄弱环节,使器件的损伤阈值比晶体下降超过一个数量级。本研究创新性地提出布儒斯特角的特殊切割方法,可在保证相位匹配的前提下,使晶体获得最大有效通光长度。这种无棱镜的倍频器件摒弃了异质棱镜结构,充分发挥非线性晶体本征的高损伤阈值特性,提高了倍频器件的总透过率,为实现高功率/连续波深紫外激光输出提供了新途径。 展开更多
关键词 非线性光学晶体 深紫外 KBBF晶体 连续波激光 倍频器件 布儒斯特切割 薄片晶体
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HVPE法同质外延氧化镓厚膜技术研究 被引量：1
2
作者 董增印 王英民 +4 位作者 张嵩 李贺 孙科伟 程红娟 刘超 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期227-232,共6页
卤化物气相外延(HVPE)法因生长速度快、掺杂可控等优势主要被用于生长β-Ga_(2)O_(3)同质外延片。本文采用垂直结构的HVPE设备进行β-Ga_(2)O_(3)厚膜的同质外延,探究了不同生长压力对β-Ga_(2)O_(3)的生长速度和外延质量的影响。研究发... 卤化物气相外延(HVPE)法因生长速度快、掺杂可控等优势主要被用于生长β-Ga_(2)O_(3)同质外延片。本文采用垂直结构的HVPE设备进行β-Ga_(2)O_(3)厚膜的同质外延,探究了不同生长压力对β-Ga_(2)O_(3)的生长速度和外延质量的影响。研究发现,在生长相同厚度β-Ga_(2)O_(3)外延膜时,降低生长压力虽然使生长速度有所降低,但更容易获得生长条纹连贯的、高结晶质量的β-Ga_(2)O_(3)厚膜。分析了外延膜中非故意掺杂的氮杂质来源,排除了氮气分解的可能性,通过调控Ⅵ/Ⅲ比,即提升氧气分压,能够有效降低β-Ga_(2)O_(3)外延膜中的氮杂质浓度,从8×10^(16) cm^(-3)降低至1×10^(16) cm^(-3)。最终,采用优化后的外延工艺,制备出高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)HVPE β-Ga_(2)O_(3)外延片,膜厚和载流子浓度分别是15.8μm和1.5×10^(16) cm^(-3),两者的不均匀性分别是3.6%和7.6%。 展开更多
关键词 卤化物气相外延 β-Ga_(2)O_(3) 同质外延 生长压力 氮杂质 Ⅵ/Ⅲ比
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Er^(3+)/Yb^(3+)双掺ScLuSi_(2)O_(7)混晶:高性能1.55μm波段激光晶体的构建及性能研究
3
作者 龚兴红 陈雨金 +2 位作者 黄建华 林炎富 黄艺东 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第10期1796-1810,共15页
人眼安全1.55μm波段激光在光通信、激光雷达等领域具有重要应用。本研究采用理论模拟与实验相结合的方法,对1.55μm激光晶体Er∶Yb∶ScLuSi_(2)O_(7)的构建及性能进行了深入研究。首先,对ScLuSi_(2)O_(7)晶体的光学、力学和热学性能进... 人眼安全1.55μm波段激光在光通信、激光雷达等领域具有重要应用。本研究采用理论模拟与实验相结合的方法,对1.55μm激光晶体Er∶Yb∶ScLuSi_(2)O_(7)的构建及性能进行了深入研究。首先,对ScLuSi_(2)O_(7)晶体的光学、力学和热学性能进行理论模拟,分析其结构组成与性能的关系。计算得到ScLuSi_(2)O_(7)晶体折射率温度系数为4.11×10^(-6) K^(-1)。同时,计算了ScLuSi_(2)O_(7)晶体的弹性刚度系数,并基于Voigt-Reuss-Hill近似,得到了该晶体的热力学参数,包括德拜温度(约为554 K)、比热容(0.61 J·g^(-1)·K^(-1)@300 K)和平均热导率(8.6 W m^(-1)·K^(-1)@300 K)。在实验部分,通过提拉法生长Er∶Yb∶ScLuSi_(2)O_(7)单晶,并研究其作为1.55μm激光增益介质的光谱特性。采用975.4 nm激光二极管对该晶体进行端面泵浦,获得最高功率为1.06 W和斜率效率为13.53%的1.55μm波段连续激光输出。 展开更多
关键词 Er∶Yb∶ScLuSi_(2)O_(7) 激光晶体 理论模拟 热力学参数 提拉法 1.55µm波段激光
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压强及W含量对Mo-W固溶体力学性能参数影响的第一性原理计算研究
4
作者 周少兰 李忠盛 +3 位作者 丛大龙 冉旭东 韦禹 陈汉宾 《功能材料》 北大核心 2025年第2期2110-2119,共10页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过虚拟晶体近似构建Mo-x%W(x=0~100,10为步长)模型,计算0、10、20、30 GPa下Mo-W合金的弹性常数、体积模量、剪切模量、弹性模量、泊松比以及态密度等性质参数,研究结果表明:随着压强的增加,Mo-... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过虚拟晶体近似构建Mo-x%W(x=0~100,10为步长)模型,计算0、10、20、30 GPa下Mo-W合金的弹性常数、体积模量、剪切模量、弹性模量、泊松比以及态密度等性质参数,研究结果表明:随着压强的增加,Mo-W合金的晶格常数降低,而晶格常数随W含量呈线性增加;在0~30 GPa内,Mo-W合金保持力学稳定,同时Mo-W合金的弹性常数、弹性模量均随压强的增加而增加。随着W含量的增加,Mo-W合金的体模量呈递增趋势,而剪切模量和弹性模量则先增加后降低再增加,Mo-W合金韧性整体呈降低的趋势;当W含量在30%~40%时,Mo-W合金硬度最高,耐磨性最好。 展开更多
关键词 第一性原理 虚拟晶体近似 Mo-W合金力学性质
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CdTe钝化层质量对碲镉汞界面电学特性的影响
5
作者 王娇 戴永喜 +4 位作者 李浩冉 刘世光 刘兴新 范叶霞 吴卿 《激光与红外》 北大核心 2025年第7期1059-1064,共6页
本文通过对高结晶性CdTe钝化层的生长条件进行优化,调控薄膜致密性,利用SEM和椭偏仪等表征手段对钝化层的表面形貌、微观结构和光学性能进行深入分析,获得薄膜最佳致密性生长条件;通过结合C-V、I-V表征手段,对不同致密性的CdTe薄膜与HgC... 本文通过对高结晶性CdTe钝化层的生长条件进行优化,调控薄膜致密性,利用SEM和椭偏仪等表征手段对钝化层的表面形貌、微观结构和光学性能进行深入分析,获得薄膜最佳致密性生长条件;通过结合C-V、I-V表征手段,对不同致密性的CdTe薄膜与HgCdTe之间的界面电学性质及其对光电二极管性能的影响进行系统研究。结果表明,在溅射功率200 W时,获得CdTe钝化层致密性最佳,能对钝化层与HgCdTe界面电学特性有效改善。此功率制备的MIS器件具有更低的界面固定电荷密度1.21×10^(11)cm^(-2)和慢界面态密度1.26×10^(11)cm^(-2),且以此功率制备的二极管器件可以有效抑制器件表面漏电现象。 展开更多
关键词 CDTE薄膜 溅射功率 微观结构 致密性 C-V I-V
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Zn离子掺杂γ-CuI晶体的生长及闪烁性能的研究
6
作者 陈灿 胡祎哲 +2 位作者 张智瑾 潘建国 潘尚可 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1558-1565,共8页
本文采用重结晶法和区域熔炼法提纯γ-CuI原料,使用坩埚下降法生长出了不同Zn离子浓度掺杂的γ-CuI单晶,并对其晶体结构、光致发光、X射线激发发射光谱和荧光寿命进行了详细研究。XRD和SEM测试结果表明,所合成的样品为高纯的γ-CuI,Zn... 本文采用重结晶法和区域熔炼法提纯γ-CuI原料,使用坩埚下降法生长出了不同Zn离子浓度掺杂的γ-CuI单晶,并对其晶体结构、光致发光、X射线激发发射光谱和荧光寿命进行了详细研究。XRD和SEM测试结果表明,所合成的样品为高纯的γ-CuI,Zn离子能掺入γ-CuI单晶中。光致发光光谱和X射线激发光谱结果表明,Zn离子掺杂后自由激子和Cu+空位的发射得到增强,深能级发射被抑制。在Zn离子掺杂浓度为5%时,Cu_(0.95)I:Zn_(0.05)晶体的荧光寿命为0.36 ns,明显优于γ-CuI的0.62 ns。 展开更多
关键词 γ-CuI晶体 Zn离子掺杂 重结晶提纯 区域熔炼法 坩埚下降法 超快衰减时间
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基于第一性原理计算的二氧化钛掺杂物理化学性质迁移研究
7
作者 胡殿赫 覃星添 +2 位作者 秦利明 吴朝军 陈业红 《中国造纸》 北大核心 2025年第5期120-130,共11页
本研究基于第一性原理的计算研究掺杂引起的二氧化钛晶体性能漂移的内在机理;从原子尺度,利用密度泛函理论(DFT),使用Material Studio(MS)中的CASTEP程序,计算了C、N、Fe、Ni、Cu、Ag、La和Ce 8种元素掺杂下二氧化钛体系的电子和光学特... 本研究基于第一性原理的计算研究掺杂引起的二氧化钛晶体性能漂移的内在机理;从原子尺度,利用密度泛函理论(DFT),使用Material Studio(MS)中的CASTEP程序,计算了C、N、Fe、Ni、Cu、Ag、La和Ce 8种元素掺杂下二氧化钛体系的电子和光学特性,得到了不同晶型体系的能带、态密度、介电函数和光学特性的理论数据。计算结果显示,所有掺杂体系较未掺杂体系均有禁带宽度减小的现象发生,表现为吸收光谱中近紫外乃至自然光区吸收强度的提高。通过对比未掺杂和掺杂体系的不同计算视图和数据发现,杂质元素C掺入后具有最明显的效果,掺杂体系表现出最低的带隙值,且可见光区吸收强度的提升最明显;Fe掺入后导致费米能级附近电子态密度大幅提高,体系中Fe的贡献高于Ti或O的贡献;稀土金属La、Ce的掺杂量在12.5%时表现不突出。 展开更多
关键词 密度泛函理论 二氧化钛 掺杂
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MBE同质外延生长Sn掺杂β-Ga_(2)O_(3)(010)薄膜的电子输运性质研究 被引量：1
8
作者 张子琦 杨珍妮 +5 位作者 况思良 魏盛龙 徐文静 陈端阳 齐红基 张洪良 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期244-254,共11页
本文研究了利用分子束外延技术生长的非故意掺杂(UID)和锡掺杂的β-Ga_(2)O_(3)同质外延薄膜的电子输运性质。薄膜载流子浓度范围为3.2×10^(16)至2.9×10^(19) cm^(-3),载流子浓度为3.2×10^(16) cm^(-3)的非故意掺杂薄膜... 本文研究了利用分子束外延技术生长的非故意掺杂(UID)和锡掺杂的β-Ga_(2)O_(3)同质外延薄膜的电子输运性质。薄膜载流子浓度范围为3.2×10^(16)至2.9×10^(19) cm^(-3),载流子浓度为3.2×10^(16) cm^(-3)的非故意掺杂薄膜显示出优异的室温迁移率,为125 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),在80 K时的峰值迁移率为875 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),达到了当前MBE生长的Ga_(2)O_(3)薄膜的先进水平。利用温度相关霍尔测试表征同质外延薄膜的电子输运性质,计算得到锡掺杂剂的激活能为76.2 meV。通过散射模型的拟合计算,分析了这一系列同质外延薄膜的电子散射性质,在低温到高温过程中,来自本征缺陷的电离杂质散射及晶体中阴阳离子库仑力的极性光学声子(POP)散射限制了迁移率的增长。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 外延薄膜 掺杂 激活能 迁移率 输运性质
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晶体之美艺术照片——蓝宝石光纤
9
作者 贾志泰 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期F0004-F0004,共1页
蓝宝石光纤是“准一维”蓝宝石晶体,结合了体块蓝宝石单晶优异的物理和化学特性,同时兼具了常规光纤材料大长径比的结构优势,在高能激光、高温传感、辐射探测等领域展现出巨大的应用潜力。图中所示为山东大学晶体材料全国重点实验室所... 蓝宝石光纤是“准一维”蓝宝石晶体,结合了体块蓝宝石单晶优异的物理和化学特性,同时兼具了常规光纤材料大长径比的结构优势,在高能激光、高温传感、辐射探测等领域展现出巨大的应用潜力。图中所示为山东大学晶体材料全国重点实验室所制备的大长径比蓝宝石光纤,最小直径~16μm,最大长度超过50 m。蓝宝石光纤束在黑暗中绽放的璀璨光芒,宛如银河倾泻,不仅展现了现代科技的力量,还巧妙融合了自然之美,形成了一种科技与自然和谐共生的独特景观。 展开更多
关键词 高温传感 高能激光 晶体材料 蓝宝石光纤 辐射探测
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基于分子动力学的GaN纳米加工中位错演化机制
10
作者 倪自丰 范强 +4 位作者 陈国美 刘明 陈国华 钱善华 卞达 《中国材料进展》 北大核心 2025年第6期552-560,共9页
GaN晶体广泛应用于新能源汽车、航空航天和军事等领域,但硬脆性限制了其加工效率。研究精密加工中不同形状压头对材料破坏损伤的影响是实现GaN高效韧性去除的关键。采用分子动力学对GaN晶体Ga面的压入和划入过程进行模拟,分析了球形压... GaN晶体广泛应用于新能源汽车、航空航天和军事等领域,但硬脆性限制了其加工效率。研究精密加工中不同形状压头对材料破坏损伤的影响是实现GaN高效韧性去除的关键。采用分子动力学对GaN晶体Ga面的压入和划入过程进行模拟,分析了球形压头以及不同朝向的Berkovich压头对原子堆积和滑移以及刃位错分布和演变规律的影响。在压入过程中,位错主要分布于压头与材料接触边界的外围;对于球形压头,Ga面上的原子滑移主要沿着<11-20>晶向族的6个方向;对于Berkovich压头,尖锐棱边能有效抑制该方向原子的滑移和位错扩展,当压头一尖锐棱边朝向[11-20]晶向时,原子滑移以及位错现象减少,原子滑移和堆积主要出现在垂直于压头3个侧面的方向上。在划入过程中,刃位错主要经历了滑移产生、扩展成型和破坏重组3个过程。球形压头划入后产生的位错最多,Berkovich压头尖角朝前划入后产生的位错适中,且亚表层非晶形变区域均匀,原子堆积少。 展开更多
关键词 GAN 分子动力学 压入 划入 位错
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基于KTiOPO_(4)晶体的2μm波段光参量振荡器
11
作者 王柯君 孙可 +4 位作者 孔辉 马云凡 徐海萍 邹杰瑞 李晓霞 《激光与红外》 北大核心 2025年第8期1184-1189,共6页
通过1064 nm激光泵浦KTiOPO_(4)晶体(51.3°,0°)和光参量振荡技术获得了2μm波段的可调谐激光,波长调谐范围为1.86~2.48μm,输出能量达到18.76 mJ。利用该方案产生的2μm波段激光,具有全固化、宽调谐、高能量、高调谐分辨率和... 通过1064 nm激光泵浦KTiOPO_(4)晶体(51.3°,0°)和光参量振荡技术获得了2μm波段的可调谐激光,波长调谐范围为1.86~2.48μm,输出能量达到18.76 mJ。利用该方案产生的2μm波段激光,具有全固化、宽调谐、高能量、高调谐分辨率和高光束质量等优势,并可为产生中远红外激光提供泵浦源,在光电对抗领域具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 可调谐激光 KTiOPO_(4) B073 光参量振荡技术 宽调谐
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碲锌镉晶锭退火实验研究
12
作者 范叶霞 刘江高 +4 位作者 曹聪 李振兴 马启司 周振奇 张立超 《激光与红外》 北大核心 2025年第9期1427-1433,共7页
针对高性能碲镉汞探测器对碲锌镉衬底性能需求的不断提升,采用高温-真空退火方式对碲锌镉晶锭进行异位退火改性研究。结果发现,经过高温-真空退火处理的晶体中的第二相夹杂得到极大地改善,第二相夹杂尺寸和数量均减小,可实现大于5μm的... 针对高性能碲镉汞探测器对碲锌镉衬底性能需求的不断提升,采用高温-真空退火方式对碲锌镉晶锭进行异位退火改性研究。结果发现,经过高温-真空退火处理的晶体中的第二相夹杂得到极大地改善,第二相夹杂尺寸和数量均减小,可实现大于5μm的第二相夹杂的去除,夹杂密度小于1×10^(3)cm^(-2);Zn组分分布均匀性得到明显地改善,特别是组分异常线情况的改善,退火后晶片中无圆弧状组分异常线出现;通过退火分压的调节,可实现晶体中Zn组分可调和Zn值的组分均匀分布,成分标准偏差可控制在0001~0002范围内,此参数可与定向生长的Zn值分布均匀性相媲美。但不同退火工艺对碲锌镉晶体的红外透过率存在影响,会导致长波波段红外透过率下降,不能满足长波和甚长波红外探测器对衬底的要求,通过退火技术二次改进,最终实现了25~25μm全波段红外透过率≥65,同时夹杂尺寸和密度未发生明显改变。 展开更多
关键词 碲锌镉晶锭 退火技术 异位 性能改进
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声子晶体研究概述 被引量：53
13
作者 温激鸿 韩小云 +2 位作者 王刚 赵宏刚 刘耀宗 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期364-367,共4页
　声子晶体是一种新型的声学功能材料,对声子晶体的研究引起了各国研究机构的极大关注。文章介绍了声子晶体的概念及基本特征,阐述了声子晶体禁带机理及声子晶体的各种潜在应用领域,最后对声子晶体的研究发展作了展望。
关键词 声子晶体 声学功能材料 禁带机理 弹性波禁带 减振降噪
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纳米晶钛酸钡的Sol-gel法制备及其尺寸效应 被引量：22
14
作者 郭惠芬 张兴堂 +3 位作者 刘兵 李蕴才 黄亚彬 杜祖亮 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第2期164-168,共5页
采用sol-gel法制备了不同粒径的钛酸钡(BT)纳米晶粉.XRD、Raman光谱和DSC测试结果显示,随着退火温度的升高,晶粒长大,晶胞的a轴逐渐减小,c轴逐渐增大.粒径在54nm左右时,钛酸钡由顺电立方相向铁电四方相结构转变,在立方-四方相变过程中,... 采用sol-gel法制备了不同粒径的钛酸钡(BT)纳米晶粉.XRD、Raman光谱和DSC测试结果显示,随着退火温度的升高,晶粒长大,晶胞的a轴逐渐减小,c轴逐渐增大.粒径在54nm左右时,钛酸钡由顺电立方相向铁电四方相结构转变,在立方-四方相变过程中,晶胞略微膨胀.随着粒径的减小,正交-四方相变温度升高,四方-立方相变温度降低,Raman谱峰降低和宽化,粒径为38nm左右时四方相的特征峰消失. 展开更多
关键词 纳米晶钛酸钡 SOL-GEL法 制备 尺寸效应 相变 铁电性 晶胞参数
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基于散射单元的声子晶体振动带隙研究 被引量：15
15
作者 温激鸿 刘耀宗 +2 位作者 郁殿龙 王刚 赵宏刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期358-362,共5页
硬质芯体及其包覆层构成的复合结构称为散射单元 ,散射单元按照特定的排列方式可以构成声子晶体。文章采用有限元方法分别计算了立方散射单元构成的一维声子晶体及简单立方结构三维声子晶体的振动特性 ,结果表明 ,两种声子晶体的振动带... 硬质芯体及其包覆层构成的复合结构称为散射单元 ,散射单元按照特定的排列方式可以构成声子晶体。文章采用有限元方法分别计算了立方散射单元构成的一维声子晶体及简单立方结构三维声子晶体的振动特性 ,结果表明 ,两种声子晶体的振动带隙有较好的一致性 ,因此 ,对三维声子晶体振动带隙的研究可以简化为对一维声子晶体振动带隙的研究。叠加层数、芯体材料对一维声子晶体振动带隙的影响在文中进行了讨论。最后 ,声子晶体的振动特性测试结果验证了文中的结论。 展开更多
关键词 声子晶体 弹性波带隙 振动带隙 芯体材料 半导体 弹性常数
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高掺镁铌酸锂晶体周期极化及倍频特性研究 被引量：8
16
作者 颜博霞 姚江宏 +2 位作者 陈亚辉 许京军 张光寅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期213-216,共4页
研究了掺镁(5mol%)铌酸锂晶体的周期极化特性,发现晶体的极化矫顽场仅为3kV/mm,根据镁掺杂对晶体本征缺陷的影响解释了极化矫顽场降低的原因.采用短脉冲极化电场,对极化电流的热效应进行抑制从而消除了晶体均匀性对制备周期极化光栅的影... 研究了掺镁(5mol%)铌酸锂晶体的周期极化特性,发现晶体的极化矫顽场仅为3kV/mm,根据镁掺杂对晶体本征缺陷的影响解释了极化矫顽场降低的原因.采用短脉冲极化电场,对极化电流的热效应进行抑制从而消除了晶体均匀性对制备周期极化光栅的影响,在1mm厚的掺镁(5mol%)铌酸锂晶体上成功制备出了均匀的周期极化光栅.在室温下,利用1.064μm的Nd:YAG调Q激光器对得到的周期极化掺镁铌酸锂晶体进行了倍频实验,在输入功率为75mW时,得到3.5mW的532nm倍频绿光输出,转换效率为4.6%. 展开更多
关键词 周期极化 掺镁铌酸锂 倍频 晶体性质 准相位匹配
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二维晶体MXene的制备与性能研究进展 被引量：24
17
作者 李正阳 周爱国 +1 位作者 王李波 孙丹丹 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1562-1566,共5页
MXene是一种新型过渡金属碳化物二维晶体,具有和石墨烯类似的结构。化学式为M n+1X n,其中n=1、2、3,M为早期过渡金属元素,X为碳或氮元素。这一类材料可以通过氢氟酸解离层状陶瓷材料MAX相获得,具有优异的力学、电子、磁学等性能。MXen... MXene是一种新型过渡金属碳化物二维晶体,具有和石墨烯类似的结构。化学式为M n+1X n,其中n=1、2、3,M为早期过渡金属元素,X为碳或氮元素。这一类材料可以通过氢氟酸解离层状陶瓷材料MAX相获得,具有优异的力学、电子、磁学等性能。MXene是一种很有前途的新型锂离子电池负极材料,可以用在新型复合材料增强体,可以作为高温润滑材料。这种材料在储能、电子、润滑等领域具有重要的应用价值。本文介绍了该类材料的制备方法、性能、潜在应用及其研究现状。 展开更多
关键词 MXene 二维晶体材料 类石墨烯 过渡金属碳化物
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光子晶体及其制备方法研究进展 被引量：16
18
作者 郭红霞 范吉军 赵晓鹏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期5-8,共4页
　光子晶体是具有光子能带及能隙的一类新型材料,具有奇特的性质和广阔的应用前景。本文简述了光子晶体的主要特征,重点阐述了三维有序结构光子晶体的制作方法,并介绍了调节光子带隙的手段。
关键词 制备 研究进展 光子晶体 光子带隙 三维有序 胶体晶体 蛋白石
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CdSe单晶体的生长及其特性研究 被引量：9
19
作者 邵双运 金应荣 +4 位作者 朱世富 赵北君 宋芳 王学敏 朱兴华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期119-122,共4页
本文报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长富Cd的CdSe单晶体 ,并对晶体的性能进行了观测 ,其电阻率为 10 7Ωcm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,第一次报道了 (110 )面的腐蚀形貌。结果表明 :采用这种方法制备CdSe... 本文报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长富Cd的CdSe单晶体 ,并对晶体的性能进行了观测 ,其电阻率为 10 7Ωcm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,第一次报道了 (110 )面的腐蚀形貌。结果表明 :采用这种方法制备CdSe单晶 ,设备简单 ,易于操作 ,在提纯和生长过程中不需要转移原料 ,有利于减少晶体中的杂质含量 ,降低位错密度 ,改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。 展开更多
关键词 CdSe单晶体 多级提纯 气相生长 电阻率 特性
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卤化镧系LnX_3(Ce)闪烁晶体的研究进展 被引量：18
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作者 谢建军 杨培志 廖晶莹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期522-528,共7页
卤化镧系LnX3(Ce)(Ln=La、Lu、Gd;X=Cl、Br、I)闪烁晶体由于其高发光效率、快衰减和高的能量分辨率等优异性能而在医学成像技术-单光子发射计算机层析扫描(SPECT)和正电子发射层析扫描(PET)中存在巨大的应用前景.本文概述了近年来LnX3(C... 卤化镧系LnX3(Ce)(Ln=La、Lu、Gd;X=Cl、Br、I)闪烁晶体由于其高发光效率、快衰减和高的能量分辨率等优异性能而在医学成像技术-单光子发射计算机层析扫描(SPECT)和正电子发射层析扫描(PET)中存在巨大的应用前景.本文概述了近年来LnX3(Ce) 晶体的研究进展.从原料制备出发,介绍了它们的晶体生长方法与结构,基本的物理、化学性质,主要闪烁性能、发光机制及其它掺杂效应研究等.最后,对它们未来的研究发展方向和其他应用前景作了展望. 展开更多
关键词 闪烁晶体 LnX3(Ce) SPECT PET
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