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基于复杂网络的快递网络性质分析 被引量:21
1
作者 杨华 聂玉超 +1 位作者 张洪斌 樊瑛 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期101-103,F0003,共4页
利用复杂网络的工具,对真实的快递网络进行了实证分析,得到了快递网络的基本统计性质,发现真实的快递网络是具有小世界特性和无标度特性的网络.并讨论了快递网络的社团结构,比较了社团结构划分结果和实际的异同.
关键词 快递网络 小世界 无标度 社团结构
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氧化钒纳米管的自组装合成机理 被引量:11
2
作者 陈文 麦立强 +3 位作者 徐庆 彭俊锋 朱泉峣 余华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期65-70,共6页
以V2O5和十六胺为原料在水热条件下合成了氧化钒纳米管,采用XRD、SEM、TEM、FTIR、ESR,等手段分析研究了氧化钒纳米管的形成机理.结果表明,氧化钒纳米管的形成主要基于"卷曲机理",其形成过程包括:表面活性剂分子嵌入到钒氧化... 以V2O5和十六胺为原料在水热条件下合成了氧化钒纳米管,采用XRD、SEM、TEM、FTIR、ESR,等手段分析研究了氧化钒纳米管的形成机理.结果表明,氧化钒纳米管的形成主要基于"卷曲机理",其形成过程包括:表面活性剂分子嵌入到钒氧化物层间,形成新层状化合物前驱体;水热驱动下层状化合物边缘松动,并开始卷曲,.降低体系能量;合适的水热反应时间下最终形成钒氧化物纳米管.模板剂嵌入到钒氧化物层间形成一定大小的层间距以及V4+的存在对从层状化合物卷曲成纳米管起到了积极的作用. 展开更多
关键词 氧化钒 纳米管 自组装 形成机理
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阳极氧化铝模板的结构和性能表征及形成机理 被引量:15
3
作者 孙秀玉 徐法强 +1 位作者 李宗木 张旺 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期432-435,共4页
用两步阳极氧化法在0.3 mol.L-1草酸中制备了高度有序、具有纳米级孔洞的阳极氧化铝有序阵列模板.用场发射扫描电镜、X射线衍射及荧光光谱对其进行了结构和性能表征.实验结果表明多孔氧化铝模板的蓝发光带是由氧空位缺陷所引起的.对氧... 用两步阳极氧化法在0.3 mol.L-1草酸中制备了高度有序、具有纳米级孔洞的阳极氧化铝有序阵列模板.用场发射扫描电镜、X射线衍射及荧光光谱对其进行了结构和性能表征.实验结果表明多孔氧化铝模板的蓝发光带是由氧空位缺陷所引起的.对氧化铝模板的形成机理进行了分析,认为它的形成机理可以通过综合参考溶解模型和机械应力模型加以解释,并且电渗在阳极氧化膜的生长过程中起着重要作用. 展开更多
关键词 阳极氧化铝 荧光光谱 晶体结构 氧空位
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第一原理方法在材料科学中的应用 被引量:14
4
作者 严辉 杨巍 +1 位作者 宋雪梅 吕广宏 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期210-213,共4页
为了从理论上阐明材料结构与其特性的关系,应用第一原理方法计算材料的电子状态,可以获得材料的特征参数,从而能够表征、预测甚至设计材料的结构与性能.选择密度泛函理论和基于第一原理的赝势方法,计算得到了Al、Si、BN等的晶格常数、... 为了从理论上阐明材料结构与其特性的关系,应用第一原理方法计算材料的电子状态,可以获得材料的特征参数,从而能够表征、预测甚至设计材料的结构与性能.选择密度泛函理论和基于第一原理的赝势方法,计算得到了Al、Si、BN等的晶格常数、体弹性模量、电子密度分布和能带结构,并介绍了这些基态物理性质在材料科学中成功应用的典型事例. 展开更多
关键词 第一原理 密度泛函理论 赝势 材料科学
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用第一性原理研究贵金属(Cu、Ag、Au) 被引量:6
5
作者 熊志华 欧阳企振 +3 位作者 周珏 刘国栋 叶志清 雷敏生 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2005年第5期445-448,共4页
基于密度泛函理论,采用第一性原理赝势法,首先计算了贵金属(Cu Ag Au)晶格常数及内聚能,在此基础上计算并分析了贵金属(Cu Ag Au)的态密度.计算结果表明,对于贵金属GGA给出的计算结果精度要高于LDA,计算所得结果与实验吻合.
关键词 贵金属(Cu AG Au) 晶格常数 内聚能 态密度 第一性原理
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Ga掺杂ZnO的电子结构与电性能的研究 被引量:9
6
作者 蒋志年 张飞鹏 +2 位作者 张忻 路清梅 张久兴 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期303-307,共5页
采用密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法研究了n型Ga掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的晶格结构、能带结构和态密度,在此基础上分析了其电性能.计算结果表明,掺杂ZnO氧化物晶格a,b轴增大,c轴略有减小;Ga掺杂ZnO氧化物两能带之间具... 采用密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法研究了n型Ga掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的晶格结构、能带结构和态密度,在此基础上分析了其电性能.计算结果表明,掺杂ZnO氧化物晶格a,b轴增大,c轴略有减小;Ga掺杂ZnO氧化物两能带之间具有0.6eV的直接带隙,需要载流子(电子)跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小;掺杂体系费米能级附近的态密度大大提高,其能带主要由Gas态、Zns态和Os态电子构成,且他们之间存在着强相互作用,其中Gas态电子对导带贡献最大.电输运性能分析结果表明,Ga掺杂ZnO氧化物导电机构由Znp-Op电子在价带与导带的跃迁转变为Gas-Znd-Os电子在价带与导带的跃迁,这也表明Gas态电子在导电过程中的重要作用;掺杂体系费米能级附近的载流子有效质量较未掺杂体系增大,且价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小. 展开更多
关键词 ZnO氧化物 Ga掺杂 电子结构 电输运性能
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颗粒物质与颗粒流 被引量:20
7
作者 鲍德松 张训生 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2003年第5期514-517,共4页
颗粒物质研究是当前物理学研究的热点之一.在我国,对颗粒物质的研究才刚刚起步.本文主要是简单介绍颗粒物质的基本概念以及颗粒物质研究对工农业生产的意义,同时介绍国内外最近几年在颗粒物质方面的研究进展,再报道作者在颗粒物质研究... 颗粒物质研究是当前物理学研究的热点之一.在我国,对颗粒物质的研究才刚刚起步.本文主要是简单介绍颗粒物质的基本概念以及颗粒物质研究对工农业生产的意义,同时介绍国内外最近几年在颗粒物质方面的研究进展,再报道作者在颗粒物质研究方面的一些初步结果. 展开更多
关键词 颗粒物质 颗粒流 物理学 摩擦力 摩擦系数 颗粒态 颗粒密度
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固体互扩散生长的唯象理论 被引量:6
8
作者 陈永翀 其鲁 +1 位作者 张永刚 陈昌麒 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期168-174,共7页
原子互扩散过程中可以产生复杂的应力应变现象,但目前缺乏系统的理论分析。传统固体化学扩散理论的研究对象是扩散的原子或原子流,并不关心互扩散区域内微观体积单元的变化,因此无法描述原子扩散流与应力之间的关系。为了解决这一问题,... 原子互扩散过程中可以产生复杂的应力应变现象,但目前缺乏系统的理论分析。传统固体化学扩散理论的研究对象是扩散的原子或原子流,并不关心互扩散区域内微观体积单元的变化,因此无法描述原子扩散流与应力之间的关系。为了解决这一问题,作者借鉴流体力学的基本概念和方法,通过建立固体互扩散区域中“流点”的概念,推导了描述固体互扩散生长的普适方程,严格区别了相的体积生长与界面生长方式,并给出多元扩散偶中相生长的一般动力学描述。在此基础上,详细讨论了分别与两种不同生长方式相联系的扩散应力和扩散应变问题,并以此分析具有代表性的固态反应周期层片型结构的形成机理。 展开更多
关键词 化学扩散 互扩散生长 扩散应力 唯象理论
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Ca掺杂ZnO氧化物的电子结构与电性能研究 被引量:6
9
作者 张光磊 张飞鹏 +3 位作者 秦国强 曾宏 张忻 张久兴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2016-2021,共6页
基于密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法,系统研究了Ca掺杂ZnO氧化物的晶格结构和电子结构,在此基础上分析了其电学性能。结果表明,Ca掺杂ZnO晶胞减小。Ca掺杂氧化物仍为直接带隙半导体材料,带宽达1.5 eV。掺杂体系费米能级... 基于密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法,系统研究了Ca掺杂ZnO氧化物的晶格结构和电子结构,在此基础上分析了其电学性能。结果表明,Ca掺杂ZnO晶胞减小。Ca掺杂氧化物仍为直接带隙半导体材料,带宽达1.5 eV。掺杂体系费米能级附近的能带主要由Cas态、Cap态、Znp态和Op态电子构成,其中p态电子对价带态贡献最大,且Cas态、Znp态和Op态电子之间存在着更强的相互作用。Ca掺杂ZnO氧化物费米能级EF附近载流子浓度增加,运动速度减小,有效质量增加,导电机构为Cas态、Znp态和Op态电子在价带与导带的跃迁,具有更高的电导率,较高的Seebeck系数和综合电性能。 展开更多
关键词 ZNO Ca掺杂 电子结构 电性能
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Cu掺杂对ZnO氧化物电子结构与电输运性能的影响 被引量:9
10
作者 韦金明 张飞鹏 张久兴 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期372-378,共7页
采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能。计算结果表明,Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6 eV的直接带隙,且为p型半导体,在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成... 采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能。计算结果表明,Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6 eV的直接带隙,且为p型半导体,在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成的能带,体系费米能级附近的能带主要由Cu p态、Cu d态和O p态电子构成,且他们之间存在着强相互作用。电输运性能分析结果表明,Cu掺杂的ZnO氧化物价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小;其载流子输运主要由Cu p态、Cu d态、O p态电子完成,且需要载流子(空穴和电子)跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小。 展开更多
关键词 材料 ZnO氧化物 CU掺杂 电子结构 电输运性能
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一维和二维系统中电子禁带与光子禁带的数学等价特性(英文) 被引量:6
11
作者 欧阳征标 李景镇 张道中 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期802-806,共5页
论证了在不针对特殊的结构和未做任何近似的情况下 ,一维和二维系统中的电子的Schrodinger方程和沿垂直方向传播的 S极化光子的 Maxwell方程具有完全相同的数学形式 ,即二者在数学上是完全等价的 ,这自然解释了到目前为止发现的存在... 论证了在不针对特殊的结构和未做任何近似的情况下 ,一维和二维系统中的电子的Schrodinger方程和沿垂直方向传播的 S极化光子的 Maxwell方程具有完全相同的数学形式 ,即二者在数学上是完全等价的 ,这自然解释了到目前为止发现的存在于电子晶体的电子禁带和光子晶体的光子禁带之间的许多相似性 .这种等价性还表明 ,在电子晶体中出现的许多现象可以推广到光子晶体中 ; 展开更多
关键词 光子禁带 光子晶体 电子禁带 电子晶体 等价理论 一维系统 二维系统
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H_5^+团簇离子的形成和分解 被引量:6
12
作者 杨百方 缪竞威 +2 位作者 师勉恭 朱洲森 唐阿友 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期571-572,共2页
简报报告了1.8MeV的H+5团簇离子及其产物的测量结果。讨论了H+5的形成和分解反应。
关键词 高频离子源 H^+3 团簇离子 不稳定分子
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Moseley定律的意义及其新应用 被引量:4
13
作者 沈韩 丘翠环 +1 位作者 张鸿 李景德 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期109-110,共2页
由Moseley定律可严格定义量子化学中原子轨道线性组合 (LCAO)的基函数 ,其中的屏蔽常数可由实验完全确定。通过最强化学键原理的计算 ,正确给出了水分子的电偶极矩和总电子能量。
关键词 Moseley定律 最强化学键原理 水分子
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Si表面吸附GaN的第一性原理研究 被引量:3
14
作者 李炜 陈俊芳 +2 位作者 王腾 张洪宾 郭超峰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第16期71-73,77,共4页
为了更好地了解Si表面对GaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图。计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在... 为了更好地了解Si表面对GaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图。计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更容易沉积GaN薄膜。采用ECR-MOPECVD工艺,于低温下在Si(100)衬底上沉积得到了GaN薄膜,XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构。 展开更多
关键词 SI GAN 吸附 第一性原理
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InSb的Li替位形成能的从头计算 被引量:3
15
作者 刘慧英 侯柱锋 +2 位作者 朱梓忠 黄美纯 杨勇 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1521-1524,M006,共5页
采用基于平面波展开的第一原理赝势法计算了锑化铟在锂替位到铟位置时的各种情况下的形成能与电子结构 ,讨论了锂替位的体积变化 ,电荷分布、能带结构及电子态密度等性质 .结果表明 ,对于闪锌矿结构的 In Sb,锂的各种替位形成能大致在... 采用基于平面波展开的第一原理赝势法计算了锑化铟在锂替位到铟位置时的各种情况下的形成能与电子结构 ,讨论了锂替位的体积变化 ,电荷分布、能带结构及电子态密度等性质 .结果表明 ,对于闪锌矿结构的 In Sb,锂的各种替位形成能大致在每个锂原子 -2 .2 e V左右 .该结果表明 ,不可能在嵌入初期 Li插入到间隙位置之前发生替位反应 。 展开更多
关键词 INSB Li替位形成能 从头计算
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双氮原子掺入二氧化钛电子结构的第一原理研究 被引量:4
16
作者 曾中良 郑广 +2 位作者 何开华 陈琦丽 喻力 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期726-732,共7页
采用基于第一性原理的平面波超软赝势方法计算研究了双N原子掺入金红石相TiO_2的几何结构和电子结构.通过比较三种可能的掺杂方式的总能发现,两个氮原子占据两个相邻的B原子位置时具有最稳定的结构.电子结构分析表明,双N原子掺杂TiO_2... 采用基于第一性原理的平面波超软赝势方法计算研究了双N原子掺入金红石相TiO_2的几何结构和电子结构.通过比较三种可能的掺杂方式的总能发现,两个氮原子占据两个相邻的B原子位置时具有最稳定的结构.电子结构分析表明,双N原子掺杂TiO_2出现了杂质能级,三种结构的能带间隙均减小,其中杂质原子最近邻占位时,带隙最小,随着两个杂质原子的距离增大,带隙会逐渐变大. 展开更多
关键词 金红石相TiO2 N掺杂 第一性原理
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第一性原理拟合氦钛两体作用势 被引量:3
17
作者 吴仲成 彭述明 +2 位作者 孙铁英 杨茂年 刘琼 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期492-494,共3页
分子动力学研究氦钛两体相互作用涉及3种体系势能函数的表述。文章讨论其中氦氦相互作用势及氦钛相互作用势,分析不同势能函数形式描述氦与金属作用势的区别。Lennard-Jones势较好描述分子晶体特别是惰性固体之间的作用势,在金属钛与氦... 分子动力学研究氦钛两体相互作用涉及3种体系势能函数的表述。文章讨论其中氦氦相互作用势及氦钛相互作用势,分析不同势能函数形式描述氦与金属作用势的区别。Lennard-Jones势较好描述分子晶体特别是惰性固体之间的作用势,在金属钛与氦原子之间的相互作用时,在小于平衡位置的条件下,Born-Mayer势的排斥势太强,未较好反映实际氦钛原子作用,而采用量子化学第一性原理的方法,并结合相关的实验参数拟合氦钛两体相互作用势在近程作用上存在明显的优势。 展开更多
关键词 分子动力学 势能函数 量子化学第一性原理
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三维自由边界耦合软模 被引量:3
18
作者 李景德 陆夏莲 李家宝 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1990年第1期29-35,共7页
将二维有限品格动力学方法推广到三维。讨论投影算符方法在大自由度有限体系问题中的应用。经群论方法化简后用数字计算解出了计及8体相互作用的N×N′×N″单原子立方晶格振动模和简谐频率。给出晶格边界具有O_h,D_(4h)和D_(2h... 将二维有限品格动力学方法推广到三维。讨论投影算符方法在大自由度有限体系问题中的应用。经群论方法化简后用数字计算解出了计及8体相互作用的N×N′×N″单原子立方晶格振动模和简谐频率。给出晶格边界具有O_h,D_(4h)和D_(2h)对称时的空间型相关表和不同空间型中简谐解的个数。相应于二维情况下出现的一个全对称型自由边界耦合软模,推广到三维后发现存在3个类似的软模。从模矢量图看出,Eg型自由边界耦合软模相应于钛酸钡铁电相变时出现的声学软模。 展开更多
关键词 晶格动力学 软模 钛酸钡 投影算符
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Si(111)衬底上生长的立方Mg_xZn_(1-x)晶体薄膜 被引量:4
19
作者 邱东江 吴惠桢 +1 位作者 陈奶波 田维坚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1385-1388,共4页
在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn(1-x)O晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn(... 在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn(1-x)O晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn(1-x)O薄膜,温度过高时得到多晶薄膜.对高度(200)取向的立方Mg_xZn(1-x)O薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4.20eV,相对于MgO的带隙红移量为3.50eV.XRD分析还表明立方Mg_xZn(1-x)O薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0.16%.这使得高质量立方Mg_xZn(1-x)O/MgO多量子阱材料的制备成为可能. 展开更多
关键词 电子束反应蒸镀 立方MgxZn1-xO薄膜
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Ga掺杂ZnO氧化物的热学性能的研究 被引量:2
20
作者 马硕章 张飞鹏 +3 位作者 房慧 张忻 路清梅 张久兴 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期107-112,共6页
在密度泛函理论和线性响应的密度泛函微扰理论基础上通过第一性原理计算的方法研究了Ga掺杂ZnO氧化物的热学参数和热学性能.计算结果表明,Ga掺杂使ZnO氧化物晶胞增大;在所研究温度范围内,纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的晶格热容均随温度升高不... 在密度泛函理论和线性响应的密度泛函微扰理论基础上通过第一性原理计算的方法研究了Ga掺杂ZnO氧化物的热学参数和热学性能.计算结果表明,Ga掺杂使ZnO氧化物晶胞增大;在所研究温度范围内,纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的晶格热容均随温度升高不断增大,其晶格热容在最高温度900 K分别达到16.5 Cal.mol^(-1)K^(-1)和31.3 Cal.mol^(-1)K^(-1).纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的德拜温度θ_D均随温度升高不断增大.Ga掺杂在ZnO中引入了新的振动模式. 展开更多
关键词 材料 ZNO Ga掺杂 热学性能
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