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手性钙钛矿的结构维度与光电特性
被引量：
1
1
作者
占桂祥
杨鸿宇
+1 位作者
张军然
王琳
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2022年第8期1441-1450,共10页
近十年,有机无机杂化钙钛矿凭借其新颖优异的光电特性而引起广泛关注。最近,手性钙钛矿由于结合了钙钛矿材料和手性材料各自独特性能,在三维显示、光学信息处理、量子光学、生物探测、自旋电子等方面具有重要应用价值。根据有机、无机...
近十年,有机无机杂化钙钛矿凭借其新颖优异的光电特性而引起广泛关注。最近,手性钙钛矿由于结合了钙钛矿材料和手性材料各自独特性能,在三维显示、光学信息处理、量子光学、生物探测、自旋电子等方面具有重要应用价值。根据有机、无机组分的空间分布,可以对手性钙钛矿的结构维度进行分类。本文以手性钙钛矿的不同结构维度为出发点,分别阐述了一维、二维和三维手性钙钛矿的晶体结构、光学和光电特性,包括圆二色性、圆偏振光致发光和光电探测等特性。考虑到二维手性钙钛矿具有独特的范德华层状晶体结构,重点介绍了其与其它二维材料组合成二维异质结构方面的工作。最后,分别从材料制备和器件应用的角度,总结了手性钙钛矿的重点挑战问题和未来发展方向。
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关键词
手性钙钛矿
结构维度
异质结构
光学特性
光电特性
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职称材料
Zn、Si掺杂GaAs纳米线的发光性能
2
作者
郎天宇
王海珠
+2 位作者
于海鑫
王登魁
马晓辉
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2024年第7期234-241,共8页
为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs...
为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs纳米线具有更优异的发光质量,带隙随温度的变化规律符合Varshni公式,发光来源为自由激子复合(α>1)。而Zn掺杂纳米线的发光峰出现极大展宽,发光来源为缺陷或杂质相关跃迁(α<1),峰位随激发功率的变化规律与P^(1/3)成正比。结合透射电子显微镜(TEM)测试结果进一步表明,Zn掺杂纳米线中出现了纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混合结构,是导致GaAs纳米线发光质量变差的主要原因。
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关键词
材料
发光性能
金属有机物化学气相沉积
掺杂GaAs纳米线
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职称材料
题名
手性钙钛矿的结构维度与光电特性
被引量：
1
1
作者
占桂祥
杨鸿宇
张军然
王琳
机构
南京工业大学先进材料研究院
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2022年第8期1441-1450,共10页
基金
国家自然科学基金(No.92064010,61904079)
江苏省自然科学基金(No.BK20190301)资助。
文摘
近十年,有机无机杂化钙钛矿凭借其新颖优异的光电特性而引起广泛关注。最近,手性钙钛矿由于结合了钙钛矿材料和手性材料各自独特性能,在三维显示、光学信息处理、量子光学、生物探测、自旋电子等方面具有重要应用价值。根据有机、无机组分的空间分布,可以对手性钙钛矿的结构维度进行分类。本文以手性钙钛矿的不同结构维度为出发点,分别阐述了一维、二维和三维手性钙钛矿的晶体结构、光学和光电特性,包括圆二色性、圆偏振光致发光和光电探测等特性。考虑到二维手性钙钛矿具有独特的范德华层状晶体结构,重点介绍了其与其它二维材料组合成二维异质结构方面的工作。最后,分别从材料制备和器件应用的角度,总结了手性钙钛矿的重点挑战问题和未来发展方向。
关键词
手性钙钛矿
结构维度
异质结构
光学特性
光电特性
Keywords
chiral perovskite
structure dimensionality
heterostructures
optical behavior
photoelectric property
分类号
O4723 [理学—半导体物理]
O4724 [理学—半导体物理]
O4728 [理学—半导体物理]
O7416 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
Zn、Si掺杂GaAs纳米线的发光性能
2
作者
郎天宇
王海珠
于海鑫
王登魁
马晓辉
机构
长春理工大学重庆研究院
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2024年第7期234-241,共8页
基金
重庆自然科学基金项目(cstc2021jcyjmsxmX1060,CSTB2022NSCQ-MSX0401)
吉林省科学技术发展计划(20210201089GX,20210201030GX)。
文摘
为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs纳米线具有更优异的发光质量,带隙随温度的变化规律符合Varshni公式,发光来源为自由激子复合(α>1)。而Zn掺杂纳米线的发光峰出现极大展宽,发光来源为缺陷或杂质相关跃迁(α<1),峰位随激发功率的变化规律与P^(1/3)成正比。结合透射电子显微镜(TEM)测试结果进一步表明,Zn掺杂纳米线中出现了纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混合结构,是导致GaAs纳米线发光质量变差的主要原因。
关键词
材料
发光性能
金属有机物化学气相沉积
掺杂GaAs纳米线
Keywords
materials
optical performance
metal-organic chemical vapor deposition
doped GaAs nanowires
分类号
O4723 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
手性钙钛矿的结构维度与光电特性
占桂祥
杨鸿宇
张军然
王琳
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Zn、Si掺杂GaAs纳米线的发光性能
郎天宇
王海珠
于海鑫
王登魁
马晓辉
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
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