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共掺杂β-Ga_(2)O_(3)导电性质第一性原理研究
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作者 王淳 王坤 +2 位作者 宋相满 任林 张浩 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第8期1426-1432,共7页
本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Mg-Al共掺杂、F-Zn共掺杂和N-Mg共掺杂β-Ga_(2)O_(3)三种体系的结构性质和电学性质,以期获得高性能共掺杂P型导电β-Ga_(2)O_(3)材料。结果表明,Mg-Al共掺杂和F-Zn共掺杂β-Ga_(2)O_(3... 本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Mg-Al共掺杂、F-Zn共掺杂和N-Mg共掺杂β-Ga_(2)O_(3)三种体系的结构性质和电学性质,以期获得高性能共掺杂P型导电β-Ga_(2)O_(3)材料。结果表明,Mg-Al共掺杂和F-Zn共掺杂β-Ga_(2)O_(3)仍为直接带隙半导体材料,而N-Mg共掺杂β-Ga_(2)O_(3)为间接带隙半导体材料。三种共掺杂体系均具有较低的形成能。其中Mg-Al共掺杂β-Ga_(2)O_(3)体系形成能最低,表现出较好的热力学稳定性。该体系中,Mg-p和Al-p轨道推移价带顶向高能方向移动,并穿越费米能级,是三种掺杂体系中最有可能实现P型导电性质的材料。 展开更多
关键词 共掺杂β-Ga_(2)O_(3) 第一性原理 P型导电 电子结构 密度泛函理论 半导体
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单层SnS_(2-x)Se_(x)合金的电子结构和光学性质
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作者 毛永强 谢百桐 李娜 《兵器材料科学与工程》 北大核心 2025年第3期1-4,共4页
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究单层SnS_(2-x)Se_(x)合金的电子结构和光学性质,并评估其作为光电材料的应用潜力。结果表明:随着Se含量增加,合金仍保持立方晶系,但带隙从2.14 eV降到1.33 eV;原因在于Se的4p轨道形成杂... 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究单层SnS_(2-x)Se_(x)合金的电子结构和光学性质,并评估其作为光电材料的应用潜力。结果表明:随着Se含量增加,合金仍保持立方晶系,但带隙从2.14 eV降到1.33 eV;原因在于Se的4p轨道形成杂质能级,使带隙明显减小。随着Se含量增加,合金静态介电常数和虚部吸收值逐渐增大,且虚部主峰也发生不同程度的红移。相对Sn16S32合金而言,SnS_(2-x)Se_(x)合金不仅拓宽了可见光区域内的吸收范围,也具有更强的可见光吸收能力,这为单层SnS_(2-x)Se_(x)合金光电材料的发展提供了理论依据。 展开更多
关键词 第一性原理 SnS_(2-x)Se_(x) 电子结构 光学性质
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锗锡浓度对硅锗锡合金性能影响的研究
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作者 顾永顺 温淑敏 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第5期163-174,共12页
由于SiGeSn合金材料其具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命,并且其结构具有较高的热力学稳定性,所以在光电子领域中是一种具有非常大应用潜力的半导体材料.本文采用密度泛函理论中的广义梯度近似GGA+U的方法,构建并计算了本征半导体... 由于SiGeSn合金材料其具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命,并且其结构具有较高的热力学稳定性,所以在光电子领域中是一种具有非常大应用潜力的半导体材料.本文采用密度泛函理论中的广义梯度近似GGA+U的方法,构建并计算了本征半导体Si_(96)与五组掺杂模型Si_(92)Ge_(2)Sn_(2)、Si_(88)Ge_(4)Sn_(4)、Si_(84)Ge_(6)Sn_(6)、Si_(80)Ge_(8)Sn_(8)、Si_(76)Ge_(10)Sn_(10)的电子结构及光学性质.通过对计算结果的分析可知,Ge,Sn的加入使得Si材料的带隙宽度减小,并且发生了由间接带隙向直接带隙的转变;Ge,Sn浓度最高的SiGeSn合金的形成能相对较高,稳定性相较于Ge,Sn含量低的材料较差;随着Ge,Sn掺杂浓度的提高,电子态密度图显示出越来越明显的杂化现象,并且态密度的峰值主要有Si原子的s轨道提供;Ge,Sn浓度的提高还使得SiGeSn合金的吸收系数在可见光及近红外区域内增加、反射率在可见光及以上波段范围内提高、折射率变低、消光系数曲线向红外区域移动等光学性质变化,表明可以通过调节Ge,Sn浓度来获得合适的光学特性,这为SiGeSn半导体在红外区域光电材料和器件的应用上提供了研究方向. 展开更多
关键词 SiGeSn 电子特性 光学性质
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量子剪裁型镱离子掺杂钙钛矿纳米晶的合成及其在X射线多能谱成像中的新应用
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作者 惠娟 杨旸 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第7期1121-1131,共11页
近年来,稀土离子掺杂钙钛矿材料凭借其优异的光电特性、可调节的带隙及独特的量子剪裁效应,在光电功能材料领域引起了研究者的广泛关注。其中,镱离子(Yb^(3+))掺杂钙钛矿纳米材料因其显著的光学特性,如超大的斯托克斯位移、超过100%的... 近年来,稀土离子掺杂钙钛矿材料凭借其优异的光电特性、可调节的带隙及独特的量子剪裁效应,在光电功能材料领域引起了研究者的广泛关注。其中,镱离子(Yb^(3+))掺杂钙钛矿纳米材料因其显著的光学特性,如超大的斯托克斯位移、超过100%的荧光量子产率及高效的近红外发光,在X射线成像、多能谱X射线成像、荧光型太阳能聚光器、太阳能电池和近红外电致发光器件等领域展现出巨大的应用潜力。本文聚焦于Yb^(3+)掺杂钙钛矿纳米晶的量子剪裁特性,系统性地展开论述:全面梳理了Yb^(3+)掺杂CsPbCl_(3)纳米晶的合成策略、量子剪裁发光机理及其在光电领域的应用;深入探讨了量子剪裁型钙钛矿闪烁体的发展及其在X射线成像、多能谱X射线成像等前沿领域的最新突破性进展。通过分析当前面临的科学挑战与技术瓶颈,本文展望了未来的研究方向与发展趋势,为量子剪裁材料的进一步研究与应用提供了参考。 展开更多
关键词 量子剪裁 掺杂 稀土离子 钙钛矿闪烁体 多能谱X射线成像
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单轴应变对本征和N掺杂4H-SiC电子结构的影响 被引量:4
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作者 秦彦军 张建强 +5 位作者 杨慧雅 方峥 范晓珍 邝富丽 叶慧群 方允樟 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第3期173-179,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了单轴应变对本征和N掺杂4H-SiC电子结构的影响.研究表明应变可以有效调控本征和N掺杂4H-SiC的带隙,在拉应变作用下,带隙单调减小;而在压应变作用下,带隙先增大后减小,当压应变为-1%时,带隙... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了单轴应变对本征和N掺杂4H-SiC电子结构的影响.研究表明应变可以有效调控本征和N掺杂4H-SiC的带隙,在拉应变作用下,带隙单调减小;而在压应变作用下,带隙先增大后减小,当压应变为-1%时,带隙达到最大值.对态密度的分析可知本征和N掺杂4H-SiC的价带顶主要来自Si 3p和C 2p态电子,导带底主要来自Si 3p态电子,C 2p态和Si 3p态通过影响价带顶和导带底从而导致应变结构中带隙发生变化.通过Mulliken布局和差分电荷密度分析可知,随着晶格常数的增加Si原子向C原子和N原子转移的电荷减少,同时Si-C原子和Si-N原子之间的共价性减弱. 展开更多
关键词 4H-SIC 单轴应变 电子结构 第一性原理
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二维γ-GeSe基异质结的电子特性研究
6
作者 乔方卿銮 乔帅 +2 位作者 张腊梅 商继敏 冯世全 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第5期175-181,共7页
二维γ-GeSe拥有类似石墨烯的优异导电特性.利用第一性原理,对二维γ-GeSe的结构和电子特性进行了研究;构建了γ-GeSe/SnSe 2异质结,结果表明该异质结是典型的Ⅱ型能带排列.在施加电场后,其带隙值会有明显的增大,但其能带排列类型保持... 二维γ-GeSe拥有类似石墨烯的优异导电特性.利用第一性原理,对二维γ-GeSe的结构和电子特性进行了研究;构建了γ-GeSe/SnSe 2异质结,结果表明该异质结是典型的Ⅱ型能带排列.在施加电场后,其带隙值会有明显的增大,但其能带排列类型保持稳定的Ⅱ型能带排列,这种特性表明此异质结具有在太阳能电池领域应用的潜力.构建的γ-GeSe/GaSe异质结具有典型的Ⅰ型能带排列,施加电场对异质结的电子结构影响甚微;但能一直保持稳定的Ⅰ型能带排列,表明该异质结在发光二极管领域和激光器中具有应用潜力. 展开更多
关键词 二维γ-GeSe 范德瓦尔斯异质结 电子特性 能带排列
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表面复合与光提取效率竞争机制对Micro-LED光效的影响
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作者 刘志强 江莹 +7 位作者 莫梦月 闫金健 李鹏岗 黄凯 李金钗 卢卫芳 康俊勇 张荣 《厦门大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期682-689,共8页
[目的]基于表面复合引起的尺寸效应,研究Micro-LED器件的尺寸、形状与光效的关系.[方法]利用SimuLED软件,通过设计不同尺寸和形状的器件,探究器件表面复合占比与周长面积比之间的关系,并分析器件形状对Micro-LED性能的影响.[结果]器件... [目的]基于表面复合引起的尺寸效应,研究Micro-LED器件的尺寸、形状与光效的关系.[方法]利用SimuLED软件,通过设计不同尺寸和形状的器件,探究器件表面复合占比与周长面积比之间的关系,并分析器件形状对Micro-LED性能的影响.[结果]器件表面复合速率与周长面积比成线性比例关系;器件形状通过表面复合占比与光提取效率共同影响器件的外量子效率.在本文研究的3种芯片形状中,圆形芯片的内量子效率最高,正六边形芯片的外量子效率最高,而方形芯片的内、外量子效率以及光功率均最低.[结论]当器件的尺寸受限时,可以通过优化器件形状,以降低表面复合占比和提高光提取效率,进而提高光效. 展开更多
关键词 Micro-LED 尺寸效应 表面复合速率 周长面积比 光提取效率
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低温生长GaAs非平衡载流子的超快动力学特性 被引量:8
8
作者 文锦辉 陈颖宇 +2 位作者 黄淳 张海潮 林位株 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期195-200,共6页
采用飞秒激光光谱技术研究了LT-GaAs受激载流子的超快弛豫特性,讨论了载流子散射、载流子-声子互作用和缺陷捕获对载流子弛豫特性的贡献,测定载流子的捕获时间约为500fs。
关键词 饱和吸收光谱 砷化镓 低温 载流子 超快动力学
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Ca2Si电子结构和光学性质的研究 被引量:12
9
作者 杨创华 谢泉 +2 位作者 赵凤娟 陈茜 肖清泉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A10期4124-4128,共5页
采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质,其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数。计算结果显示Ca2Si是典型的半导体,正交相结构有一个直接的带隙,并且光学性质显... 采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质,其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数。计算结果显示Ca2Si是典型的半导体,正交相结构有一个直接的带隙,并且光学性质显示出各向异性。Ca2Si立方相的计算结果也显示是直接带隙半导体,并且有很高的振子强度。从能带和态密度的计算结果判断出它们的光学性质主要由Si的3p态电子向Ca的3d态的带间跃迁所决定。 展开更多
关键词 Ca2Si 第一性原理计算 电子结构 光学性质
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第一性原理研究[111]晶向硅纳米线电子结构,光学性质与压阻特性的应变效应 被引量:10
10
作者 顾芳 张加宏 +1 位作者 陈云云 刘清惓 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期53-61,共9页
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),利用第一性原理方法计算研究了单轴应变对[111]晶向硅纳米线的电子结构、光学性质以及压阻性质的影响.能带结构和光学性质的结果表明:压应变导致硅纳米线的带隙明显线性减小,且使其由直隙半... 基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),利用第一性原理方法计算研究了单轴应变对[111]晶向硅纳米线的电子结构、光学性质以及压阻性质的影响.能带结构和光学性质的结果表明:压应变导致硅纳米线的带隙明显线性减小,且使其由直隙半导体转变为间隙半导体,而施加拉应变后硅纳米线仍为直隙半导体材料,但是带隙略有减小,且价带顶附近的能带线产生了较为复杂的变化.由于能带的应变效应导致其光学性质也相应发生了较大改变:拉应变使硅纳米线的介电峰出现宽化现象,低能区内的光吸收增强,静态折射率和反射率峰值增大,而压应变的效果则相反.结合能带结构与压阻系数计算模型得到的压阻特性结果表明:随着压应变的增加压阻系数单调减小,这主要归因于空穴浓度随压应变显著变化引起的;而拉应变作用时,压阻系数呈现波动趋势,这主要是由于空穴有效传输质量的增加程度和载流子浓度的增加程度不同而相互竞争导致的.上述计算结果表明,设计基于硅纳米线的光电和力电器件时,需考虑其应变效应. 展开更多
关键词 硅纳米线 第一性原理 应变效应 电子结构 光学性质 压阻特性
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快速简便测定有机电致发光材料HOMO能级的电化学方法 被引量:6
11
作者 丁邦东 张积梅 +5 位作者 朱文清 郑新友 吴有智 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期712-714,共3页
It is very important to obtain an accurate determination of HOMO energy level of organic electroluminescent material.Usually cyclic voltammetry is used to determine it.In this paper,linear scanning voltammetry was ins... It is very important to obtain an accurate determination of HOMO energy level of organic electroluminescent material.Usually cyclic voltammetry is used to determine it.In this paper,linear scanning voltammetry was instead utilized to attain a reault of oxidation potential(or HOMO energy level) due to the film of organic electroluminescent material on the working electrode.Less amount of materials was consumed in this method.The proposed method was faster and more convenient. 展开更多
关键词 测定 电化学方法 HOMO能级 有机电致发光材料 有机半导体 能带 有机电致发光器件
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纤锌矿In-xGa_(1-x)N/GaN量子阱中的界面声子模 被引量:7
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作者 危书义 张芳 +2 位作者 黄文登 李伟 赵旭 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期336-342,共7页
采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN混晶性质;基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子,得出任意层纤锌矿量子阱中的界面声子的本征模解和单量子阱的色散关系,并对InxGa1-xN/GaN单量子阱界面声子的... 采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN混晶性质;基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子,得出任意层纤锌矿量子阱中的界面声子的本征模解和单量子阱的色散关系,并对InxGa1-xN/GaN单量子阱界面声子的色散关系进行了数值计算和讨论。结果表明,纤锌矿InxGa1-xN混晶中的E1声子和A1声子都表现为单模行为;在对称非应变单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子频率随x的变化呈线性关系。 展开更多
关键词 InxGa1-xN/GaN 界面声子 量子阱
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Cu_2ZnSnS_4/Cu_2ZnSnSe_4电子结构与光学特性的第一性原理计算 被引量:5
13
作者 李苗苗 王天兴 +2 位作者 夏存军 宋桂林 常方高 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1413-1420,共8页
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算Cu2ZnSnS4(CZTS)和Cu2ZnSnSe4(CZTSe)的电子结构和光学特性。计算并系统对比分析CZTS和CZTSe的态密度、吸收系数、复介电函数、复折射率、反射率、复电... 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算Cu2ZnSnS4(CZTS)和Cu2ZnSnSe4(CZTSe)的电子结构和光学特性。计算并系统对比分析CZTS和CZTSe的态密度、吸收系数、复介电函数、复折射率、反射率、复电导率和能量损失函数随光子能量的变化关系。结果表明,锌黄锡矿型CZTS和CZTSe都是直接带隙半导体材料。CZTS和CZTSe的态密度和光学特性的曲线非常相似,但CZTS的禁带宽度比CZTSe的偏大,导致CZTS的各个光学特性曲线相对于CZTSe的略微向高能方向移动。 展开更多
关键词 CZTS CZTSe 第一性原理 能态密度 光学特性
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Ti掺杂β-Ga_2O_3电子结构和光学性质的第一性原理计算 被引量:5
14
作者 郭艳蕊 严慧羽 +2 位作者 宋庆功 陈逸飞 郭松青 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期142-145,149,共5页
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了Ti掺杂β-Ga2O3系统的电子结构和光学性质。计算结果表明,Ti替代八面体的Ga(2)时系统形成能最低,容易在实验上合成;Ti掺杂在导带底附近引入了浅施主能级,极大地提高了β-Ga2O3系... 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了Ti掺杂β-Ga2O3系统的电子结构和光学性质。计算结果表明,Ti替代八面体的Ga(2)时系统形成能最低,容易在实验上合成;Ti掺杂在导带底附近引入了浅施主能级,极大地提高了β-Ga2O3系统的导电性。Ti掺杂时稳定体系倾向于自旋极化态,且费米面处自旋极化率接近100%。光学性质的计算结果显示,Ti掺杂β-Ga2O3是极具潜力的n型紫外透明的半导体。 展开更多
关键词 第一性原理 Ti掺杂β-Ga2O3 电子结构 光学性质
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利用 X射线衍射分析自组织生长的量子点结构 被引量:6
15
作者 张党卫 张景文 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期837-840,共4页
将 In As/Ga As多层量子点处理成夹层结构 ,考虑到大的应变 ,用多层膜的 X射线衍射的动理学理论进行了理论模拟 ,得出其应变参量及各层厚度 .将量子点近似看成金字塔形 ,从而点的衍射可以看成三角形衍射 ,利用三角形的傅里叶变换 ,求得... 将 In As/Ga As多层量子点处理成夹层结构 ,考虑到大的应变 ,用多层膜的 X射线衍射的动理学理论进行了理论模拟 ,得出其应变参量及各层厚度 .将量子点近似看成金字塔形 ,从而点的衍射可以看成三角形衍射 ,利用三角形的傅里叶变换 ,求得量子点的横向周期为1 0 .6nm,与三轴衍射结果求得量子点的横向周期 ( 1 0 .7± 0 .2 nm)一致 。 展开更多
关键词 自组织生长 结构 X射线衍射 量子点 动理学理论 金字塔形 半导体
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碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响 被引量:5
16
作者 余志强 张昌华 +1 位作者 李时东 廖红华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期233-239,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了C/Ge掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态和C/Ge掺杂的硅纳米管均属于直接带隙半导体,其价带顶主要由Si-3p态电子构成,而导带底则主要由Si-3p态电子决定。... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了C/Ge掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态和C/Ge掺杂的硅纳米管均属于直接带隙半导体,其价带顶主要由Si-3p态电子构成,而导带底则主要由Si-3p态电子决定。通过C掺杂,可使硅纳米管的禁带宽度减小,静态介电常数增大,吸收光谱产生红移;而通过Ge掺杂,可使硅纳米管的禁带宽度增大,静态介电常数减小,吸收光谱产生蓝移。研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理 硅纳米管 电子结构 光电性质
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水热法合成Zn_(1-x)Co_xO室温稀磁半导体 被引量:4
17
作者 韦志仁 刘超 +5 位作者 李军 林琳 郑一博 葛世艳 张华伟 窦军红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期484-487,共4页
本文采用水热法,在430℃,填充度为35%,3mol/L KOH作为矿化剂,反应时间为24h,合成了Zn1-xCoxO晶体。当在Zn(OH)2中添加一定量的CoC l2.6H2O为前驱物时,水热反应产物中,可以获得多晶体形态的掺杂Zn1-xCoxO晶体。电子探针测量表明,随着前... 本文采用水热法,在430℃,填充度为35%,3mol/L KOH作为矿化剂,反应时间为24h,合成了Zn1-xCoxO晶体。当在Zn(OH)2中添加一定量的CoC l2.6H2O为前驱物时,水热反应产物中,可以获得多晶体形态的掺杂Zn1-xCoxO晶体。电子探针测量表明,随着前驱物中CoC l2.6H2O添加量的增加,晶体中的Co实际掺入量也随着增加。采用超导量子干涉磁强仪测量材料的磁性,发现在室温以下,水热法合成的Zn1-xCoxO晶体的磁化强度随温度变化很小,在300K存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,表明具有室温下铁磁性。 展开更多
关键词 水热合成 氧化锌 矿化剂 稀磁半导体 晶体
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Ni掺杂CdS电子结构和光学性质的第一性原理计算 被引量:4
18
作者 郭艳蕊 严慧羽 +2 位作者 宋庆功 陈逸飞 郭松青 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期130-132,共3页
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,对纤锌矿结构CdS和CdS∶Ni几何结构、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究。计算结果表明,Ni原子掺入CdS后晶格常量均减小,晶格发生局部畸变;Ni的掺杂在费米面附近引入杂... 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,对纤锌矿结构CdS和CdS∶Ni几何结构、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究。计算结果表明,Ni原子掺入CdS后晶格常量均减小,晶格发生局部畸变;Ni的掺杂在费米面附近引入杂质能级,极大地提高了CdS系统的导电性。光学性质的计算结果显示,掺杂导致在可见光区域出现了强度微弱的新吸收峰。所有结果表明,Ni掺杂CdS体系是极具潜力的透明导电材料。 展开更多
关键词 第一性原理 Ni掺杂CdS 电子结构 光学性质
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ZnO氧空位与掺杂原子相互作用第一性原理研究 被引量:8
19
作者 郭保智 刘永生 +3 位作者 武新芳 房文健 彭麟 高湉 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2014年第1期211-216,共6页
利用第一性原理对Ag,N,K三种不同族元素掺杂氧化锌的电子结构进行了研究,计算了完整晶胞和存在氧空位缺陷时掺杂晶胞的晶格结构、氧空位形成能、态密度及能带结构。氧空位会使受主掺杂的晶格常数及晶胞体积变大;在钾掺杂的晶胞中氧空位... 利用第一性原理对Ag,N,K三种不同族元素掺杂氧化锌的电子结构进行了研究,计算了完整晶胞和存在氧空位缺陷时掺杂晶胞的晶格结构、氧空位形成能、态密度及能带结构。氧空位会使受主掺杂的晶格常数及晶胞体积变大;在钾掺杂的晶胞中氧空位的形成能更低,更容易产生氧空位;三种不同的掺杂体系中,Ag掺杂的空穴电导率最高;最后分析了氧空位对三种掺杂体系导电性的影响。 展开更多
关键词 ZNO 掺杂 氧空位 第一性原理
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GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化及其压力效应 被引量:6
20
作者 吴晓薇 郭子政 阎祖威 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期75-80,共6页
考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别。在此基础上计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化。研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响。结果表明,电子势... 考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别。在此基础上计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化。研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响。结果表明,电子势垒高度、电子有效质量和电子激发态极化均随压力线性下降,但由于内建电场的作用造成电子波函数高度局域化,上述变化的幅度不大。 展开更多
关键词 光电子学 量子阱 内建电场 激发态极化 静压
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