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YVO4∶Eu^3+和YVO4∶Tb^3+纳米粒子的制备及发光性能研究 被引量:4
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作者 唐鹿 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期165-168,173,共5页
采用溶剂热法成功地制备出了YVO4∶Eu^3+和YVO4∶Tb^3+纳米粒子,并通过X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和荧光分光光度计分别对上述纳米粒子的晶体结构、粒子大小和光致发光谱进行表征和测试。结果表明,制备出的纳米粒子均为四方锆... 采用溶剂热法成功地制备出了YVO4∶Eu^3+和YVO4∶Tb^3+纳米粒子,并通过X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和荧光分光光度计分别对上述纳米粒子的晶体结构、粒子大小和光致发光谱进行表征和测试。结果表明,制备出的纳米粒子均为四方锆英石结构,其平均粒子尺寸为6~8nm,其中YVO4∶Eu^3+纳米粒子具有良好的红光发射,而YVO4∶Tb^3+纳米粒子并不发光。实验还对YVO4∶Eu^3+纳米粒子的发光机理和YVO4∶Tb^3+纳米粒子不发光原因进行了分析。 展开更多
关键词 YVO4∶Eu^3+ YVO4∶Tb^3+ 纳米粒子 发光性能
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由NiZn-Fe(Ⅱ)-Fe(Ⅲ)层状双金属氢氧化物前体制备NiZnFe2O4尖晶石磁性材料
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作者 祁欣 陈秀霞 +2 位作者 周小多 武懂涛 李峰 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期34-38,共5页
提出了一种由层状前体合成单一晶相镍锌尖晶石的方法,对NiZn-Fe(Ⅱ)-Fe(Ⅲ)SO4水滑石的制备进行了研究,合成了Ni2+、Zn2+、Fe2+、Fe3+摩尔比分别为1∶2∶5∶2,3∶3∶10∶4,2∶1∶5∶2,5∶1∶10∶4的系列水滑石层状前体;探讨了合成条件... 提出了一种由层状前体合成单一晶相镍锌尖晶石的方法,对NiZn-Fe(Ⅱ)-Fe(Ⅲ)SO4水滑石的制备进行了研究,合成了Ni2+、Zn2+、Fe2+、Fe3+摩尔比分别为1∶2∶5∶2,3∶3∶10∶4,2∶1∶5∶2,5∶1∶10∶4的系列水滑石层状前体;探讨了合成条件对晶体结构的影响,研究了层状前体焙烧产物的磁学特性。结果表明:四种摩尔比的配方均可制备出晶型较好的水滑石层状前体,焙烧产物为晶相单一的尖晶石铁氧体,其中当摩尔比为3∶3∶10∶4时,产物尖晶石铁氧体的磁学特性较高,比饱和磁化强度高达78.89 A.m2.kg-1。 展开更多
关键词 NiZn-Fe(Ⅱ)-Fe(Ⅲ)SO4水滑石 层状前体 尖晶石铁氧体 磁学特性
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SrCaSiO4:Eu^3+的光谱性能的研究
3
作者 孔丽 甘树才 +1 位作者 洪广言 尤洪鹏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期197-199,共3页
采用高温固相反应法制备了一种新的用于白光LED的红色荧光粉SrCaSiO4:Eu^3+,XRD表明其属于正交晶系,空间群Pmnb;在SrCaSiO4:Eu^3+的体系中掺入〈12%(原子分数)的Eu^3+不会引起相的转变。光谱测试表明,荧光粉的激发峰位于39... 采用高温固相反应法制备了一种新的用于白光LED的红色荧光粉SrCaSiO4:Eu^3+,XRD表明其属于正交晶系,空间群Pmnb;在SrCaSiO4:Eu^3+的体系中掺入〈12%(原子分数)的Eu^3+不会引起相的转变。光谱测试表明,荧光粉的激发峰位于397nm,能与近紫外LED相匹配,其发射峰位于612,592和586nm;在SrCaSiO4:Eu^3+的体系中Eu^3+的猝灭浓度约为10%(原子分数),其临界传递距离(Rc)约为1.2nm,测得样品的衰减曲线,并得到其荧光寿命τ约为3ms。 展开更多
关键词 白光LED SrCaSiO4:Eu^3+ 光谱
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绿色荧光粉NaCaPO4:Tb^3+的制备与发光特性 被引量:22
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作者 杨志平 王少丽 +3 位作者 杨广伟 田晶 李盼来 李旭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期81-84,共4页
采用高温固相法合成了适用于UVLED芯片激发的NaCaPO4∶Tb3+绿色荧光粉并对其发光性质进行了研究。该荧光粉的发射峰位于418,440,492,545,586,622nm,分别对应Tb3+的5D3→7F5、5D3→7F4、5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3能级跃迁... 采用高温固相法合成了适用于UVLED芯片激发的NaCaPO4∶Tb3+绿色荧光粉并对其发光性质进行了研究。该荧光粉的发射峰位于418,440,492,545,586,622nm,分别对应Tb3+的5D3→7F5、5D3→7F4、5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3能级跃迁。其中位于492,545nm的发射峰最强,样品发射很好的绿光。主要激发峰位于380~400nm之间,属于4f→4f电子跃迁吸收,与UVLED芯片的发射相匹配。考察了Tb3+掺杂浓度和Li+,Na+和K+作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响:Tb3+的最佳掺杂浓度为10%,以Li+的补偿效果最好。NaCaPO4∶Tb3+是一种适用于白光LED的绿色荧光材料。 展开更多
关键词 发光 荧光粉 NaCaPO4:Tb^3+ 白光LED
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溶胶-凝胶法制备Zn2SiO4:Eu^3+红色荧光粉 被引量:13
5
作者 邬洋 王永生 +4 位作者 何大伟 富鸣 陈震旻 李玥 苗锋 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期890-893,共4页
采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4基质中掺杂Eu3+,合成了红色荧光粉Zn2SiO4∶Eu3+。通过样品的X射线衍射光谱、红外光谱、扫描电镜以及光致发光光谱的测试和表征,研究了Zn2SiO4∶Eu3+的内部结构和发光特性。扫描电镜结果显示样品为球状荧光粉,... 采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4基质中掺杂Eu3+,合成了红色荧光粉Zn2SiO4∶Eu3+。通过样品的X射线衍射光谱、红外光谱、扫描电镜以及光致发光光谱的测试和表征,研究了Zn2SiO4∶Eu3+的内部结构和发光特性。扫描电镜结果显示样品为球状荧光粉,颗粒直径为1~3μm。在395 nm激发下,样品在613 nm处发射出很强的红光。结合荧光光谱,分析了样品的退火温度,Eu3+的浓度,电荷补偿剂Li+的浓度对样品发光强度的影响。研究发现,红色荧光粉Zn2SiO4∶Eu3+的发光强度随退火温度的升高而增加,发光强度随Eu3+和Li+浓度的增加先增大后减小。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 Zn2SiO4∶Eu3+ Eu3+浓度 Li+浓度
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YVO4:Eu^3+纳米荧光粉的水热法合成及其光致发光性能的研究 被引量:8
6
作者 汤珅 黄妙良 +3 位作者 杨纪元 玉富达 商光禄 吴季怀 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1429-1434,1445,共7页
以NaVO3,Y2O3,Eu2O3为原料,采用水热法在不同pH值(pH=6.5,8.2,10.1,13)条件下合成了具有不同形貌与颗粒尺寸的YVO4∶Eu3+纳米荧光粉。利用XRD,TEM和荧光光谱仪对样品的结构、形貌和光致发光性能进行了研究。实验结果表明:所合成样品均... 以NaVO3,Y2O3,Eu2O3为原料,采用水热法在不同pH值(pH=6.5,8.2,10.1,13)条件下合成了具有不同形貌与颗粒尺寸的YVO4∶Eu3+纳米荧光粉。利用XRD,TEM和荧光光谱仪对样品的结构、形貌和光致发光性能进行了研究。实验结果表明:所合成样品均为具有四方锆石结构的YVO4∶Eu3+纳米晶,溶液pH值对所合成样品的形貌与颗粒大小均有明显影响,而且光致发光性能与样品的形貌有关,YVO4∶Eu3+棒状纳米荧光粉因具有较高结晶度而具有较高的荧光强度。 展开更多
关键词 YVO4∶Eu3+ 水热法 纳米荧光粉 光致发光
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凝胶燃烧法合成Ca2SiO4:Eu^2+微晶及其发光性质的研究 被引量:7
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作者 杨志平 田晶 +3 位作者 李旭 杨广伟 王少丽 李盼来 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期368-371,共4页
利用凝胶燃烧法合成了可用于白光LED的Ca2SiO4:Eu2+微晶,并研究了其发光性质。以(C2H5O)4Si作为硅源,克服了传统的燃烧法无法将硅引入的困难,合成了纯相Ca2SiO4基质。与高温固相法相比,凝胶燃烧法制备的Ca2SiO4:Eu2+微晶呈现峰值为501 n... 利用凝胶燃烧法合成了可用于白光LED的Ca2SiO4:Eu2+微晶,并研究了其发光性质。以(C2H5O)4Si作为硅源,克服了传统的燃烧法无法将硅引入的困难,合成了纯相Ca2SiO4基质。与高温固相法相比,凝胶燃烧法制备的Ca2SiO4:Eu2+微晶呈现峰值为501 nm的绿色宽带发光,其发射光谱没有变化,可以被350~400 nm的UVLED管芯有效激发,但生成物分散性好,初始制备温度较低(500℃左右),颗粒平均尺寸小于1μm。 展开更多
关键词 Ca2SiO4:Eu2+ 凝胶燃烧法 微晶
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X射线增感屏用纳米CaWO4的Pechini溶胶-凝胶法制备及其光学性能 被引量:4
8
作者 杨志平 赵金鑫 +5 位作者 李小宁 刘海燕 李盼来 李旭 刘冲 杨勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期279-282,共4页
采用Pechini溶胶-凝胶法制得纳米级CaWO4荧光粉,通过X射线衍射图、扫描电镜和发射光谱对其形貌和发光性能进行了研究,结果表明750℃条件下所得样品为纯相CaWO4晶体,在X射线激发下发射峰位于420nm,与感蓝胶片的光谱灵敏度匹配良好。其粒... 采用Pechini溶胶-凝胶法制得纳米级CaWO4荧光粉,通过X射线衍射图、扫描电镜和发射光谱对其形貌和发光性能进行了研究,结果表明750℃条件下所得样品为纯相CaWO4晶体,在X射线激发下发射峰位于420nm,与感蓝胶片的光谱灵敏度匹配良好。其粒径在纳米量级且粒度分布集中是该方法所得CaWO4荧光粉的突出优点。将此荧光粉制成X射线增感屏并与市售同类产品相比,该增感屏可使感光片的成像质量显著提高。 展开更多
关键词 Pechini溶胶-凝胶法 X射线增感屏用荧光粉 CAWO4
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水热制备Sr(MoO4)x(WO4)1-x固溶体微晶及其发光性能 被引量:4
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作者 钟诚 吴云 +4 位作者 李涛 周婷 赖欣 毕剑 高道江 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期666-671,共6页
采用水热法制备了Sr(MoO4)x(WO4)1-x固溶体微晶。通过X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和荧光分析(FA)表征了微晶的结构、表面形貌和发光性能。XRD和FT-IR结果表明制备的Sr(MoO4)x(WO4)1-x微晶皆呈现典型... 采用水热法制备了Sr(MoO4)x(WO4)1-x固溶体微晶。通过X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和荧光分析(FA)表征了微晶的结构、表面形貌和发光性能。XRD和FT-IR结果表明制备的Sr(MoO4)x(WO4)1-x微晶皆呈现典型的四方晶相白钨矿结构。SEM结果表明制备的微晶为表面光滑且粒径均匀的球形颗粒。荧光发射光谱显示,在275 nm紫外光激发下,随着x值的增加,Sr(MoO4)x-(WO4)1-x固溶体微晶在350 nm处的发射逐渐减弱,470 nm处的发射逐渐增强。 展开更多
关键词 Sr(MoO4)x(WO4)1-x固溶体 水热法 发光性能
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Bi^3+激活的Sr2SiO4材料发光特性研究 被引量:3
10
作者 李盼来 庞立斌 +3 位作者 高少杰 王志军 杨志平 熊志军 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期67-70,共4页
采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4∶Bi3+发光材料。X射线衍射谱显示其为纯相的Sr2SiO4晶体。测量了Sr2SiO4∶Bi3+材料的激发与发射光谱,结果显示,材料的发射光谱为一单峰宽带,主峰位于441nm处;监测441nm发射峰,所得材料的激发光谱为一主峰... 采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4∶Bi3+发光材料。X射线衍射谱显示其为纯相的Sr2SiO4晶体。测量了Sr2SiO4∶Bi3+材料的激发与发射光谱,结果显示,材料的发射光谱为一单峰宽带,主峰位于441nm处;监测441nm发射峰,所得材料的激发光谱为一主峰位于376nm处的单峰宽带。研究了Bi3+掺杂浓度对Sr2SiO4∶Bi3+材料发射光谱的影响,结果显示,随Bi3+掺杂浓度的增大,Sr2SiO4∶Bi3+材料的发射光谱峰值强度表现出先增大后减小的趋势,在Bi3+掺杂物质的量浓度为3%时,可获得最大的峰值强度。加入电荷补偿剂Li+、Na+和K+,均提高了Sr2SiO4∶Bi3+材料发射光谱峰值强度,其中以加入Li+的情况最明显。 展开更多
关键词 Sr2SiO4∶Bi^3+ 发光特性 BI^3+ 电荷补偿
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荧光粉MPO4∶Eu3+,Bi3+/Tb3+(M=La,Gd,Y)的结构及发光性能研究 被引量:10
11
作者 金叶 王庆平 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期61-65,共5页
采用高温固相法合成了一系列MPO4∶Eu3+,Bi3+(M=La,Gd,Y)及MPO4∶Tb3+(M=La,Gd,Y)荧光粉材料,用X射线衍射(XRD)仪对样品结构进行了表征。所合成的LaPO4和GdPO4属单斜晶系,而YPO4属体心立方晶系。用Diamond软件对结构进行分析并绘出了晶... 采用高温固相法合成了一系列MPO4∶Eu3+,Bi3+(M=La,Gd,Y)及MPO4∶Tb3+(M=La,Gd,Y)荧光粉材料,用X射线衍射(XRD)仪对样品结构进行了表征。所合成的LaPO4和GdPO4属单斜晶系,而YPO4属体心立方晶系。用Diamond软件对结构进行分析并绘出了晶胞结构。对样品发光性质的研究结果表明,虽然MPO4(M=La,Gd,Y)均属于正磷酸盐,但由于晶格结构不同,其发光性质也不同。立方晶系的YPO4更有利于掺入其中的稀土离子的发光,Bi3+离子的引入能够明显改善样品的发光性能。 展开更多
关键词 荧光粉 磷酸盐 MPO4∶Eu3 Bi3+/Tb3+(M=La Gd Y) 晶格结构
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ZnAl2O4:Eu^3+红色发光材料的燃烧法合成与光谱性能研究 被引量:3
12
作者 梁玉军 李芳芳 +1 位作者 李永周 刘蓉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期98-100,共3页
采用燃烧法在550℃合成了红色纳米发光材料ZnAl2O4:Eu^3+,并用X射线粉末衍射对其结构进行了表征。XRD分析证实样品具有尖晶石结构的ZnAl2O4相。测定了样品的激发光谱和发射光谱,光谱数据表明:对应于Eu^3+的。^5D0→^7F2跃迁的发... 采用燃烧法在550℃合成了红色纳米发光材料ZnAl2O4:Eu^3+,并用X射线粉末衍射对其结构进行了表征。XRD分析证实样品具有尖晶石结构的ZnAl2O4相。测定了样品的激发光谱和发射光谱,光谱数据表明:对应于Eu^3+的。^5D0→^7F2跃迁的发射强度。^5D0→^7F0,1,3,4跃迁的发射强度,ZnAl2O4:Eu^3+ 形成红色发光材料,推测是由于基质结构的不对称性,Eu^3+在基质ZnAl2O4中占据非对称中心的格位所致。并考察了不同退火温度处理后,样品Eu^3+的^5D0→^7Fj跃迁辐射变化情况。 展开更多
关键词 ZnAl2O4:Eu^3+ 燃烧法 发光材料 铕离子
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蓝白色荧光材料Sr2SiO4:Ce^3+的溶胶-凝胶法制备及发光性能研究 被引量:4
13
作者 杨志平 赵金鑫 刘冲 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2008年第2期134-137,共4页
采用溶胶-凝胶法,在空气环境中合成了蓝白色Sr2SiO4:Ce3+荧光材料,合成温度为900℃,这远低于固相法制备同类硅酸盐材料所需温度.X射线衍射图表明,所得样品主要为纯相Sr2SiO4晶体.由扫描电子显微镜图像可知,样品一次颗粒尺度在2μm以下.... 采用溶胶-凝胶法,在空气环境中合成了蓝白色Sr2SiO4:Ce3+荧光材料,合成温度为900℃,这远低于固相法制备同类硅酸盐材料所需温度.X射线衍射图表明,所得样品主要为纯相Sr2SiO4晶体.由扫描电子显微镜图像可知,样品一次颗粒尺度在2μm以下.处于254 nm紫外光激发下,样品发射光谱为峰值位于472 nm的不对称单峰宽带谱,是典型的蓝白光发射.监测472 nm发射峰,得到其激发谱为近紫外连续光谱峰值位于272 nm,321 nm.通过改变Ce3+浓度,进一步研究了参杂浓度对发光强度的影响. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 荧光材料 发光性质 Sr2SiO4:Ce^3+
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ZnGa2O4长余辉发光特性的研究 被引量:2
14
作者 黄尚永 张希清 +1 位作者 黄海琴 姚志刚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2777-2780,共4页
以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 n... 以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga3+替代了部分Zn2+后相对变形八面体中Ga3+的2EA→4A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0*后变形八面体中氧空位向其周围的O2-的V0*→O2-跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因:温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn2+空位,从而多余的的Ga3+出现在这些空位上,其2EA到4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690 nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合。 展开更多
关键词 ZnGa2O4 长余辉 原料配比 烧结温度 发光特性
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新型LED红色荧光材料CaxSr1-x-y-zMoO4:yEu^3+,zNa^+的制备和表征 被引量:2
15
作者 曹发斌 田彦文 +1 位作者 陈永杰 肖林久 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期105-109,共5页
利用Na+为电荷补偿剂制备CaxSr1-x-y-zMoO4:yEu3+,zNa+红色LED荧光粉体.研究了电荷补偿剂的用量、基质材料中Ca2+的含量、合成温度、反应时间及发光中心Eu3+摩尔分数对荧光材料晶体结构和发光性能的影响.结果表明:最佳工艺条件为电荷补... 利用Na+为电荷补偿剂制备CaxSr1-x-y-zMoO4:yEu3+,zNa+红色LED荧光粉体.研究了电荷补偿剂的用量、基质材料中Ca2+的含量、合成温度、反应时间及发光中心Eu3+摩尔分数对荧光材料晶体结构和发光性能的影响.结果表明:最佳工艺条件为电荷补偿剂摩尔分数为6%,Eu3+摩尔分数为8%,Ca2+摩尔分数为60%,反应温度900℃和反应时间2 h.光谱测试结果表明,该荧光材料可被311,395或465 nm有效激发,发射峰在616 nm. 展开更多
关键词 CaxSr1-x-y-zMoO4:yEu^3+ zNa^+ LED 红色荧光粉 电荷补偿剂
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CaF2包覆Zn2SiO4:Mn^2+绿色荧光粉的发光性能研究 被引量:3
16
作者 李峰 梅桢 +4 位作者 张卫华 杨彬亚 杨溦 席增卫 王伍宝 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2013年第1期61-65,共5页
采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4:Mn2+荧光粉颗粒表面包覆一层CaF2薄膜,研究CaF2膜对Zn2SiO4:Mn2+荧光粉的表面形貌以及发光性能的影响。利用扫描电子显微镜、XPS光电子能谱仪、荧光光度计分析包膜荧光粉的表面形貌、成分、紫外发射特性,并在... 采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4:Mn2+荧光粉颗粒表面包覆一层CaF2薄膜,研究CaF2膜对Zn2SiO4:Mn2+荧光粉的表面形貌以及发光性能的影响。利用扫描电子显微镜、XPS光电子能谱仪、荧光光度计分析包膜荧光粉的表面形貌、成分、紫外发射特性,并在模拟的等离子显示器工作条件下测试材料的真空紫外特性,与未包覆的Zn2SiO4:Mn2+荧光粉的各项性能进行比较。结果表明,CaF2在Zn2SiO4:Mn2+荧光粉表面呈细小颗粒状弥散分布,包覆后的荧光粉的亮度得到了明显的提高,余辉时间没有改变,色坐标未发生较大漂移,此结论对于改善PDP的显示性能及降低其成本均具有重要意义。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 Zn2SiO4 MN^2+ 包覆 氟化钙 亮度 色坐标
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白光LEDs用颜色可调型荧光粉Ca9Al(PO4)7∶Tb3+,Sm3+的发光及能量传递 被引量:6
17
作者 田少华 乔峥 孙明生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1469-1477,共9页
采用高温固相法制备了一系列Tb^3+、Sm^3+和Tb^3+/Sm^3+掺杂的Ca9Al(PO4)7荧光粉。采用X射线衍射技术、光谱及荧光寿命等手段表征了材料的性能。以Tb^3+的380 nm激发峰作为激发源时,发现Ca 9Al-(PO 4)7∶Tb^3+,Sm^3+的发射光谱中既包含T... 采用高温固相法制备了一系列Tb^3+、Sm^3+和Tb^3+/Sm^3+掺杂的Ca9Al(PO4)7荧光粉。采用X射线衍射技术、光谱及荧光寿命等手段表征了材料的性能。以Tb^3+的380 nm激发峰作为激发源时,发现Ca 9Al-(PO 4)7∶Tb^3+,Sm^3+的发射光谱中既包含Tb 3+的5D 4-7F 6-3跃迁发射,又含有Sm 3+的4G 5/2-6H 5/2-9/2跃迁发射。当增加Sm 3+的掺杂量时,基于Tb^3+-Sm^3+间的能量传递,有效地增加了Ca9Al(PO 4)7∶Tb^3+,Sm^3+的发射强度,能量传递的机理是电偶极-电偶极相互作用。另外,Ca 9Al(PO4)7∶Tb^3+,Sm^3+的量子效率可以达到50.6%。上述结果表明,Ca9Al(PO4)7∶Tb^3+,Sm^3+材料在紫外-近紫外白光LEDs领域具有一定的潜在应用价值。 展开更多
关键词 发光 荧光粉 能量传递 Ca9Al(PO4)7:Tb3+ Sm3+
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Tb^3+掺杂对Sr2CeO4∶Eu^3+发光性能的影响 被引量:2
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作者 樊国栋 赵琪 +1 位作者 陈华 李阿峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1226-1229,共4页
以尿素为燃料硼酸为助熔剂,采用燃烧法合成了Sr2CeO4∶Eu3+、Tb3+发光材料。测试结果表明,当Tb3+的掺杂为1%(摩尔分数)时,合成的样品为单相Sr2CeO4斜方晶系结构,其样品的激发光谱为240~370nm的宽带双峰,发射光谱为400~550nm宽带峰,余... 以尿素为燃料硼酸为助熔剂,采用燃烧法合成了Sr2CeO4∶Eu3+、Tb3+发光材料。测试结果表明,当Tb3+的掺杂为1%(摩尔分数)时,合成的样品为单相Sr2CeO4斜方晶系结构,其样品的激发光谱为240~370nm的宽带双峰,发射光谱为400~550nm宽带峰,余辉衰减曲线的结果显示,适量的掺杂Tb3+可以提高产品的发光性能。与Sr2CeO4∶Eu3+相比,掺杂Tb3+有利于形成结晶度好的固溶体,样品的发光强度明显提高。 展开更多
关键词 燃烧法 Sr2CeO4∶Eu3+、Tb3+ 发光材料
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Tb^3+和Na2WO4共掺杂SiO2材料的制备及其发光性质 被引量:4
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作者 王喜贵 李霞 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期260-264,共5页
通过溶胶-凝胶技术制备了稀土离子Tb3+和Na2WO4共掺杂的SiO2材料,利用DTA-TG,IR,XRD等测试手段研究了材料的结构。材料属于非晶态,800℃退火后Tb3+和Na2WO4共掺杂样品的主要结构为SiO2的网状结构。通过三维荧光光谱,荧光激发光谱和发射... 通过溶胶-凝胶技术制备了稀土离子Tb3+和Na2WO4共掺杂的SiO2材料,利用DTA-TG,IR,XRD等测试手段研究了材料的结构。材料属于非晶态,800℃退火后Tb3+和Na2WO4共掺杂样品的主要结构为SiO2的网状结构。通过三维荧光光谱,荧光激发光谱和发射光谱,分析探讨了Na2WO4对掺稀土离子的SiO2体系发光性质的影响。结果显示,在230nm激发下,样品显示Tb3+的5D4—7Fj(j=4,5,6)和5D3—7Fj(j=4,5,6)发射光谱,在紫外灯的照射下,发射均匀的蓝绿色荧光,说明样品掺杂均匀且分散性较好。Na2WO4的掺入,并不影响Tb3+在SiO2基质中的发射峰的主要位置,但对发光强度有很大的影响,敏化了5D4—7F6蓝色跃迁而猝灭了5D4—7F5绿色跃迁,使材料发射蓝绿色荧光。文章通过所得的能级图,对样品的跃迁机理进行了分析。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶技术 Tb^3+和Na2WO4共掺杂SiO2体系 发光性质
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无缺陷PbWO4晶体光学性质的模拟计算 被引量:2
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作者 刘廷禹 张启仁 庄松林 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1241-1244,共4页
利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似研究PbWO4(PWO)晶体的光学性质.计算了完整的PWO晶体的电子结构、复数折射率、介电函数、光电导谱和吸收光谱.介电函数的虚部、吸收光谱、折射率等的峰值位置存在一一对应关系,这与电子从价带到导... 利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似研究PbWO4(PWO)晶体的光学性质.计算了完整的PWO晶体的电子结构、复数折射率、介电函数、光电导谱和吸收光谱.介电函数的虚部、吸收光谱、折射率等的峰值位置存在一一对应关系,这与电子从价带到导带的跃迁吸收有关.完整的PWO晶体在可见光范围内没有吸收,所以完整的PWO晶体是无色透明的晶体. 展开更多
关键词 PBWO4晶体 电子结构 光学性质
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