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质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响
被引量：
3
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作者
李娜
陆卫
+9 位作者
李宁
刘兴权
袁先漳
窦红飞
沈学础
FU Lan
tan h h
C Jagadis
h
M B Jo
h
nston
M Gal
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期25-28,共4页
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火...
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火条件为950℃、30s时,峰值探测波长移动2μm.
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关键词
质子注入
快速退火
量子阱红外探测器
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职称材料
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整
被引量：
1
2
作者
李娜
李宁
+8 位作者
陆卫
刘兴权
窦红飞
沈学础
Fu Lan
tan h h
Jagadis
h
C
Jo
h
nston M B
Gal M
《量子电子学报》
CAS
CSCD
2000年第1期31-35,共5页
本文介绍利用界面混合技术对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量（５ｘ１０４～５ｘ１０１５ｃｍ２）的增加从...
本文介绍利用界面混合技术对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量（５ｘ１０４～５ｘ１０１５ｃｍ２）的增加从７６６ｕｍ持续蓝移至７５３ｕｍ，光响应峰值波长从８．２ｕｍ移至１０．３ｕｍ．
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关键词
质子注入
快速退火
砷化镓
红外探测器
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职称材料
题名
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响
被引量：
3
1
作者
李娜
陆卫
李宁
刘兴权
袁先漳
窦红飞
沈学础
FU Lan
tan h h
C Jagadis
h
M B Jo
h
nston
M Gal
机构
中国科学院上海技术物理研究所
Department of Electronic Materials Engineering
School of Physics
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期25-28,共4页
文摘
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火条件为950℃、30s时,峰值探测波长移动2μm.
关键词
质子注入
快速退火
量子阱红外探测器
Keywords
proton implantation, rapid thermal annealing, QWIP.
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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题名
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整
被引量：
1
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作者
李娜
李宁
陆卫
刘兴权
窦红飞
沈学础
Fu Lan
tan h h
Jagadis
h
C
Jo
h
nston M B
Gal M
机构
中国科学院上海技术物理研究所
Department of Electronic Materials Engineering
School of Physics
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
2000年第1期31-35,共5页
文摘
本文介绍利用界面混合技术对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量（５ｘ１０４～５ｘ１０１５ｃｍ２）的增加从７６６ｕｍ持续蓝移至７５３ｕｍ，光响应峰值波长从８．２ｕｍ移至１０．３ｕｍ．
关键词
质子注入
快速退火
砷化镓
红外探测器
Keywords
H+ ion implanlantation, rapid therma, annealing, GaAs/AlGaAs, QWIP
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响
李娜
陆卫
李宁
刘兴权
袁先漳
窦红飞
沈学础
FU Lan
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C Jagadis
h
M B Jo
h
nston
M Gal
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
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2
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整
李娜
李宁
陆卫
刘兴权
窦红飞
沈学础
Fu Lan
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Jagadis
h
C
Jo
h
nston M B
Gal M
《量子电子学报》
CAS
CSCD
2000
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