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Development and Prospect of SiC Power Devices in Power Grid
被引量：
42
1
作者
sheng kuang guo qing zhang junming qian zhaoming
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2012年第30期I0001-I0001,3,共1页
碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率半导体器件的最新发展进行回顾,包括碳化硅功率二极管、MOSFET、IGBT和...
碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率半导体器件的最新发展进行回顾,包括碳化硅功率二极管、MOSFET、IGBT和晶闸管,对其在电力系统的应用现状与前景进行展望。高压大容量碳化硅功率半导体器件的迅速发展,将对电力系统的发展带来深远的影响。
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关键词
功率器件
电网
SiC
电力电子系统
可再生能源资源
展望
半导体开关
能源技术
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职称材料
题名
Development and Prospect of SiC Power Devices in Power Grid
被引量：
42
1
作者
sheng kuang guo qing zhang junming qian zhaoming
机构
Zhejiang University
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2012年第30期I0001-I0001,3,共1页
基金
国家863高技术基金项目（2011AA050401）
文摘
碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率半导体器件的最新发展进行回顾,包括碳化硅功率二极管、MOSFET、IGBT和晶闸管,对其在电力系统的应用现状与前景进行展望。高压大容量碳化硅功率半导体器件的迅速发展,将对电力系统的发展带来深远的影响。
关键词
功率器件
电网
SiC
电力电子系统
可再生能源资源
展望
半导体开关
能源技术
Keywords
Silicon Carbide （SIC）
power device
power grid
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TM727 [电气工程—电力系统及自动化]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
Development and Prospect of SiC Power Devices in Power Grid
sheng kuang guo qing zhang junming qian zhaoming
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2012
42
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