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激光脉冲退火提高器件的性能: 1; 作者 Y.Wang j.hebb +1 位作者 D.Owen A.M.Hawryluk 《集成电路应用》 2009年第5期33-36,共4页; 毫秒和微秒级别的LSA退火工艺可以提高逻辑器件和存储器器件的性能。降低热预算需要更短时间的退火工艺。; 关键词逻辑器件退火工艺激光脉冲性能存储器 LSA 微秒级; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	激光脉冲退火提高器件的性能	Y.Wang j.hebb D.Owen A.M.Hawryluk	《集成电路应用》	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料

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