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用于应变硅和化合物半导体的锗前驱物: 1; 作者 Egbert Woelk Deo Shenai +1 位作者 Peter Storck isabelle sagnes 《集成电路应用》 2006年第6期22-23,共2页; 随着Ge重要性的提高,需要寻找比GeH4更适用的前驱物。本文对用于应变Si和化合物半导体集成电路的两种新型Ge前驱物的品质特性进行了探讨。; 关键词化合物半导体前驱物应变硅半导体集成电路品质特性锗 Ge SI; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用于应变硅和化合物半导体的锗前驱物	Egbert Woelk Deo Shenai Peter Storck isabelle sagnes	《集成电路应用》	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料

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