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适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
1
作者
龚裕才
邹修庆
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期48-50,共3页
本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统Ｖ形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统Ｖ形槽介质隔离方法的不足，给出了新的介质隔离方法的工艺路线，介绍了该方法在抗辐照集成稳压器中的应用。
关键词
介质隔离
集成电路
硅
硅片粘合
绝缘体
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职称材料
题名
适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
1
作者
龚裕才
邹修庆
机构
重庆电子工业部第
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期48-50,共3页
文摘
本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统Ｖ形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统Ｖ形槽介质隔离方法的不足，给出了新的介质隔离方法的工艺路线，介绍了该方法在抗辐照集成稳压器中的应用。
关键词
介质隔离
集成电路
硅
硅片粘合
绝缘体
Keywords
SOI,Dielectric isolation,Radiation hardening,Integrated voltage regulator
分类号
TN405.95 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
龚裕才
邹修庆
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995
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