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基于IPD技术的LC滤波器制备工艺 被引量:2
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作者 徐亚新 梁广华 +4 位作者 庄治学 龚孟磊 刘晓兰 周拥华 王康 《电子工艺技术》 2024年第1期6-9,38,共5页
介质层制备工艺是基于IPD技术的LC滤波器制备的关键工艺。从介质层的制备流程入手,研究了影响PI介质层质量的匀胶、曝光、固化三个关键工艺因素,确定了LC滤波器中介质层的制备工艺参数,实现了厚度8μm、厚度均匀性优于5%、最小互连孔径2... 介质层制备工艺是基于IPD技术的LC滤波器制备的关键工艺。从介质层的制备流程入手,研究了影响PI介质层质量的匀胶、曝光、固化三个关键工艺因素,确定了LC滤波器中介质层的制备工艺参数,实现了厚度8μm、厚度均匀性优于5%、最小互连孔径25μm的介质层制备。按此工艺参数加工,得到LC滤波器样件,经性能测试,所制备LC滤波器的电学性能满足设计指标要求。 展开更多
关键词 IPD技术 LC滤波器 介质层
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高可靠性氮化铝基功率负载加工工艺研究 被引量:4
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作者 徐亚新 赵飞 +3 位作者 何超 龚孟磊 庄治学 梁广华 《电子工艺技术》 2020年第2期99-102,共4页
采用氮化铝基板进行功率负载制备,可满足通信系统对高散热的要求。针对氮化铝基板耐碱性差和易水解性等特性,从工艺流程入手,对影响器件长期可靠性的互连孔制备、膜层附着力提高等关键技术和重要因素进行了分析。研制的氮化铝基功率负载... 采用氮化铝基板进行功率负载制备,可满足通信系统对高散热的要求。针对氮化铝基板耐碱性差和易水解性等特性,从工艺流程入手,对影响器件长期可靠性的互连孔制备、膜层附着力提高等关键技术和重要因素进行了分析。研制的氮化铝基功率负载在0~40 GHz频段内,经过国军标可靠性试验后性能保持稳定,耐受功率达30 W,实现了高可靠性高功率负载的制备。 展开更多
关键词 氮化铝 功率负载 高可靠性 高功率
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一种基于石英基板的功分器制备研究 被引量:1
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作者 梁广华 贾世旺 +4 位作者 兰宝岩 赵飞 徐亚新 龚孟磊 刘晓兰 《电子工艺技术》 2018年第4期198-200,222,共4页
石英基板在高频毫米波太赫兹频段具有介电常数低和损耗低等优点,但是石英基板电路尤其是薄石英基板电路的加工难度较大。利用薄膜电路加工技术在石英基板上加工出一款分路器。通过对石英基板威尔金森功分器的研究和制备,分析并解决了含... 石英基板在高频毫米波太赫兹频段具有介电常数低和损耗低等优点,但是石英基板电路尤其是薄石英基板电路的加工难度较大。利用薄膜电路加工技术在石英基板上加工出一款分路器。通过对石英基板威尔金森功分器的研究和制备,分析并解决了含电阻石英薄膜电路基板加工中电阻图形化、电阻退火热处理和划切工艺的难点,并提出了一些新的方法,对石英基板在高频微波电路领域的应用具有较好的借鉴意义。 展开更多
关键词 石英基板 薄膜电路 TaN电阻 高频微波电路 功分器
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基于微同轴三维金属结构应用的厚胶光刻工艺
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作者 龚孟磊 徐亚新 +2 位作者 庄治学 刘晓兰 柴昭尔 《电子工艺技术》 2022年第4期231-233,237,共4页
微同轴三维金属结构具有超宽带、无色散、低损耗、高功率容量、高隔离度和小体积的特点,应用于导航、通信、雷达等众多领域。厚胶光刻工艺是微同轴三维金属结构制备的关键工艺。通过对一款负性光刻胶开展厚胶光刻工艺研究,优化了厚胶光... 微同轴三维金属结构具有超宽带、无色散、低损耗、高功率容量、高隔离度和小体积的特点,应用于导航、通信、雷达等众多领域。厚胶光刻工艺是微同轴三维金属结构制备的关键工艺。通过对一款负性光刻胶开展厚胶光刻工艺研究,优化了厚胶光刻中的匀胶、前烘和曝光工艺,解决了厚胶光刻工艺中容易出现的均匀性差、胶膜破裂的问题,实现了厚度110μm,分辨率30μm的厚胶图形的制备,达到了微同轴三维金属结构制备的工艺指标要求。 展开更多
关键词 微同轴 光刻工艺 厚胶
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