期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
p型金刚石欧姆接触的研究 被引量:2
1
作者 龙闰 戴瑛 +2 位作者 刘东红 俞琳 闫翠霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期44-47,共4页
金刚石的欧姆接触是制造半导体器件的关键技术之一。简要综述了近年来p型金刚石制备欧姆接触的研究进展,结合器件的发展和实际工艺的要求,讨论了改善欧姆接触特性的途径和方法,指出目前存在急需解决的一些问题。
关键词 P型金刚石 欧姆接触 金属
在线阅读 下载PDF
硼/氢掺杂金刚石薄膜导电特性研究 被引量:2
2
作者 刘东红 闫翠霞 +3 位作者 俞琳 胡连军 龙闰 戴瑛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期495-497,共3页
金刚石是非常理想的功能器件材料,由于室温下金刚石缺少浅施主态,已成为金刚石作为电子器件材料的主要障碍之一。最近报道显示,硼掺杂同质外延金刚石层暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导。研究了CVD合成类Ⅰb型金刚石薄膜,通过... 金刚石是非常理想的功能器件材料,由于室温下金刚石缺少浅施主态,已成为金刚石作为电子器件材料的主要障碍之一。最近报道显示,硼掺杂同质外延金刚石层暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导。研究了CVD合成类Ⅰb型金刚石薄膜,通过硼、氢离子注入掺杂及退火温度对金刚石薄膜导电特性的影响。 展开更多
关键词 金刚石 掺杂 离子注入 喇曼光谱
在线阅读 下载PDF
氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究
3
作者 俞琳 刘东红 +3 位作者 胡连军 戴瑛 龙闰 闫翠霞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1837-1838,共2页
室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一。最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级。本文分析研究了目前p型金刚石出... 室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一。最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级。本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展。 展开更多
关键词 金刚石 氘化 n型电导 掺杂
在线阅读 下载PDF
非绝热分子动力学模拟A位阳离子对钙钛矿热载流子弛豫的影响 被引量:1
4
作者 贺进禄 龙闰 方维海 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期439-446,共8页
钙钛矿具有优异的光学和电学性质,近年来成为太阳能电池领域的研究热点.大量实验报道钙钛矿热载流子弛豫时间变化顺序为CsPbBr 3>MAPbBr 3(MA=CH 3NH 3)>FAPbBr 3[FA=HC(NH 2)2],但A位阳离子(Cs+,MA+,FA+)对弛豫快慢的影响机制仍... 钙钛矿具有优异的光学和电学性质,近年来成为太阳能电池领域的研究热点.大量实验报道钙钛矿热载流子弛豫时间变化顺序为CsPbBr 3>MAPbBr 3(MA=CH 3NH 3)>FAPbBr 3[FA=HC(NH 2)2],但A位阳离子(Cs+,MA+,FA+)对弛豫快慢的影响机制仍不明确.采用基于含时密度泛函理论的非绝热动力学方法研究了上述3种钙钛矿热电子和热空穴的能量弛豫动力学,计算得到的热载流子弛豫时间与实验结果吻合.结果表明,A位阳离子通过静电和氢键作用影响其与无机Pb—Br骨架的电子-振动耦合,使非绝热耦合强度遵从FAPbBr 3>MAPbBr 3>CsPbBr 3的变化趋势,进而使热载流子弛豫时间尺度变化趋势与之相同,表明合理选择A位阳离子可以优化钙钛矿太阳能电池的性能. 展开更多
关键词 钙钛矿 A位阳离子 热载流子能量弛豫 非绝热动力学 含时密度泛函理论
在线阅读 下载PDF
纳米孔缺陷导致单层黑磷电荷局域极大抑制非辐射电子-空穴复合的时域模拟 被引量:1
5
作者 卢浩然 魏雅清 龙闰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第5期43-51,共9页
通常认为缺陷加速黑磷的非辐射电子-空穴复合,阻碍器件性能的持续提高。实验打破了这一认识。采用含时密度泛函理论结合非绝热分子动力学,我们发现P―P伸缩振动驱动非辐射电子-空穴复合,使纳米孔修饰的单层黑磷的激发态寿命比完美体系... 通常认为缺陷加速黑磷的非辐射电子-空穴复合,阻碍器件性能的持续提高。实验打破了这一认识。采用含时密度泛函理论结合非绝热分子动力学,我们发现P―P伸缩振动驱动非辐射电子-空穴复合,使纳米孔修饰的单层黑磷的激发态寿命比完美体系延长了约5.5倍。这主要归因于三个因素。一,纳米孔结构不但没有在禁带中引入深能级缺陷,而且由于价带顶下移使带隙增加了0.22eV。二,除了带隙增加,纳米孔减小了电子和空穴波函数重叠,并抑制了原子核热运动,从而使非绝热耦合降低至完美体系的约1/2。三,退相干时间比完美体系延长了1.5倍。前两个因素战胜了第三个因素,使纳米孔结构激发态寿命延长至2.74 ns,而其在完美体系中约为480 ps。我们的研究表明可以制造合理数量和形貌的缺陷,如纳米孔,降低黑磷非辐射电子-空穴复合,提高光电器件效率。这一研究对于理解和调控黑磷和其它二维材料的激发态性质有重要意义。 展开更多
关键词 单层黑磷 纳米孔缺陷 非辐射电子-空穴复合 含时密度泛函理论 非绝热分子动力学
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部