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具有可见光光催化活性N掺杂纳米二氧化钛的制备和表征
被引量：
8
1
作者
彭兵
刘立强
+3 位作者
齐萨仁
柴立元
刘云超
李国良
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期944-949,共6页
以廉价的TiOSO4为原料,通过水解法制备正钛酸前驱体,然后,向正钛酸前驱体中加入尿素作为氮源,经煅烧制备氮掺杂纳米二氧化钛。用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、热重-差热分析和X射线光电子能谱等方法对制备的样品进行表征,考察煅烧温...
以廉价的TiOSO4为原料,通过水解法制备正钛酸前驱体,然后,向正钛酸前驱体中加入尿素作为氮源,经煅烧制备氮掺杂纳米二氧化钛。用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、热重-差热分析和X射线光电子能谱等方法对制备的样品进行表征,考察煅烧温度、煅烧时间及Ti与N配比等对光催化活性的影响。研究结果表明:制备的样品均为锐钛矿,氮掺杂使二氧化钛在可见光区的光吸收明显增强;煅烧温度和Ti与N配比对光催化性能影响显著;于400℃制备的样品中存在1个最佳的Ti与N配比,所对应的可见光催化活性最强,甲基橙降解实验15min时脱色率达到97%。
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关键词
硫酸氧钛
氮掺杂TiO2
尿素
可见光
光催化
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职称材料
覆盖银纳米线层硅基MEMS过滤芯片
2
作者
李书明
史文琪
+2 位作者
齐萨仁
杨国勇
蔡勇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第12期945-950,966,共7页
通过在悬栅状微结构支架上涂覆银纳米线,制备出亚微米级孔径的微电子机械系统(MEMS)过滤芯片,并研究了该芯片的颗粒过滤性能以及相关影响因素。利用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺,在二氧化硅片上双面刻蚀形成悬栅状结构。随后,利...
通过在悬栅状微结构支架上涂覆银纳米线,制备出亚微米级孔径的微电子机械系统(MEMS)过滤芯片,并研究了该芯片的颗粒过滤性能以及相关影响因素。利用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺,在二氧化硅片上双面刻蚀形成悬栅状结构。随后,利用分散液中银纳米线的均匀分布性和高比表面积,将高长径比的银纳米线均匀地涂覆到此结构的亲水性二氧化硅层上。干燥后,在重力及液体挥发作用下银纳米线和支架层紧密贴合,制成覆盖银纳米线过滤层的硅基MEMS过滤芯片。与硅基支架结构相比,覆盖较低质量浓度银纳米线的芯片对PM10-2.5的过滤效率提高了2.5倍,达到73.79%,压差仅增加了30 Pa(空气流速为0.33 m/s)。当芯片覆盖有较高质量浓度的银纳米线时,PM2.5过滤效率达到86.63%;PM10-2.5过滤效率上升到96.67%。在相同测试条件下,过滤芯片压差增加到1 200 Pa。
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关键词
微电子机械系统(MEMS)
二氧化硅
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀
颗粒过滤
银纳米线
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职称材料
题名
具有可见光光催化活性N掺杂纳米二氧化钛的制备和表征
被引量：
8
1
作者
彭兵
刘立强
齐萨仁
柴立元
刘云超
李国良
机构
中南大学冶金科学与工程学院
出处
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期944-949,共6页
基金
湖南省科技厅科技计划项目(2007CK3075)
文摘
以廉价的TiOSO4为原料,通过水解法制备正钛酸前驱体,然后,向正钛酸前驱体中加入尿素作为氮源,经煅烧制备氮掺杂纳米二氧化钛。用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、热重-差热分析和X射线光电子能谱等方法对制备的样品进行表征,考察煅烧温度、煅烧时间及Ti与N配比等对光催化活性的影响。研究结果表明:制备的样品均为锐钛矿,氮掺杂使二氧化钛在可见光区的光吸收明显增强;煅烧温度和Ti与N配比对光催化性能影响显著;于400℃制备的样品中存在1个最佳的Ti与N配比,所对应的可见光催化活性最强,甲基橙降解实验15min时脱色率达到97%。
关键词
硫酸氧钛
氮掺杂TiO2
尿素
可见光
光催化
Keywords
industrial titanium sulphate solution
N-doped TiO2
urea
visible light
photocatalysis
分类号
TQ134.11 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
覆盖银纳米线层硅基MEMS过滤芯片
2
作者
李书明
史文琪
齐萨仁
杨国勇
蔡勇
机构
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院纳米器件与应用重点实验室
苏州苏瑞膜纳米科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第12期945-950,966,共7页
文摘
通过在悬栅状微结构支架上涂覆银纳米线,制备出亚微米级孔径的微电子机械系统(MEMS)过滤芯片,并研究了该芯片的颗粒过滤性能以及相关影响因素。利用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺,在二氧化硅片上双面刻蚀形成悬栅状结构。随后,利用分散液中银纳米线的均匀分布性和高比表面积,将高长径比的银纳米线均匀地涂覆到此结构的亲水性二氧化硅层上。干燥后,在重力及液体挥发作用下银纳米线和支架层紧密贴合,制成覆盖银纳米线过滤层的硅基MEMS过滤芯片。与硅基支架结构相比,覆盖较低质量浓度银纳米线的芯片对PM10-2.5的过滤效率提高了2.5倍,达到73.79%,压差仅增加了30 Pa(空气流速为0.33 m/s)。当芯片覆盖有较高质量浓度的银纳米线时,PM2.5过滤效率达到86.63%;PM10-2.5过滤效率上升到96.67%。在相同测试条件下,过滤芯片压差增加到1 200 Pa。
关键词
微电子机械系统(MEMS)
二氧化硅
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀
颗粒过滤
银纳米线
Keywords
micro-electromechanical system(MEMS)
SiO2
inductively coupled plasma (ICP) etching
particle filtration
silver nanowire
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有可见光光催化活性N掺杂纳米二氧化钛的制备和表征
彭兵
刘立强
齐萨仁
柴立元
刘云超
李国良
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
覆盖银纳米线层硅基MEMS过滤芯片
李书明
史文琪
齐萨仁
杨国勇
蔡勇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
0
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职称材料
已选择
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