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基于InP DHBT 220 GHz高增益功率放大器TMIC设计
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作者 黎雨坤 张勇 +3 位作者 李骁 陈亚培 靳赛赛 崔建行 《微波学报》 CSCD 北大核心 2018年第A01期263-265,共3页
基于0.5μmInPDHBT工艺设计了一款工作在220GHz的两级太赫兹单片集成电路。该电路采用共发射极共基级结构与薄膜微带线工艺,保证了该功率放大器具有紧凑的结构的同时又具有较高的增益,该功率放大器芯片面积为1400μm×1400μm,在215... 基于0.5μmInPDHBT工艺设计了一款工作在220GHz的两级太赫兹单片集成电路。该电路采用共发射极共基级结构与薄膜微带线工艺,保证了该功率放大器具有紧凑的结构的同时又具有较高的增益,该功率放大器芯片面积为1400μm×1400μm,在215~225 GHz频率范围内增益大于20 dB,在215 GHz处小信号增益达到最大值为23.3 dB,此外,在220 GHz处的饱和输出功率为3.45 dBm。该功率放大器芯片的成功研制将对构建一个220 GHz发射前端具有重要的意义,目前电路正在流片制作当中。 展开更多
关键词 磷化铟双异质结双极晶体管 太赫兹单片集成电路 功率放大器 共发射极共基级
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一种新型220GHz太赫兹分谐波混频器设计 被引量:3
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作者 崔建行 刘晓宇 +2 位作者 黎雨坤 夏德娇 张勇 《微波学报》 CSCD 北大核心 2018年第A01期255-258,共4页
设计了一款基于肖特基势垒二极管和改进型CSMRs滤波器结构的新型220GHz太赫兹分谐波混频器。射频端采用基片打孔并镀金的方式实现直流接地。本振低通滤波器和中频低通滤波器均采用不同的改进型CSMRs滤波器结构,与常用的高低阻抗滤波器相... 设计了一款基于肖特基势垒二极管和改进型CSMRs滤波器结构的新型220GHz太赫兹分谐波混频器。射频端采用基片打孔并镀金的方式实现直流接地。本振低通滤波器和中频低通滤波器均采用不同的改进型CSMRs滤波器结构,与常用的高低阻抗滤波器相比,明显减少了滤波器的尺寸,具有更宽的阻带。整个混频器电路采用50um厚的石英基片,本振部分采用悬置微带形式,中频部分采用微带形式。经过仿真优化设计,本振驱动功率3.5mW,射频功率0.1mW,固定本振频率120GHz,仿真结果表明:在射频频段201GHz—239GHz范围内,变频损耗优于8dB,最小变频损耗是7dB@219GHz。其中,射频频段210GHz—230 GHz内,变频损耗优于7.3dB。在射频频段189GHz—242GHz范围内,回波损耗优于10dB。本论文的工作对于太赫兹分谐波混频器等器件的集成化和小型化研究具有重要的意义。 展开更多
关键词 CSMRs滤波器 太赫兹技术 分谐波混频器 肖特基势垒二极管
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A terahertz on-chip InP-based power combiner designed using coupled-grounded coplanar waveguide lines
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作者 Huali Zhu Yong Zhang +4 位作者 Kun Qu Haomiao Wei Yukun Li Yuehang Xu Ruimin Xu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第12期329-333,共5页
This article presents the design and performance of a terahertz on-chip coupled-grounded coplanar waveguide(GCPW)power combiner using a 50μm-thick InP process.The proposed topology uses two coupled-GCPW lines at the ... This article presents the design and performance of a terahertz on-chip coupled-grounded coplanar waveguide(GCPW)power combiner using a 50μm-thick InP process.The proposed topology uses two coupled-GCPW lines at the end of the input port to substitute two quarter-wavelength GCPW lines,which is different from the conventional Wilkinson power combiner and can availably minimize the coverage area.According to the results obtained,for the frequency range of 210-250 GHz,the insertion losses for each two-way combiner and four-way combiner were lower than 1.05 dB and1.35 dB,respectively,and the in-band return losses were better than 11 dB.Moreover,the proposed on-chip GCPW-based combiners achieved a compromise in low-loss,broadband,and small-size,which can find wide applications in terahertz bands,such as power amplifiers and signal distribution networks. 展开更多
关键词 coupled-GCPW InP technology terahertz monolithic integrated circuits(TMICs) Wilkinson power combiner
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