题名 一种恒温晶振专用集成电路芯片设计
被引量：1
1
作者
黎敏强 路烜 赵瑞华 陈中平 王占奎
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期832-835,共4页
文摘
介绍了一种基于BiCMOS工艺的恒温晶振专用集成电路芯片。该芯片集成了分立式恒温晶振的大部分有源和无源器件,包括稳压、振荡、控温和输出缓冲等单元电路。稳压、振荡等对相位噪声影响较大的电路其关键部分采用双极工艺器件设计;控温、输出缓冲等电路采用CMOS工艺器件设计;二者结合降低相位噪声的同时减少了芯片版图面积。稳压电路引入了动态补偿网络,以增强电路稳定性;振荡电路采用科尔匹兹并联振荡电路,该电路所需器件少且工作稳定,利于集成。实测结果表明,用该芯片结合10 MHz SC切晶体谐振器研制的恒温晶振样品相位噪声达到-103 dBc/Hz@1 Hz,-128 dBc/Hz@10 Hz,-142 dBc/Hz@100 Hz,-151 dBc/Hz@1 kHz;频率-温度稳定性在-55～+70℃范围内优于±2×10-8。
关键词
恒温晶振(OCXO) 专用集成电路(ASIC) 相位噪声 频率-温度稳定性 晶体谐振器
Keywords
oven control crystal oscillator （OCXO） application specific integrated circuit （ASIC） phase noise temperature-frequency stability crystal resonator
分类号
TN752
[电子电信—电路与系统]
题名 恒温温补石英晶体振荡器
被引量：1
2
作者
黎敏强 孙敏 陈中平 王占奎
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期122-125,共4页
文摘
提出了一种恒温温补晶振(OCTCXO)的实现方法,该OCTCXO由两部分组成:温度补偿晶体振荡器(TCXO)和恒温槽。TCXO放置在恒温槽中,恒温槽是一个负反馈自动控制系统,当环境温度小于恒温槽设定的温度时,OCTCXO相当于一个恒温晶体振荡器(OCXO);当环境温度大于恒温槽设定的温度时,恒温槽停止工作,整个OCTCXO的频率-温度稳定性由TCXO决定,由于OCTCXO最高工作温度与恒温槽设定的温度之间的温度区间很小,使得TCXO在该温度区间内的频率-温度稳定性得到较大的改善,从而提高OCTCXO的频率-温度稳定性。实验结果表明,该OCTCXO标称频率10 MHz,在-40～70℃温度范围内频率-温度稳定性为±1×10-7;最大功耗为1.15 W,常温工作时功耗为410 mW;体积为21.0 mm×13.0 mm×5.1 mm。
关键词
恒温晶体振荡器 温度补偿晶体振荡器 石英晶体振荡器 频率-温度稳定性 功耗
Keywords
oven controlled crystal oscillator （OCXO） temperature compensated crystal oscillator （TCXO） crystal oscillator （XO） frequency-temperature stability power consumption
分类号
TN752.2
[电子电信—电路与系统]
题名 低相噪抗振动温补晶振的研制
被引量：1
3
作者
孙敏 黎敏强 陈中平 王占奎
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期263-267,共5页
文摘
为满足通信系统对振动环境下相位噪声提出的更为严格的要求,提出了一种低相噪、抗振动温补晶振的设计方法。分析了影响温补晶振静态相位噪声的因素,通过ADS仿真对电路参数进行优化,实现了低的静态相位噪声。介绍了振动状态下晶体振荡器相位噪声恶化的原因,应用有限元理论方法对温补晶振的结构进行仿真分析和优化,通过提高结构的自谐振频率来有效降低振动条件下的相位噪声。给出了优化后的相位噪声测试曲线,应用该方法研制的10 MHz温补晶振静态相位噪声达到-100 dBc/Hz@10 Hz,-130 dBc/Hz@100 Hz,-155 dBc/Hz@1 kHz,-160 dBc/Hz@10 kHz;在Grms为6.06 g随机振动条件下,动态相位噪声达到-128 dBc/Hz@1 kHz,优化了近30 dBc/Hz@1 kHz。
关键词
温补晶振 有限元分析 相位噪声 随机振动 仿真
Keywords
temperature compensated crystal oscillator （ TCXO ） finite element analysis phasenoise random vibration simulation
分类号
TN752.2
[电子电信—电路与系统]
题名 一款基于CMOS工艺的可编程VCXO芯片设计
4
作者
李晋 陈君涛 黎敏强 蒋永红 赵瑞华
机构
中国电子科技集团第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期174-179,共6页
文摘
详细介绍了一款基于0.25μm射频互补金属氧化物半导体(RF CMOS)工艺的可编程压控晶体振荡器(VCXO)芯片。将A/D技术和小数锁相环技术结合在一起,实现了VCXO输出频率范围、频率步进、牵引范围、压控极性可编程。在0.25μm RF CMOS工艺下进行了流片,芯片面积为3 000μm×2 000μm,将芯片封装到符合工作标准的5 mm×7 mm陶瓷管壳。测试结果表明,该芯片在(2.5±5%)V,温度为-55~85℃环境下,可以稳定工作,通过兼容工业标准I2C接口,实现编程输出频率为15.5~866.6 MHz和975~1 300 MHz,频率步进(343/N)Hz(N为锁相环输出分频器值);牵引范围为±9×10-6~±567×10-6,步进9×10-6;在频点662.41 MHz,均方根抖动典型值为360 fs(积分区间12 k Hz^20 MHz)。测试结果验证了设计方法和电路设计的正确性。
关键词
压控晶体振荡器(VCXO) Δ-Σ调制 锁相环(PLL) 电荷泵 抖动
Keywords
voltage controlled crystal oscillator（VCXO） Delta-Sigma modulator phase locked loop（PLL） charge pump jitter
分类号
TN752
[电子电信—电路与系统]
题名 高稳定度低相位噪声温补晶振芯片设计
被引量：2
5
作者
黎荣林 黎敏强
机构
河北博威集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期32-36,共5页
文摘
设计了一种满足三级钟标准的高稳定度、低相位噪声温补晶体振荡器（TCXO）集成电路芯片。芯片由电压基准电路、压控晶体振荡电路、温度补偿电压产生电路和缓冲电路等模块组成,只需外接石英晶体谐振器和滤波电容便可构成精密的TCXO。温度补偿电压产生电路输出的电压,随温度变化,满足精确的5次多项式函数特征,使得-40~85℃温度内温补晶振输出的频率温度稳定度优于±0.2×10-6;振荡电路采用了低相位噪声设计技术,使19.99 MHz温补晶振的相位噪声优于-142 d Bc/Hz@1 k Hz。芯片采用0.5μm CMOS工艺制造,面积为2.0 mm×2.0 mm,功耗低于15 m W。
关键词
温补晶体振荡器(TCXO) 集成电路芯片 频率温度稳定度 相位噪声 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺
Keywords
temperature-compensated crystal oscillator（TCXO） integrated circuit chip frequency-temperature stability phase noise complementary metal oxide semiconductor（CMOS） process
分类号
TN752
[电子电信—电路与系统]
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
