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含单负材料对称型一维光子晶体隧穿模的特性 被引量:8
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作者 李文胜 黄海铭 +2 位作者 付艳华 张琴 是度芳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第1期69-72,共4页
构造了由电单负材料A和磁单负材料B组成的(AB)N(BA)N型一维光子晶体,利用传输矩阵法进行了数值计算。结果表明:其带隙中出现了一隧穿模。此隧穿模具有如下特征:入射角θ增加,隧穿模向短波方向移动,且其半峰全宽变窄,入射角越大,变化越明... 构造了由电单负材料A和磁单负材料B组成的(AB)N(BA)N型一维光子晶体,利用传输矩阵法进行了数值计算。结果表明:其带隙中出现了一隧穿模。此隧穿模具有如下特征:入射角θ增加,隧穿模向短波方向移动,且其半峰全宽变窄,入射角越大,变化越明显;介质层的几何厚增加,隧穿模向长波方向移动,且移动量和介质厚度的增量间存在线性关系;A介质的介电常数εA或B介质的磁导率μB增加,隧穿模向长波方向移动,移动量与εA或μB的增量呈非线性关系,但εA越大或μB越小,隧穿模的半峰全宽度越窄。上述参数变化时,隧穿模的透射率始终保持为1。 展开更多
关键词 光子晶体 单负材料 隧穿模 透射率
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含单负材料光子晶体隧穿模的偏振特性 被引量:7
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作者 李文胜 张琴 +2 位作者 黄海铭 付艳华 是度芳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第8期2033-2037,共5页
为探讨含磁单负材料光子晶体的偏振特性,构造了由普通材料A(SiO2)和磁单负材料B组成的(AB)3(BA)3对称型一维光子晶体。数值计算结果表明,垂直入射时,原禁带的1 907 nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模。对TE波,入射角θ增加、B介质的介电... 为探讨含磁单负材料光子晶体的偏振特性,构造了由普通材料A(SiO2)和磁单负材料B组成的(AB)3(BA)3对称型一维光子晶体。数值计算结果表明,垂直入射时,原禁带的1 907 nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模。对TE波,入射角θ增加、B介质的介电常数εB或几何厚度减少时,禁带边缘蓝移,宽度变窄,隧穿模的透射率和半峰全宽保持不变,但其位置蓝移。上述3个参数分别变化时,TM波的透射谱及隧穿模的变化规律与TE波的相同,只是入射角增加时,TM波禁带长波边缘的蓝移量小于TE波的。隧穿模的这些偏振特性对高品质滤波器的设计具有指导意义。 展开更多
关键词 光子晶体 电单负材料 偏振 隧穿模
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一种基于光子晶体结构的军用车辆红外隐身涂层的设计 被引量:8
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作者 李文胜 张琴 +1 位作者 付艳华 黄海铭 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期3299-3303,共5页
根据军用车辆的体表温度,针对红外大气窗口,选用常见的Si和Li F为介质,并在考虑各自色散关系的基础上,设计了一具有光子晶体结构的复合涂层。利用传输矩阵法计算表明,当Si和Li F均取4层,且每层的几何厚度分别取0.800μm和1.900μm时,在8... 根据军用车辆的体表温度,针对红外大气窗口,选用常见的Si和Li F为介质,并在考虑各自色散关系的基础上,设计了一具有光子晶体结构的复合涂层。利用传输矩阵法计算表明,当Si和Li F均取4层,且每层的几何厚度分别取0.800μm和1.900μm时,在8~14μm之间存在一个严格的带隙,此带隙有以下特征:介质层数大于4时,带隙不再发生实质性的变化。增加两介质的几何厚度,带隙红移,宽度变宽,反之亦然。入射角增加,8~14μm之间的带隙总是存在。以上结论可为该复合涂层的进一步研究提供有益的参考。 展开更多
关键词 光子晶体 军用车辆 红外隐身涂层 传输矩阵
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一维含单负材料光子晶体塔姆态的偏振特征 被引量:5
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作者 李文胜 张琴 +1 位作者 黄海铭 付艳华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第5期1600-1604,共5页
用磁单负材料A和电单负材料B组成了(ABBA)N型一维光子晶体,利用传输矩阵法计算表明:在4500~7500 nm间出现了3个塔姆态。这些塔姆态有如下特性:入射角增加,其透射率不变,但半峰全宽度变窄,位置发生蓝移;在同一入射角时,TM波塔... 用磁单负材料A和电单负材料B组成了(ABBA)N型一维光子晶体,利用传输矩阵法计算表明:在4500~7500 nm间出现了3个塔姆态。这些塔姆态有如下特性:入射角增加,其透射率不变,但半峰全宽度变窄,位置发生蓝移;在同一入射角时,TM波塔姆态的蓝移量大于TE波的。两介质的几何厚度同时增加时,TE波和TM波塔姆态的透射率和半峰全宽度均保持不变,但其位置都发生了红移。A介质的介电常数 A增加, TE波和TM波塔姆态的透射率均保持不变,但位置都发生了红移,其半峰全宽度都是先变窄再变宽。 展开更多
关键词 单负材料 光子晶体 塔姆态 偏振
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晶格常数的变化对FeNCN电子结构影响的第一性原理研究
5
作者 黄海铭 《湖北汽车工业学院学报》 2013年第4期68-71,共4页
采用第一性原理计算方法研究了c/a形变下FeNCN晶体的电子结构。结果表明在c/a形变下FeNCN晶体经历了半金属性到金属性的变化,当c/a不大于2.5时,FeNCN晶体表现为半金属性;当c/a大于2.5时,FeNCN晶体表现为金属性。Fe原子是晶体分子磁矩的... 采用第一性原理计算方法研究了c/a形变下FeNCN晶体的电子结构。结果表明在c/a形变下FeNCN晶体经历了半金属性到金属性的变化,当c/a不大于2.5时,FeNCN晶体表现为半金属性;当c/a大于2.5时,FeNCN晶体表现为金属性。Fe原子是晶体分子磁矩的最主要的贡献者,其自旋磁矩受c/a变化的影响程度较小。当FeNCN晶体表现为半金属性时,其分子磁矩能维持在稳定的整数值8.00μB;随着c/a的增加,分子磁矩逐渐减小。对c/a为2.3时FeNCN晶体电子结构的研究表明:此时自旋向上的子能带表现出间接带隙的半导体特征,晶体的半金属隙为0.11 eV。 展开更多
关键词 第一性原理 电子结构 态密度 磁矩 半金属隙
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采用含掺杂半导体光子晶体的太赫兹梳状滤波器 被引量:4
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作者 李文胜 张琴 +1 位作者 黄海铭 付艳华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第6期1869-1872,共4页
用a介质(n型掺杂GaAs)和b介质(TiO2)组成一含缺陷层的光子晶体。数值计算表明:此光子晶体在3.0—4.5THz范围内出现了5个透射率为1的缺陷模,这些缺陷模有如下特征:当n型掺杂GaAs的掺杂浓度n由10^17/cm^3增加到10^19/cm^3时,... 用a介质(n型掺杂GaAs)和b介质(TiO2)组成一含缺陷层的光子晶体。数值计算表明:此光子晶体在3.0—4.5THz范围内出现了5个透射率为1的缺陷模,这些缺陷模有如下特征:当n型掺杂GaAs的掺杂浓度n由10^17/cm^3增加到10^19/cm^3时,缺陷模的中心、半峰全宽度和透射率均保持不变,但若n增至10^20/cm^3,则缺陷模的透射率开始下降。入射角增加,缺陷模的透射率保持不变,但其中心发生蓝移,移动率为变量,且半峰全宽度变窄。a、b两介质或缺陷层C的几何厚度分别增加时,缺陷模的透射率和半峰全宽度分别保持不变,中心位置红移。这些现象为此类光子晶体实现太赫兹频段的梳状滤波提供了理论指导。 展开更多
关键词 光子晶体 掺杂半导体 缺陷模 太赫兹滤波
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一种基于光子晶体的高效太阳能电池反射器的设计 被引量:3
7
作者 李文胜 黄海铭 +2 位作者 付艳华 张琴 是度芳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期885-888,共4页
利用SiO2和TiO2介质,设计了一种可用于太阳能电池反射器的一维光子晶体。采用传输矩阵法对该光子晶体从可见光至近红外波长范围的反射谱进行了模拟计算,并分别讨论了周期数和入射角不同时反射谱的变化。结果表明:光线垂直入射时,周期数... 利用SiO2和TiO2介质,设计了一种可用于太阳能电池反射器的一维光子晶体。采用传输矩阵法对该光子晶体从可见光至近红外波长范围的反射谱进行了模拟计算,并分别讨论了周期数和入射角不同时反射谱的变化。结果表明:光线垂直入射时,周期数N增加,其反射谱在短波段的禁带数增加、禁带宽度变窄,而长波段的反射率增加。入射角θ增大时,平均反射率增加,因而该光子晶体具有良好的角度宽容性,可作为高效的太阳能电池率反射器。 展开更多
关键词 光子晶体 太阳能电池 反射器 角度宽容性
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基于光子晶体结构的双红外隐身涂层设计 被引量:2
8
作者 李文胜 张琴 +1 位作者 黄海铭 付艳华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第10期2578-2582,共5页
为减少目标暴露,针对红外探测器3000~5000nm和8000~14000nm的工作波长,选用常见的LiF和si为介质,并在考虑各自色散关系的基础上,设计了具有光子晶体结构的隐身射涂层。结果表明:当两介质各取4层、其几何厚度分别为1400rim和870ri... 为减少目标暴露,针对红外探测器3000~5000nm和8000~14000nm的工作波长,选用常见的LiF和si为介质,并在考虑各自色散关系的基础上,设计了具有光子晶体结构的隐身射涂层。结果表明:当两介质各取4层、其几何厚度分别为1400rim和870rim时,涂层分别在8000~14000nm和3000~5000nm的范围内有一个主、次带隙,主带隙的透射率为零,而次带隙中有两个尖锐的透射峰。当两介质的几何厚度增加,带隙红移,宽度增加,次带隙的平均透射率也增加,反之亦然。当涂层层数为6时,该涂层已在上述波长范围内形成了相应的带隙,介质层数再增加,带隙没有实质性的变化。对于角度入射涂层具有较好的角度宽容度。该结构的涂层可用于重要目标的红外隐身。 展开更多
关键词 红外辐射 涂层 光子晶体 隐身
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含单负材料一维光子晶体的偏振特性 被引量:1
9
作者 李文胜 黄海铭 +2 位作者 付艳华 张琴 是度芳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期216-219,共4页
利用传输矩阵法,讨论了由单负材料组成的光子晶体的偏振特性。结果表明:垂直入射时,TE模和TM模的透射谱完全相同。当入射角θ增加时,两模的透射谱均向短波方向移动,禁带的宽度增加,且TE模的变化大于TM模的。入射角越大,变化越明显。光... 利用传输矩阵法,讨论了由单负材料组成的光子晶体的偏振特性。结果表明:垂直入射时,TE模和TM模的透射谱完全相同。当入射角θ增加时,两模的透射谱均向短波方向移动,禁带的宽度增加,且TE模的变化大于TM模的。入射角越大,变化越明显。光子晶体的周期数N增加时,准禁带底部逐步降低,宽度稍有变窄,禁带的位置和宽度均保持不变。但位于两禁带间通带顶部震荡峰的数量M增加,且M和N之间满足M=N-1。介质的几何厚度增加时,TE模和TM模的透射谱均向长波方向移动,禁带的宽度增加,反之亦然。当介质的几何厚度的变化量相同,两模透射谱禁带宽度的变化量也分别相同。 展开更多
关键词 光子晶体 单负材料 透射谱 偏振特性
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含液晶层光子晶体的应用研究 被引量:1
10
作者 李文胜 张琴 +1 位作者 黄海铭 付艳华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第6期1542-1546,共5页
在由高纯硅和5CB液晶组成的光子晶体中,掺杂一装有电极的5CB液晶层作为调制层。由此构成了一针对特定波长(900nm)的光子晶体开关。利用传输矩阵计算了其透射谱,结果表明:控制调制层上电压的有无就可以实现透射峰中心的移动,从而... 在由高纯硅和5CB液晶组成的光子晶体中,掺杂一装有电极的5CB液晶层作为调制层。由此构成了一针对特定波长(900nm)的光子晶体开关。利用传输矩阵计算了其透射谱,结果表明:控制调制层上电压的有无就可以实现透射峰中心的移动,从而达到该开关的通断,当调制电压小于5V。还可以准确控制透射峰的中心位置。周期数增加,透射峰的中心位置保持不变,但其半峰全宽度变窄。该开关的结构周期以6—7为宜,且有一定的角度宽容性,特别适合小角度入射的情况。这些现象为此类光子晶体实现高频开关提供了理论指导。 展开更多
关键词 光子晶体 5CB液晶 传输矩阵 开关
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一种基于光子晶体结构防红外辐射涂层的研究
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作者 李文胜 黄海铭 +1 位作者 付艳华 张琴 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1368-1372,共5页
为减少蒸气在管道传输中的能耗,针对蒸气所辐射的特征波长在4007.1~7765.7 nm的电磁波,选用常见的Si和SiO2为介质,并在考虑各自色散关系的基础上,设计了一种具有光子晶体结构的保温涂层。利用传输矩阵法计算表明:当两介质各取4层,其几... 为减少蒸气在管道传输中的能耗,针对蒸气所辐射的特征波长在4007.1~7765.7 nm的电磁波,选用常见的Si和SiO2为介质,并在考虑各自色散关系的基础上,设计了一种具有光子晶体结构的保温涂层。利用传输矩阵法计算表明:当两介质各取4层,其几何厚度分别取410.5 nm和972 nm时,在4450~7600 nm的范围内有一个严格的带隙,且具有较好的角度宽容度。当两介质的几何厚度增加,带隙红移,宽度增加,反之亦然。当涂层结构为ababa时,该光子晶体已在4597.2~7305.6 nm之间形成了严格的带隙,介质层数再增加,带隙没有实质性的变化,因此,涂层结构为ababa是最经济的。 展开更多
关键词 红外辐射 涂层 能耗 光子晶体 传输矩阵
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电磁波在光子晶体中介质界面的传输矩阵
12
作者 李文胜 黄海铭 张琴 《湖北汽车工业学院学报》 2012年第2期57-60,共4页
为探讨电磁波在光子晶体中两介质界面的传播特点,利用电磁场的边界条件,导出了电磁波在介质交界面传播的传输矩阵,并用此矩阵讨论了透射波和反射波的相位和偏振特征;得到了反射波相位发生突变的条件和布儒斯特定律。
关键词 光子晶体 电磁波 传输矩阵 相位
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半导体Si和GaAs的GW近似能带结构与BSE吸收光谱的研究
13
作者 杨俊涛 罗时军 +1 位作者 黄海铭 熊永臣 《湖北汽车工业学院学报》 2014年第3期64-67,共4页
基于密度泛函理论,采用平面缀加波的广义密度近似的PBE泛函和准粒子近似的GW方法对典型的半导体硅Si和砷化镓GaAs的能带结构进行了研究;同时研究了Si和GaAs的光吸收谱,并利用多体微扰理论的BetheSalpeter方程(BSE)进行了修正。计算结果... 基于密度泛函理论,采用平面缀加波的广义密度近似的PBE泛函和准粒子近似的GW方法对典型的半导体硅Si和砷化镓GaAs的能带结构进行了研究;同时研究了Si和GaAs的光吸收谱,并利用多体微扰理论的BetheSalpeter方程(BSE)进行了修正。计算结果表明,准粒子近似的GW方法对Si和GaAs的能隙预测结果和实验值符合较好,考虑了电子—空穴对激子效应的GW-BSE多体微扰方法计算的Si和GaAs的介电函数吸收谱与实验谱符合最佳;研究说明激子效应在半导体光谱性质分析方面十分重要。 展开更多
关键词 密度泛函理论 GW近似 BSE方程 激子效应
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Electronic and mechanical properties of half-metallic half-Heusler compounds CoCrZ(Z=S, Se, and Te) 被引量:1
14
作者 黄海铭 张传坤 +3 位作者 贺泽东 张俊 杨俊涛 罗时军 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第1期501-507,共7页
The electronic structures, magnetic properties, half-metallicity, and mechanical properties of half-Heulser compounds CoCrZ (Z = S, Se, and Te) were investigated using first-principles calculations within generalize... The electronic structures, magnetic properties, half-metallicity, and mechanical properties of half-Heulser compounds CoCrZ (Z = S, Se, and Te) were investigated using first-principles calculations within generalized gradient approximation based on the density function theory. The half-Heusler compounds show half-metallic properties with a half-metallic gap of 0.15 eV for CoCrS, 0.10 eV for CoCrSe, and 0.31 eV for CoCrTe at equilibrium lattice constant, respectively. The total magnetic moments are 3.00/-tB per formula unit, which agrees well with the Slater-Pauling rule. The half-metallicity, elastic constants, bulk modulus, shear modulus, Pough's ratio, Frantesvich ratio, Young's modulus, Poisson's ratio, and Debye temperature at equilibrium lattice constant and versus lattice constants are reported for the first time. The results indicate that the half-Heulser compounds CoCrZ (Z = S, Se, and Te) maintain the perfect half-metallic and mechanical stability within the lattice constants range of 5.18-5.43 A for CoCrS, 5.09-5.61 A for CoCrSe, and 5.17-6.42 A for CoCrTe, respectively. 展开更多
关键词 half-Heusler HALF-METALLICITY elastic constants FIRST-PRINCIPLES
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First-principles investigations on the mechanical, thermal,electronic, and optical properties of the defect perovskites Cs_2SnX_6(X= Cl, Br, I) 被引量:1
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作者 黄海铭 姜振益 罗时军 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第9期357-364,共8页
The mechanical properties, thermal properties, electronic structures, and optical properties of the defect perovskites Cs2SnX6(X = Cl, Br, I) were investigated by first-principles calculation using PBE and HSE06 hyb... The mechanical properties, thermal properties, electronic structures, and optical properties of the defect perovskites Cs2SnX6(X = Cl, Br, I) were investigated by first-principles calculation using PBE and HSE06 hybrid functional. The optic band gaps based on HSE06 are 3.83 eV for Cs2SnCl6, 2.36 eV for Cs2SnBr6, and 0.92 eV for Cs2SnI6, which agree with the experimental results. The Cs2SnCl6, Cs2SnBr6, and Cs2SnI6 are mechanically stable and they are all anisotropic and ductile in nature. Electronic structures calculations show that the conduction band consists mainly of hybridization between the halogen p orbitals and Sn 5s orbitals, whereas the valence band is composed of the halogen p orbitals. Optic properties indicate that these three compounds exhibit good optical absorption in the ultraviolet region, and the absorption spectra red shift with the increase in the number of halogen atoms. The defect perovskites are good candidates for probing the lead-free and high power conversion efficiency of solar cells. 展开更多
关键词 first-principles calculation perovskites elastic properties optical properties
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乡镇工业企业财务分析
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作者 黄海铭 《中国乡镇企业会计》 1997年第3期24-25,共2页
关键词 企业财务分析 乡镇工业 效益分析 现状分析 综合指数 成本费用利润率 流动比率 速动比率 营运资金周转率 经营能力分析
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CsPbCl_3电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:2
17
作者 余晨旭 黄海铭 +3 位作者 黄涛 鲍子康 罗甲舜 杨陆 《湖北汽车工业学院学报》 2018年第1期64-67,共4页
利用第一性原理计算方法,对不同压力下CsPbCl_3的电子结构和光学性质进行了研究。结果表明:在一定的压力范围内,随着压力的增大,CsPbCl_3的晶格常数逐渐减小,导带向着费米能级移动,光学带隙逐渐减小,但材料依然保持直接半导体特性。压... 利用第一性原理计算方法,对不同压力下CsPbCl_3的电子结构和光学性质进行了研究。结果表明:在一定的压力范围内,随着压力的增大,CsPbCl_3的晶格常数逐渐减小,导带向着费米能级移动,光学带隙逐渐减小,但材料依然保持直接半导体特性。压力的增加导致CsPbCl_3的静态介电常数呈现递增趋势,其尖峰发生红移,可见光范围内的光跃迁强度增大。 展开更多
关键词 CsPbCl3 电子结构 第一性原理
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Quantum phase transition and Coulomb blockade effect in triangular quantum dots with interdot capacitive and tunnel couplings
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作者 熊永臣 王为忠 +1 位作者 杨俊涛 黄海铭 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期403-408,共6页
The quantum phase transition and the electronic transport in a triangular quantum dot system are investigated using the numerical renormalization group method.We concentrate on the interplay between the interdot capac... The quantum phase transition and the electronic transport in a triangular quantum dot system are investigated using the numerical renormalization group method.We concentrate on the interplay between the interdot capacitive coupling V and the interdot tunnel coupling t.For small t,three dots form a local spin doublet.As t increases,due to the competition between V and t,there exist two first-order transitions with phase sequence spin-doublet-magnetic frustration phase-orbital spin singlet.When t is absent,the evolutions of the total charge on the dots and the linear conductance are of the typical Coulomb-blockade features with increasing gate voltage.While for sufficient t,the antiferromagnetic spin correlation between dots is enhanced,and the conductance is strongly suppressed for the bonding state is almost doubly occupied. 展开更多
关键词 quantum phase transition Coulomb blockade effect triangular quantum dots strongly correlated system
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Generation of microwave photon perfect W states of three coupled superconducting resonators
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作者 李新克 周原 +3 位作者 王光辉 吕东燕 Fazal Badshah 黄海铭 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期193-199,共7页
We propose an efficient method for the generation of perfect W states on three microwave superconducting resonators,of which the two nearest neighbors are coupled by a symmetric direct current superconducting quantum ... We propose an efficient method for the generation of perfect W states on three microwave superconducting resonators,of which the two nearest neighbors are coupled by a symmetric direct current superconducting quantum interference device(dc-SQUID).With suitable external magnetic fluxes applied to the dc-SQUID symmetry loops,on-chip tunable interactions between neighboring resonators can be realized,and different perfect W states can be deterministically created on-demand in one step.Numerical simulations show that high-fidelity target states can be generated and our scheme is robust against imperfect parameter tuning and environment-induced decoherence.The present work may have potential applications for implementing quantum computation and quantum information processing based on microwave photons. 展开更多
关键词 quantum entanglement perfect W state circuit QED
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偿债保障比率分析
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作者 耿加贵 黄海铭 《中国乡镇企业会计》 2000年第9期47-48,共2页
关键词 偿债保障比率 企业 财务报表 分析 会计
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