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薄膜晶体管a-Si:H/a-SiN_x界面研究
被引量:
3
1
作者
胡宇飞
孙剑
+2 位作者
钟伯强
黄慈祥
潘惠英
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期183-187,共5页
对比a-Si:H/a-SiNx界面附近a-Si:H和体材料a-Si:H的光致发光谱(PL)发现:随着SiNx中x的增大,PL峰值向低能方向移动,相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加,界面晶格不匹配加剧,导致悬挂...
对比a-Si:H/a-SiNx界面附近a-Si:H和体材料a-Si:H的光致发光谱(PL)发现:随着SiNx中x的增大,PL峰值向低能方向移动,相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加,界面晶格不匹配加剧,导致悬挂键密度增多和深能级隙态密度增加。该观点得到C-V测试结果的证实。
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关键词
界面
薄膜晶体管
非晶硅
氮化硅
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职称材料
a-Si∶H pin二极管的光敏特性
2
作者
吴道怀
陈志强
+2 位作者
蓬蓉
黄慈祥
仇萍生
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期81-84,共4页
本文报道玻璃衬底 a-Si∶H pin 二极管的制备与光敏特性及其有关的测试装置和方法。该二极管在可见光区域响应度高、线性度好、响应速度快。该二极管配上滤色片能用作色敏二极管。这种 a-Si∶H pin 二极管能鉴别可见区域内光的强度与“...
本文报道玻璃衬底 a-Si∶H pin 二极管的制备与光敏特性及其有关的测试装置和方法。该二极管在可见光区域响应度高、线性度好、响应速度快。该二极管配上滤色片能用作色敏二极管。这种 a-Si∶H pin 二极管能鉴别可见区域内光的强度与“色”,是很有希望的光敏二极管。
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关键词
A-SI:H
光敏二极管
二极管
光敏性
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职称材料
题名
薄膜晶体管a-Si:H/a-SiN_x界面研究
被引量:
3
1
作者
胡宇飞
孙剑
钟伯强
黄慈祥
潘惠英
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期183-187,共5页
文摘
对比a-Si:H/a-SiNx界面附近a-Si:H和体材料a-Si:H的光致发光谱(PL)发现:随着SiNx中x的增大,PL峰值向低能方向移动,相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加,界面晶格不匹配加剧,导致悬挂键密度增多和深能级隙态密度增加。该观点得到C-V测试结果的证实。
关键词
界面
薄膜晶体管
非晶硅
氮化硅
Keywords
a-St:H/a-SiN_x interface
photoluminescence spectra
gap state density, C-V
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
a-Si∶H pin二极管的光敏特性
2
作者
吴道怀
陈志强
蓬蓉
黄慈祥
仇萍生
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期81-84,共4页
文摘
本文报道玻璃衬底 a-Si∶H pin 二极管的制备与光敏特性及其有关的测试装置和方法。该二极管在可见光区域响应度高、线性度好、响应速度快。该二极管配上滤色片能用作色敏二极管。这种 a-Si∶H pin 二极管能鉴别可见区域内光的强度与“色”,是很有希望的光敏二极管。
关键词
A-SI:H
光敏二极管
二极管
光敏性
Keywords
a-Si:H
Photodiode
Responsibility
Linearity
Response characteristic
Spectral response
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
薄膜晶体管a-Si:H/a-SiN_x界面研究
胡宇飞
孙剑
钟伯强
黄慈祥
潘惠英
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
3
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职称材料
2
a-Si∶H pin二极管的光敏特性
吴道怀
陈志强
蓬蓉
黄慈祥
仇萍生
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
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职称材料
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