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全固态AlGaN/GaN ISFET pH传感器的温度特性
被引量：
2
1
作者
戴雅琼
黄德佳
+2 位作者
邢洁莹
潘郑州
张佰君
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第10期734-739,共6页
制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管（ISFET）结构pH传感器,并研究了其温度特性。将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电极,实现了对微升溶液pH值的测量。将ISFET pH传感...
制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管（ISFET）结构pH传感器,并研究了其温度特性。将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电极,实现了对微升溶液pH值的测量。将ISFET pH传感器分别在15,45和75℃下对不同pH值的微升标准溶液进行了测量。实验结果表明,随着温度升高,pH传感器的敏感度增大,其变化趋势与理论相符。当温度为75℃时,器件灵敏度达到50. 9 mV/pH。同时,实验中还观察到传感器的阈值电压随温度升高产生了正向漂移。通过传输线模型测试以及对肖特基圆环进行电容-电压特性测试,发现阈值电压变化的原因在于载流子迁移率随温度升高而明显降低。
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关键词
ALGAN/GAN异质结
离子敏感场效应晶体管(ISFET)
全固态
PH传感器
阈值电压
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职称材料
题名
全固态AlGaN/GaN ISFET pH传感器的温度特性
被引量：
2
1
作者
戴雅琼
黄德佳
邢洁莹
潘郑州
张佰君
机构
中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第10期734-739,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400100,2017YFB0400301)
国家自然科学基金资助项目(61574173,61274039)
广东省科技计划项目(2017B010112002)
文摘
制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管（ISFET）结构pH传感器,并研究了其温度特性。将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电极,实现了对微升溶液pH值的测量。将ISFET pH传感器分别在15,45和75℃下对不同pH值的微升标准溶液进行了测量。实验结果表明,随着温度升高,pH传感器的敏感度增大,其变化趋势与理论相符。当温度为75℃时,器件灵敏度达到50. 9 mV/pH。同时,实验中还观察到传感器的阈值电压随温度升高产生了正向漂移。通过传输线模型测试以及对肖特基圆环进行电容-电压特性测试,发现阈值电压变化的原因在于载流子迁移率随温度升高而明显降低。
关键词
ALGAN/GAN异质结
离子敏感场效应晶体管(ISFET)
全固态
PH传感器
阈值电压
Keywords
A1GaN/GaN heterostructure
ion-sensitive field effect transistor （ISFET）
all-solid-state
pH sensor
threshold voltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TP212.41 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
全固态AlGaN/GaN ISFET pH传感器的温度特性
戴雅琼
黄德佳
邢洁莹
潘郑州
张佰君
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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