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扫描近场光电多功能探针系统
1
作者
徐耿钊
刘争晖
+3 位作者
钟海舰
樊英民
黄增立
徐科
《储能科学与技术》
CAS
2014年第6期614-619,共6页
通过将光源和光学探测系统、电化学测量装置等与扫描探针显微镜相集成,研制了扫描近场光电多功能探针系统,在获得高分辨表面形貌像的同时还可同位测量局域光谱、光电压/光电流等光电性质,并可对固液界面光电化学过程进行原位观察。介绍...
通过将光源和光学探测系统、电化学测量装置等与扫描探针显微镜相集成,研制了扫描近场光电多功能探针系统,在获得高分辨表面形貌像的同时还可同位测量局域光谱、光电压/光电流等光电性质,并可对固液界面光电化学过程进行原位观察。介绍了该系统的主要架构和功能及在石墨烯/氮化镓界面接触电学性质、氮化镓表面光电压等研究中的应用。通过同位的表面结构、拉曼光谱和局域导电特性的综合表征和分析,发现了石墨烯电极能够自适应地降低与半导体的接触势垒以及单个褶皱形成的局域导电通道。在紫外波段扫描光电压测试中捕捉到了单个位错所引起的局域表面光电压谱起伏。该系统有助于从实验上研究表界面和缺陷等微观要素对器件性能的影响。
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关键词
扫描探针显微镜
光电压
电化学
拉曼光谱
氮化镓
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职称材料
N极性GaN衬底表面超高真空清洁工艺
2
作者
王晓冉
黄增立
+4 位作者
宋文涛
张春玉
陈科蓓
刘争晖
徐耿钊
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第8期683-689,712,共8页
针对经过化学腐蚀预处理并具有清晰台阶流形貌的自支撑N极性GaN衬底,研究了在超高真空中采用氩离子轰击和不同气氛保护下退火等技术进一步对其进行表面清洁的方法,并采用X射线光电子能谱和俄歇电子能谱对处理结果进行分析。实验结果表明...
针对经过化学腐蚀预处理并具有清晰台阶流形貌的自支撑N极性GaN衬底,研究了在超高真空中采用氩离子轰击和不同气氛保护下退火等技术进一步对其进行表面清洁的方法,并采用X射线光电子能谱和俄歇电子能谱对处理结果进行分析。实验结果表明,氩离子轰击可有效清除表面的C、O等污染,且处理后的表面能带弯曲值稳定在(1.73±0.12)eV。但是氩离子轰击也会不可避免地造成表面偏析,使表面Ga与N的原子个数比明显上升。而在氮气和氢气的混合气体通过射频等离子体源产生的原子气氛保护下以800℃退火后,既能够去除C、O等表面污染,也能抑制表面N原子的流失和表面偏析。该超高真空处理工艺对N极性GaN衬底表面具有很好的清洁效果。
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关键词
GAN
超高真空
氩离子轰击
退火
能带弯曲
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职称材料
题名
扫描近场光电多功能探针系统
1
作者
徐耿钊
刘争晖
钟海舰
樊英民
黄增立
徐科
机构
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
出处
《储能科学与技术》
CAS
2014年第6期614-619,共6页
文摘
通过将光源和光学探测系统、电化学测量装置等与扫描探针显微镜相集成,研制了扫描近场光电多功能探针系统,在获得高分辨表面形貌像的同时还可同位测量局域光谱、光电压/光电流等光电性质,并可对固液界面光电化学过程进行原位观察。介绍了该系统的主要架构和功能及在石墨烯/氮化镓界面接触电学性质、氮化镓表面光电压等研究中的应用。通过同位的表面结构、拉曼光谱和局域导电特性的综合表征和分析,发现了石墨烯电极能够自适应地降低与半导体的接触势垒以及单个褶皱形成的局域导电通道。在紫外波段扫描光电压测试中捕捉到了单个位错所引起的局域表面光电压谱起伏。该系统有助于从实验上研究表界面和缺陷等微观要素对器件性能的影响。
关键词
扫描探针显微镜
光电压
电化学
拉曼光谱
氮化镓
Keywords
scanning probe microscope
photovoltage
electrochemical
Raman spectroscopy
GaN
分类号
TH742 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
N极性GaN衬底表面超高真空清洁工艺
2
作者
王晓冉
黄增立
宋文涛
张春玉
陈科蓓
刘争晖
徐耿钊
机构
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学技术大学纳米科学技术学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第8期683-689,712,共8页
基金
苏州市基础研究试点项目(SJC2021010)
中国科学院率先行动“百人计划”(宋文涛)。
文摘
针对经过化学腐蚀预处理并具有清晰台阶流形貌的自支撑N极性GaN衬底,研究了在超高真空中采用氩离子轰击和不同气氛保护下退火等技术进一步对其进行表面清洁的方法,并采用X射线光电子能谱和俄歇电子能谱对处理结果进行分析。实验结果表明,氩离子轰击可有效清除表面的C、O等污染,且处理后的表面能带弯曲值稳定在(1.73±0.12)eV。但是氩离子轰击也会不可避免地造成表面偏析,使表面Ga与N的原子个数比明显上升。而在氮气和氢气的混合气体通过射频等离子体源产生的原子气氛保护下以800℃退火后,既能够去除C、O等表面污染,也能抑制表面N原子的流失和表面偏析。该超高真空处理工艺对N极性GaN衬底表面具有很好的清洁效果。
关键词
GAN
超高真空
氩离子轰击
退火
能带弯曲
Keywords
GaN
ultrahigh vacuum
argon ion bombardment
annealing
band bending
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
扫描近场光电多功能探针系统
徐耿钊
刘争晖
钟海舰
樊英民
黄增立
徐科
《储能科学与技术》
CAS
2014
0
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职称材料
2
N极性GaN衬底表面超高真空清洁工艺
王晓冉
黄增立
宋文涛
张春玉
陈科蓓
刘争晖
徐耿钊
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
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职称材料
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