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原子层沉积方法制备高性能Al_(2)O_(3)介电材料教学设计
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作者 王雷妮 杨波 +8 位作者 胡杨 胡鹏飞 鲁世斌 王菲菲 周睿阳 邱晨 尤新雨 刘一博 陶夕宇 《大学物理实验》 2024年第5期83-87,共5页
随着微电子技术向纳米尺度迈进,高性能介电材料的开发成为提升集成电路性能的关键。原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术以其卓越的薄膜均匀性、精确的厚度控制和良好的界面特性,在制备高性能Al_(2)O_(3)介电材料方面展现出巨... 随着微电子技术向纳米尺度迈进,高性能介电材料的开发成为提升集成电路性能的关键。原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术以其卓越的薄膜均匀性、精确的厚度控制和良好的界面特性,在制备高性能Al_(2)O_(3)介电材料方面展现出巨大潜力。本文针对微电子科学与工程和集成电路等相关专业,设计了ALD方法制备高性能Al_(2)O_(3)介电材料的教学内容,通过介绍ALD沉积技术原理、Al_(2)O_(3)介电薄膜相关知识、实验操作流程,Al_(2)O_(3)介电薄膜的表征与分析等过程设计,旨在培养和提高学生的实践能力和创新能力。 展开更多
关键词 原子层沉积 介电 Al_(2)O_(3) 教学研究
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多小区无线数据网络中基于最佳等信干比的功率控制 被引量:3
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作者 周元元 程莹 +2 位作者 查长军 刘俊 鲁世斌 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期374-378,共5页
指出多小区无线数据系统中基于非合作博弈的功率控制算法的纳什均衡不是帕累托最优的。提出一种新的适用于多小区无线数据网络的基于最佳等信干比的功率控制算法,使系统中每个小区的终端都工作在最佳等信干比下。仿真结果表明,该算法明... 指出多小区无线数据系统中基于非合作博弈的功率控制算法的纳什均衡不是帕累托最优的。提出一种新的适用于多小区无线数据网络的基于最佳等信干比的功率控制算法,使系统中每个小区的终端都工作在最佳等信干比下。仿真结果表明,该算法明显提高了系统的性能,使系统终端具有相对较高的效用和较低的发射功率,并使得无线网络资源的使用更加合理和公平。 展开更多
关键词 光通信 多小区无线数据网络 功率控制 最佳等信干比 非合作博弈 效用
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Proteus在电工电子实训中的应用 被引量:11
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作者 范程华 蒋先伟 +1 位作者 鲁世斌 陈明生 《电子设计工程》 2011年第7期17-18,22,共3页
电工电子实训综合性、实践性强,实训中不仅要求学生设计理论电路,而且还要求将电路焊接并调试成功。基于解决传统实训过程中由于所设计电路的缺陷或焊接原因导致电路调试耗时且耗材消耗过多的弊端,在电工电子实训中引入了Proteus仿真软... 电工电子实训综合性、实践性强,实训中不仅要求学生设计理论电路,而且还要求将电路焊接并调试成功。基于解决传统实训过程中由于所设计电路的缺陷或焊接原因导致电路调试耗时且耗材消耗过多的弊端,在电工电子实训中引入了Proteus仿真软件,要求学生焊接电路板前在Proteus软件中设计、仿真电路,只有通过软件仿真达到电路所要求的功能后才可以焊接电路。通过教学实践证明了能从根本上解决电工电子实训中的电路板调试耗时且耗材消耗过多的问题。 展开更多
关键词 电工电子实训 PROTEUS 虚拟仪器 仿真
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金属掺杂改善HfO_(2)阻变存储器(RRAM)氧空位导电细丝性能 被引量:2
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作者 王菲菲 代月花 +4 位作者 卢文娟 鲁世斌 汪海波 万丽娟 蒋先伟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期445-451,共7页
本研究采用金属掺杂的方式调控氧空位导电细丝的电子结构以获得更好的器件性能。计算了HfO_(2)体系中四组氧空位的形成能,得到V_(O4)-V_(O23)-V_(O34)-V_(O46)最易形成的氧空位簇;分波电荷态密度进一步表明在[010]晶向上电荷聚集形成导... 本研究采用金属掺杂的方式调控氧空位导电细丝的电子结构以获得更好的器件性能。计算了HfO_(2)体系中四组氧空位的形成能,得到V_(O4)-V_(O23)-V_(O34)-V_(O46)最易形成的氧空位簇;分波电荷态密度进一步表明在[010]晶向上电荷聚集形成导电通道。另外,研究了Ag、Mg、Ni、Cu、Al、Ta、Ti掺杂对该缺陷体系电子结构的影响,显示Ni与其它金属相比,在共缺陷体系中最易形成,体系最稳定;V_(O)-Ni共缺陷体系中导电细丝最均匀,最高等势面值最大,证明导电细丝最易形成;V_(O)-Ni之间相互作用能为-2.335eV,表明缺陷相互吸引;金属Ni具有很强的局域电子能力。 展开更多
关键词 阻变存储器 氧空位 导电细丝 掺杂 第一性原理
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Al掺杂与HfO_2本征缺陷互作用的研究 被引量:1
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作者 蒋先伟 陈军宁 +2 位作者 金波 王菲菲 鲁世斌 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期934-937,共4页
文章采用MS和VASP软件研究了HfO2作为电荷俘获存储器(charge trapping memory,CTM)俘获层时,在其中掺入Al杂质对本征缺陷的影响,计算了4种缺陷下氧空位的形成能大小、电荷俘获能及态密度。结果表明:掺入Al可以有效降低氧空位形成能,缺... 文章采用MS和VASP软件研究了HfO2作为电荷俘获存储器(charge trapping memory,CTM)俘获层时,在其中掺入Al杂质对本征缺陷的影响,计算了4种缺陷下氧空位的形成能大小、电荷俘获能及态密度。结果表明:掺入Al可以有效降低氧空位形成能,缺陷更易形成;Al+Vo3体系对空穴的数据保持能力相对较强,而Al+Vo4体系对电子的数据保持特性相对较好。 展开更多
关键词 第一性原理 AL掺杂 复合缺陷体 氧空位 数据保持特性
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