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一种高电源抑制比低噪声快速启动的CMOS带隙基准电路设计
1
作者
来新泉
刘鸿雁
魏荣峰
《中国集成电路》
2005年第9期41-45,共5页
针对集成稳压器、射频电路等对精密电压基准的需求,本文设计了一款新型CMOS带隙基准电路。在降低高频噪声,增强输出对电源纹波抑制能力的同时引入快速启动电路,改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题。采用Hynix0.5μmCMOSHspice模型...
针对集成稳压器、射频电路等对精密电压基准的需求,本文设计了一款新型CMOS带隙基准电路。在降低高频噪声,增强输出对电源纹波抑制能力的同时引入快速启动电路,改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题。采用Hynix0.5μmCMOSHspice模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较宽的频带范围内,噪声只有8.5μVrms,电源抑制比(PSRR)为100dB左右,启动时间在100μs以内。
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关键词
电源抑制比
带隙基准
CMOS
电路设计
低噪声
快速启动
SPICE模型
精密电压基准
基准电路
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职称材料
题名
一种高电源抑制比低噪声快速启动的CMOS带隙基准电路设计
1
作者
来新泉
刘鸿雁
魏荣峰
机构
西安电子科技大学电路CAD所
出处
《中国集成电路》
2005年第9期41-45,共5页
文摘
针对集成稳压器、射频电路等对精密电压基准的需求,本文设计了一款新型CMOS带隙基准电路。在降低高频噪声,增强输出对电源纹波抑制能力的同时引入快速启动电路,改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题。采用Hynix0.5μmCMOSHspice模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较宽的频带范围内,噪声只有8.5μVrms,电源抑制比(PSRR)为100dB左右,启动时间在100μs以内。
关键词
电源抑制比
带隙基准
CMOS
电路设计
低噪声
快速启动
SPICE模型
精密电压基准
基准电路
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
一种高电源抑制比低噪声快速启动的CMOS带隙基准电路设计
来新泉
刘鸿雁
魏荣峰
《中国集成电路》
2005
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